O 1SS181 é um diodo de comutação de alta velocidade em encapsulamento SOT-23 com código de marcação A3. Apresenta tensão reversa suportável de 80 V CC e corrente direta contínua de 300 mA. Oferece baixa queda de tensão direta e tempo de recuperação reversa muito curto, sendo adequado para comutação de sinais de alta velocidade e aplicações de retificação de baixa corrente. Com base na folha de dados do componente, este documento apresenta os principais parâmetros, características, campos de aplicação e diretrizes de projeto de engenharia para fornecer referência na seleção de componentes de hardware e no projeto de circuitos.

1. Parâmetros Essenciais do Produto

Atribuição dos pinos: Pino 1 - Cátodo, Pino 2 - Cátodo, Pino 3 - Ânodo. Todos os parâmetros elétricos foram testados sob temperatura ambiente de referência de 25 °C.

1.1 Classificações Máximas Absolutas

- Tensão reversa de pico não repetitiva: 85V - Tensão de bloqueio CC: 80V - Corrente direta contínua: 300mA - Corrente média de saída retificada: 100mA - Dissipação de potência: 150mW - Temperatura de junção: 125℃ - Faixa de temperatura de armazenamento: -55℃ ~ 125℃

1.2 Características elétricas (Temperatura ambiente 25℃)

- Tensão mínima de ruptura reversa: 80 V, condição de teste com corrente reversa de 100 μA - Tensão direta: valor típico de 0.61 V com corrente direta de 1 mA; valor típico de 0.74 V com corrente direta de 10 mA; valor típico de 0.92 V e máximo de 1.2 V com corrente direta de 100 mA - Corrente de fuga reversa: máximo de 0.1 μA com tensão reversa de 30 V; máximo de 0.5 μA com tensão reversa de 80 V - Capacitância total dos terminais: valor típico de 2.2 pF, máximo de 4.0 pF, condição de teste com tensão reversa de 0 V e frequência de 1 MHz - Tempo de recuperação reversa: valor típico de 1.6 ns, máximo de 4.0 ns, condição de teste com corrente direta e reversa iguais a 10 mA

1.3 Informações sobre embalagem e marcação

- Tipo de encapsulamento: SOT-23 - Código de marcação do dispositivo: A3 - Atribuição dos pinos: Pino 1 Cátodo, Pino 2 Cátodo, Pino 3 Ânodo

2. Principais características do produto

1. Pacote compacto SOT-23 para montagem em superfície, compatível com soldagem por refluxo automática e que economiza espaço no layout da placa de circuito impresso.
2. Baixa queda de tensão direta sob diversas condições de operação com corrente direta, o que reduz a perda de potência por condução.
3. Tempo de recuperação reversa curto, com valor típico de 1.6 ns, proporcionando excelente desempenho de comutação em alta velocidade para condições de operação de alta frequência.
4. A baixa corrente de fuga reversa reduz o consumo de energia estática e é adequada para circuitos de processamento de sinal.
5. A faixa de temperatura de operação varia de -55℃ a 125℃, compatível com a maioria dos ambientes térmicos para produtos eletrônicos de consumo.

3. Principais campos de aplicação

1. Circuitos de comutação de sinal de alta frequência para isolamento unidirecional de sinal e limitação de sinal.
2. Circuitos retificadores de baixa corrente para retificação de sinal em malha fechada com baixo consumo de energia.
3. Circuitos de proteção contra ESD e surtos em portas de E/S e terminais de entrada de sinal.
4. Equipamentos eletrônicos de consumo, incluindo controles remotos, dispositivos portáteis e circuitos internos de processamento de sinal de pequenos eletrodomésticos.
5. Circuitos analógicos de alta frequência para detecção de sinais de alta frequência e processamento com limitação de amplitude.

4. Sugestões para Projeto de Engenharia

1. Gerenciamento de energia e temperatura. A dissipação máxima de energia é de 150 mW. O consumo real de energia durante a operação do sistema não deve exceder o valor nominal. É necessário reduzir a potência quando a temperatura ambiente aumenta para evitar que a temperatura de junção exceda o limite superior de 125 °C.
2. Margem de segurança para tensão e corrente. A tensão reversa real de operação não deve se aproximar do limite de tensão de bloqueio CC de 80 V. Não aplique tensão reversa superior a 85 V de pico não repetitivo. Deve-se evitar a operação prolongada com limite de corrente direta contínua de 300 mA, e a corrente média de saída retificada deve ser mantida em até 100 mA.
3. Aplicação de comutação de alta velocidade. Este diodo apresenta bom desempenho de tempo de recuperação reversa. Para circuitos de alta frequência, atente-se ao efeito de acoplamento de alta frequência causado pela capacitância terminal.
4. Influência da corrente de fuga reversa. Em circuitos de pequenos sinais de alta impedância, a corrente de fuga reversa pode causar deslocamento do sinal. Avalie o impacto da corrente de fuga, variando de 0.1 μA a 0.5 μA, na precisão do sinal durante a fase de projeto.
5. Identificação dos pinos. Os pinos 1 e 2 são cátodos, enquanto o pino 3 é o ânodo. Verifique a definição dos pinos durante o projeto e a montagem da placa de circuito impresso para evitar falhas no dispositivo causadas pela inversão de polaridade.
6. Deriva de parâmetros sob variação de temperatura. A tensão direta e a corrente de fuga reversa variam com a temperatura ambiente. A corrente de fuga reversa aumenta significativamente em altas temperaturas. Considere a variação de desempenho causada pela deriva de parâmetros relacionada à temperatura no projeto do sistema.

5. sumario de produtos

O 1SS181 é um diodo de comutação de alta velocidade encapsulado em SOT-23, com tensão suportável de 80V e corrente direta contínua de 300mA. Apresenta baixa queda de tensão direta e tempo de recuperação reversa na ordem de nanossegundos. É adequado para comutação de sinais de alta frequência, retificação de baixa corrente, limitação de sinal e circuitos de proteção. Os projetistas de hardware devem controlar o consumo de energia real, a tensão e a corrente de operação com margem de segurança suficiente e verificar a polaridade dos pinos para evitar inversão de polaridade. Dentro das especificações máximas absolutas, o dispositivo pode realizar com confiabilidade funções como isolamento de sinal, detecção de sinal, retificação de baixa corrente e proteção de porta.

Sobre Slkor:

A Slkor tem escritórios de pesquisa e desenvolvimento em Busan, Coreia do Sul, Pequim, China e Suzhou, China. A maior parte da fabricação, embalagem e testes de wafers são realizados na China. A empresa emprega e colabora com indivíduos e organizações em todo o mundo, com um laboratório para testes de desempenho e confiabilidade de produtos e um depósito central localizado em sua sede em Shenzhen. A Slkor entrou com mais de cem patentes de invenção, oferece mais de 2,000 modelos de produtos e atende a mais de dez mil clientes globalmente. Seus produtos são exportados para países e regiões, incluindo Europa, Américas, Sudeste Asiático e Oriente Médio, tornando-a uma das empresas de semicondutores de rápido crescimento nos últimos anos. Com sistemas de gerenciamento bem estabelecidos e fluxos de trabalho simplificados, a Slkor aumentou rapidamente o reconhecimento da marca e a reputação de seus "SLKOR"marca através de sua excelente qualidade e serviços padronizados. Sua gama de produtos inclui três séries principais: diodos, transistores e dispositivos de potência, com lançamentos recentes de novos produtos, como elementos Hall e dispositivos analógicos, expandindo sua presença em sensores, microcontroladores Risc-v e outras categorias de produtos.

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