La diode 1SS181 est une diode de commutation rapide en boîtier SOT-23 (référence A3). Elle supporte une tension inverse de 80 V CC et un courant direct continu de 300 mA. Elle offre une faible chute de tension directe et un temps de recouvrement inverse très court, ce qui la rend idéale pour la commutation de signaux à haute vitesse et les applications de redressement à faible courant. Ce document, basé sur la fiche technique du composant, présente ses principaux paramètres, caractéristiques, domaines d'application et recommandations de conception afin de faciliter le choix des composants et la conception des circuits.

1. Paramètres de base du produit

Affectation des broches : broche 1 – cathode, broche 2 – cathode, broche 3 – anode. Tous les paramètres électriques sont testés à une température ambiante de référence de 25 °C.

1.1 Notes maximales absolues

- Tension inverse de crête non répétitive : 85 V - Tension de blocage CC : 80 V - Courant direct continu : 300 mA - Courant de sortie redressé moyen : 100 mA - Dissipation de puissance : 150 mW - Température de jonction : 125 °C - Plage de température de stockage : -55 °C à 125 °C

1.2 Caractéristiques électriques (température ambiante 25℃)

- Tension de claquage inverse minimale : 80 V (condition de test : courant inverse de 100 µA) - Tension directe : valeur typique de 0.61 V à un courant direct de 1 mA ; valeur typique de 0.74 V à un courant direct de 10 mA ; valeur typique de 0.92 V et valeur maximale de 1.2 V à un courant direct de 100 mA - Courant de fuite inverse : maximum de 0.1 µA sous une tension inverse de 30 V ; maximum de 0.5 µA sous une tension inverse de 80 V - Capacité totale des bornes : valeur typique de 2.2 pF, valeur maximale de 4.0 pF (condition de test : tension inverse de 0 V, fréquence de 1 MHz) - Temps de recouvrement inverse : valeur typique de 1.6 ns, valeur maximale de 4.0 ns (condition de test : courant direct et courant inverse égaux à 10 mA)

1.3 Informations relatives à l'emballage et au marquage

- Type de boîtier : SOT-23 - Code de marquage du composant : A3 - Affectation des broches : Broche 1 : Cathode, Broche 2 : Cathode, Broche 3 : Anode

2. Principales caractéristiques du produit

1. Boîtier compact SOT-23 pour montage en surface, compatible avec le soudage par refusion automatique et permettant un gain d'espace sur le circuit imprimé.
2. Faible chute de tension directe dans diverses conditions de fonctionnement en courant direct, ce qui réduit les pertes de puissance par conduction.
3. Temps de récupération inverse court, avec une valeur typique de 1.6 ns, offrant d'excellentes performances de commutation à haute vitesse pour des conditions de fonctionnement à haute fréquence.
4. Un faible courant de fuite inverse réduit la consommation d'énergie statique et convient aux circuits de traitement du signal.
5. La plage de températures de fonctionnement s'étend de -55℃ à 125℃, compatible avec la plupart des environnements thermiques des produits électroniques grand public.

3 Principaux domaines d'application

1. Circuits de commutation de signaux haute fréquence pour l'isolation unidirectionnelle et le plafonnement des signaux.
2. Circuits de redressement à faible courant pour le redressement de boucle de signal à faible puissance.
3. Circuits de protection contre les décharges électrostatiques et les surtensions sur les ports d'E/S et les bornes d'entrée de signal.
4. Équipements électroniques grand public, notamment les télécommandes, les appareils portables et les boucles de traitement du signal internes des petits appareils électroménagers.
5. Circuits analogiques haute fréquence pour la détection de signaux haute fréquence et le traitement de limitation d'amplitude.

4. Suggestions pour la conception technique

1. Gestion de l'alimentation et de la température. La dissipation de puissance maximale est de 150 mW. La consommation électrique réelle en fonctionnement ne doit pas dépasser la valeur nominale. Une réduction de puissance est nécessaire lorsque la température ambiante augmente afin d'éviter que la température de jonction ne dépasse la limite supérieure de 125 °C.
2. Marge de sécurité pour la tension et le courant. La tension inverse de fonctionnement réelle ne doit pas approcher la limite de tension de blocage de 80 V CC. Ne pas appliquer de tension inverse supérieure à 85 V (valeur de crête non répétitive). Éviter un fonctionnement prolongé à une limite de courant direct continu de 300 mA et maintenir le courant de sortie redressé moyen en dessous de 100 mA.
3. Application de commutation à haute vitesse. Cette diode présente un bon temps de recouvrement inverse. Pour les circuits haute fréquence, il convient de tenir compte de l'effet de couplage haute fréquence induit par la capacité des bornes.
4. Influence du courant de fuite inverse. Dans les circuits à haute impédance et à faible signal, le courant de fuite inverse peut induire un décalage du signal. Évaluer l'impact d'un courant de fuite compris entre 0.1 µA et 0.5 µA sur la précision du signal lors de la conception.
5. Identification des broches : les broches 1 et 2 sont des cathodes, tandis que la broche 3 est une anode. Vérifiez la définition des broches lors de la conception et de l’assemblage du circuit imprimé afin d’éviter toute défaillance due à une inversion de polarité.
6. Dérive des paramètres sous l'effet des variations de température. La tension directe et le courant de fuite inverse varient avec la température ambiante. Le courant de fuite inverse augmente significativement à haute température. Il est essentiel de prendre en compte les variations de performances dues à la dérive des paramètres liée à la température lors de la conception du système.

5. Informations sur le produit

La diode 1SS181 est une diode de commutation rapide en boîtier SOT-23, supportant une tension de 80 V et un courant direct continu de 300 mA. Elle se caractérise par une faible chute de tension directe et un temps de recouvrement inverse de l'ordre de la nanoseconde. Elle convient aux applications de commutation de signaux haute fréquence, de redressement à faible courant, de limitation de signal et de protection. Les concepteurs de circuits intégrés doivent veiller à la consommation électrique réelle, à la tension et au courant de fonctionnement avec une marge de sécurité suffisante, et s'assurer de la polarité des broches afin d'éviter toute inversion de polarité. Dans les limites de ses valeurs limites maximales, ce composant assure de manière fiable des fonctions telles que l'isolation et la détection de signaux, le redressement à faible courant et la protection des ports.

À propos de Slkor :

Slkor possède des bureaux de recherche et développement à Busan, en Corée du Sud, à Pékin, en Chine, et à Suzhou, en Chine. La plupart des opérations de fabrication, de conditionnement et de test des plaquettes sont effectuées en Chine. L'entreprise emploie et collabore avec des particuliers et des organisations du monde entier, avec un laboratoire de test des performances et de la fiabilité des produits et un entrepôt central situé à son siège social à Shenzhen. Slkor a déposé plus d'une centaine de brevets d'invention, propose plus de 2,000 XNUMX modèles de produits et sert plus de dix mille clients dans le monde. Ses produits sont exportés vers des pays et des régions tels que l'Europe, les Amériques, l'Asie du Sud-Est et le Moyen-Orient, ce qui en fait l'une des sociétés de semi-conducteurs à la croissance la plus rapide ces dernières années. Grâce à des systèmes de gestion bien établis et à des flux de travail rationalisés, Slkor a rapidement amélioré la notoriété de sa marque et la réputation de ses produits.SLKOR" par sa qualité exceptionnelle et ses services standardisés. Sa gamme de produits comprend trois grandes séries : diodes, transistors et dispositifs de puissance, avec l'introduction récente de nouveaux produits tels que des éléments Hall et des dispositifs analogiques, élargissant sa présence dans les capteurs, les microcontrôleurs Risc-v et d'autres catégories de produits.

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