Nos avantages
- Courant de collecteur continu élevé jusqu'à 3 A pour la commande de charges lourdes
- Excellent gain en courant continu pour une commande de haute sensibilité
- La tension de saturation ultra-basse réduit les pertes de puissance et la chaleur.
- Boîtier SOT-89 avec de bonnes performances thermiques
- Complémentaire au 2SB1412 pour la conception de circuits push-pull
- Performances électriques stables sur une large plage de températures
- Conditionnement en bande et bobine pour l'assemblage SMT automatisé
Description
Le 2SD2150-R est un transistor NPN en silicium à courant élevé, encapsulé en boîtier CMS SOT-89. Il présente d'excellentes caractéristiques de gain en courant et une faible tension de saturation, et est optimisé pour la commutation à courant élevé, la puissance et l'amplification. La version R offre un gain en courant (hFE) de 180 à 390 pour des performances stables et fiables.
Fonctionnalités
- transistor NPN à courant élevé
- Boîtier de montage en surface SOT-89
- Excellentes caractéristiques de gain en courant continu
- tension de saturation collecteur-émetteur faible
- Complémentaire au 2SB1412
- grade hFE R : 180–390
- VCBO = 40 V, VCEO = 20 V, VEBO = 6 V
- Courant de collecteur continu : IC = 3 A
- Dissipation de puissance : PC = 500 mW
- Fréquence de transition : fT = 290 MHz (typ.)
- Température de jonction/stockage : −55℃ à +150℃
Applications
- Circuits de commande à courant élevé
- Systèmes de contrôle et d'entraînement de moteurs
- Convertisseurs CC-CC et gestion de l'alimentation
- étages d'amplification audio
- modules de commande d'éclairage LED
- Equipement de contrôle industriel
- Circuits de commutation de moyenne puissance
- Dispositifs d'alimentation par batterie