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Produits
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Transistors à effet de champ en oxyde métallique-silicium 2SK3019
● Son fonctionnement à basse tension rend cet appareil idéal pour les équipements portables.
● Circuits de commande faciles à concevoir
● Facile à mettre en parallèle
Nos avantages
Les processus de fabrication chinois ont subi des années d’itération, aboutissant à des technologies matures et fiables. De nombreuses entreprises internationales optent pour l’externalisation de leur production en Chine. En tant que fabricant de composants électroniques en Chine, nos produits peuvent remplacer entièrement ceux des grandes marques internationales dans 99 % des applications sans avoir besoin de tests de vérification. Nos produits offrent une qualité élevée, des prix raisonnables, un inventaire important, un approvisionnement flexible, des délais de livraison courts et un service après-vente professionnel.
Description générale
Le 2SK3019 est un MOSFET compact à amélioration de canal N conçu pour les applications de commutation et de contrôle à faible consommation. Enfermé dans un petit boîtier SOT-523, ce MOSFET offre des performances fiables dans les conceptions à espace limité, ce qui le rend idéal pour l'électronique portable et grand public où une commutation efficace est cruciale.
Fonctionnalité
● Faible résistance à l'état passant
● Vitesse de commutation rapide
● Le variateur basse tension rend cet appareil idéal pour les équipements portables
● Circuits de commande faciles à concevoir
● Facile à mettre en parallèle
Applications
● Commutation basse consommation : idéal pour les tâches de commutation basse consommation dans les appareils électroniques compacts et les produits grand public.
● Traitement du signal : convient aux applications de traitement du signal nécessitant un contrôle précis et un fonctionnement efficace.
● Électronique portable : parfait pour les appareils électroniques portables où la taille et l'efficacité énergétique sont essentielles.
Nom
Titre
Description
Fiche technique
Support
Assistance
Si vous avez besoin d'assistance technique ou en matière de conception, veuillez nous le faire savoir et remplir le formulaire de réponse. Nous vous répondrons dans les plus brefs délais.
Longévité
Le Programme de Longévité vise à informer régulièrement nos clients sur la durée de disponibilité de nos produits. Ce programme est régulièrement revu et mis à jour par notre direction. Consultez notre Programme de Longévité ici.
SL30N50P
Marque: slkor， Package： TO-3P VDSS(V)： 500V Id(A)： 20A RDSON(Ω)： 180mΩ@10V P/N： N-Channel
SL3420
Marque: slkor， Package： SOT-23 Id(A)： 6A P/N： N-Channel VDSS(V)： 20V
IRF9317TR MOSFET d'amélioration du canal P SOP-8
Marque: slkor， Package： SOP-8 VDSS(V)： -30V Id(A)： -15A RDSON(Ω)： 8mΩ@-10V, -10A VTH： -1.6V@250μA P/N： P-Channel
IRLML6401 MOSFET de puissance canal P SOT-23
Marque: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 30V Id(A)： 1μA RDSON(Ω)： 70mΩ@4.5V VTH： 10V P/N： P-Channel
IRLML6402 MOSFET de puissance canal P SOT-23
Marque: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -20V Id(A)： -3.7A RDSON(Ω)： 0.05Ω@-4.5V, -3.7A VTH： -0.55V P/N： P-Channel
MOSFET SOT-2 d'amélioration de canal N 3019SK523
Marque: slkor， Package： SOT-523 VDSS(V)： 30V Id(A)： 0.1A RDSON(Ω)： 8Ω@4V,10A VTH： 0.8V@100μA P/N： N-Channel
MOSFET SOT-20 d'amélioration du canal N BSN23
Marque: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 50V Id(A)： 3A RDSON(Ω)： 3Ω@4.5V VTH： 1.5V@250μA P/N： N-Channel
MOSFET SOT-205 d'amélioration du canal N BSS23N
Marque: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2.5A RDSON(Ω)： 40mΩ@4.5V,2.5A VTH： 0.7V@11μA P/N： N-Channel
MOSFET SOT-2301 d'amélioration de canal P SL23D
Marque: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -20V Id(A)： -2.3A RDSON(Ω)： 95mΩ@-4.5V,-2.5A VTH： -0.62V@-250μA P/N： P-Channel
MOSFET SOT-2302 d'amélioration du canal N SL23D
Marque: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： -2.5A RDSON(Ω)： 50mΩ@4.5V,2.5A VTH： 0.7V@250μA P/N： N-Channel
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Les gammes de produits de SLKOR incluent des dispositifs discrets, etc., diodes, transistors, dispositifs de puissance ; et des puces de circuits intégrés, etc., régulateurs linéaires, puces DC/DC, puces d'interface, capteurs à effet Hall, CAN et BMS... Nous avons des années de technologie accumulée sur les semi-conducteurs dédiés.
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