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Transistores de efeito de campo de óxido de metal-silício 2SK3019
● O acionamento por baixa tensão torna este dispositivo ideal para equipamentos portáteis.
● Circuitos de acionamento de fácil projeto
● Fácil de paralelizar
Nossas vantagens
Os processos de fabricação chineses passaram por anos de iteração, resultando em tecnologias maduras e confiáveis. Muitas empresas internacionais optam pela terceirização da produção na China. Como fabricante de componentes eletrônicos na China, nossos produtos podem substituir totalmente os das principais marcas internacionais em 99% das aplicações, sem a necessidade de verificação de testes. Nossos produtos apresentam alta consistência em qualidade, preços razoáveis, amplo estoque, fornecimento flexível, prazos de entrega curtos e serviço pós-venda profissional.
Descrição geral
O 2SK3019 é um MOSFET compacto de aprimoramento de canal N projetado para aplicações de comutação e controle de baixa potência. Envolvido em um pequeno pacote SOT-523, este MOSFET oferece desempenho confiável em projetos com espaço limitado, tornando-o ideal para eletrônicos portáteis e de consumo, onde a comutação eficiente é crucial.
Diferenciais
● Baixa resistência
● Velocidade de comutação rápida
● O acionamento de baixa tensão torna este dispositivo ideal para equipamentos portáteis
● Circuitos de acionamento facilmente projetados
● Fácil de colocar em paralelo
Aplicações
● Comutação de baixa potência: Ideal para tarefas de comutação de baixa potência em dispositivos eletrônicos compactos e produtos de consumo.
● Processamento de Sinais: Adequado para aplicações de processamento de sinais que exigem controle preciso e operação eficiente.
● Eletrônicos Portáteis: Perfeito para eletrônicos portáteis onde o tamanho e a eficiência energética são críticos.
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Suporte
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Longevidade
O Programa de Longevidade visa fornecer aos nossos clientes informações periódicas sobre o prazo previsto para a disponibilidade dos nossos produtos. O Programa de Longevidade é revisto e atualizado regularmente pela nossa Equipa de Gestão Executiva. Consulte o nosso Programa de Longevidade aqui.
SL30N50P
Brand: slkor， Package： TO-3P VDSS(V)： 500V Id(A)： 20A RDSON(Ω)： 180mΩ@10V P/N： N-Channel
SL3420
Brand: slkor， Package： SOT-23 Id(A)： 6A P/N： N-Channel VDSS(V)： 20V
2SK3018 MOSFET de potência de canal N SOT-23
Brand: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 30V Id(A)： 100mA RDSON(Ω)： 7.5mΩ@10V,400mA VTH： 2V@100uA P/N： N-Channel
2SK3018W MOSFET de potência de canal N SOT-323
Brand: slkor， Package： SOT-323 VDSS(V)： 30V Id(A)： 300mA RDSON(Ω)： 8Ω@10V,3A VTH： 1.5V@250μA P/N： N-Channel
2SK3019 MOSFET de aprimoramento de canal N SOT-523
Brand: slkor， Package： SOT-523 VDSS(V)： 30V Id(A)： 0.1A RDSON(Ω)： 8Ω@4V,10A VTH： 0.8V@100μA P/N： N-Channel
FDN302P MOSFET SOT-23 de aprimoramento de canal P
Brand: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -20V Id(A)： -2.4A RDSON(Ω)： 44mΩ@-4.5V, -2.4A VTH： -1V@-250μA P/N： P-Channel
FDN304P MOSFET SOT-23 de aprimoramento de canal P
Brand: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -20V Id(A)： -2.4A RDSON(Ω)： 36mΩ@-4.5V, -2.4A VTH： -0.7V@-250μA P/N： P-Channel
FDN306P MOSFET SOT-23 de aprimoramento de canal P
Brand: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -12V Id(A)： -2.6A RDSON(Ω)： 30mΩ@-4.5V, -2.6A VTH： -0.7V@-250μA P/N： P-Channel
FDN327N MOSFET de potência de canal N SOT-23
Brand: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2A RDSON(Ω)： 40mΩ@4.5V,2.0A VTH： 0.7V@250uA P/N： N-Channel
FDN336P Canal P MOSFET SOT-23
Brand: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -20V Id(A)： -1.3A RDSON(Ω)： 105mΩ@-4.5V,-1.3A VTH： -0.7V@-250uA P/N： P-Channel
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR's product lines include discrete devices, etc., diodes, transistors, power devices; and integrated circuit chips, etc., linear regulators, DC/ DC chips, interface chips, Hall sensors, ADCs, and BMS... We have years of accumulated technology on dedicated semiconductor.
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