רוצה להחליף את STM32 ב-GD32? יש לדעת את הפרטים הללו

GD32 הוא מיקרו מחשב עם שבב יחיד שפותח בסין. אומרים שהמפתח הוא מחברת ST, וגם GD32 מיוצר עם STM32 כתבנית. לכן, GD32 ו- STM32 זהים במקומות רבים. עם זאת, GD32 הוא מוצר אחר אחרי הכל, ואי אפשר לעקוב אחר STM32 לכל דבר. חלק מהמוצרים בפיתוח עצמי עדיין שונים. לא נדבר על אותם מקומות. הנה המקומות השונים.

1. Core

GD32 מאמץ את ליבת ה-M3 מהדור השני, בעוד STM32 מאמץ בעיקר את ליבת ה-M3 מהדור הראשון. האיור הבא מציג את שגיאת ליבת ה-M3 של ARM, והקרנל המשמש את GD הוא BUG אחד בלבד, 752419.

2. תדר בסיסי

שימוש ב-HSE (High Speed External Clock): התדר המקסימלי של GD32 הוא 108M, והתדר המרבי של STM32 הוא 72M. השתמש ב-HSI (High Speed Internal Clock): התדר המקסימלי של GD32 הוא 108M, והתדר המקסימלי של STM32 הוא 64M. תדירות גדולה פירושה שקוד המחשב השבב היחיד יפעל מהר יותר. GD היא בחירה טובה אם אתה צריך לצחצח את המסך, לחשב את השורש הריבועי ולשלוט במנוע בפרויקט.

3. אספקת חשמל

ספק כוח חיצוני: טווח אספקת הכוח החיצוני של GD32 הוא 2.6~3.6V, ושל STM32 הוא 2 ~ 3.6V. טווח אספקת החשמל של GD צר יחסית מזה של STM32.
מתח ליבה: מתח הליבה GD32 הוא 1.2V, מתח הליבה STM32 הוא 1.8V. מתח הליבה של GD נמוך מזה של STM32, כך שצריכת החשמל של שבב GD נמוכה יותר בזמן ריצה.

4. הבדל הבזק

הפלאש של GD32 פותח באופן עצמאי, השונה מזה של STM32.
מהירות ביצוע GD Flash: תקופת ההמתנה של ביצוע התוכנית ב-GD32 Flash היא 0. מהירות ביצוע של STM32 Flash: תדר מערכת ST אינו ניגש ליחס של זמן ההמתנה של הפלאש, 0 תקופת המתנה, כאשר 0 < sysclk < 24mhz; 1 תקופת המתנה, כאשר 24mhz < sysclk ≤ 48mhz; 2 תקופת המתנה, כאשר 48MHz
זמן מחיקת הבזק: ל-GD לוקח קצת יותר זמן למחוק. הנתונים הרשמיים הם כדלקמן: "דגמי פלאש מסדרת GD32F103/101 עם 128 KB ומטה, הערך הטיפוסי של Page Erase הוא 100ms, והמדידה בפועל היא כ-60ms." הערך הטיפוסי של מחיקת דף מוצר ST המקביל הוא 20~40ms.

5. צריכת חשמל

ניתן לראות מהטבלה הבאה שצריכת החשמל התפעולית של מוצרי GD נמוכה מזו של STM32 באותו תדר ראשי, אך מצב הכיבוי, מצב המתנה ומצב שינה של GD עדיין גבוהים מזו של STM32 באותו תדר. הגדרות.

6. יציאה טורית

כאשר GD שולח נתונים ברציפות, יהיה Bit Idle בין כל שני בתים, אך STM32 לא, כפי שמוצג באיור הבא.

ליציאה הטורית של GD יש רק 1/2 מצבי סטופ ביט בעת השליחה. ל-STM32 יש ארבעה מצבי סטופ סיביות של 0.5/1/1.5/2.
לשני ההבדלים הללו בין GD ל-STM32 USART יש השפעה מועטה על התקשורת, אך זמן התקשורת של GD יהיה מעט יותר ארוך.

7. הבדל ADC

ההגדרה של עכבת הכניסה וזמן הדגימה של GD שונה מזו של ST, ועכבת הכניסה של דגימת GD עם אותה תצורה קטנה יחסית. ראה את הטבלה הבאה לפרטים. זהו הקשר בין עכבת הכניסה לתקופת הדגימה כאשר ה-ADC פועל בתדר הראשי של 72M ושעון הדגימה של 14M:

8. FSMC

רק לקיבולת הגדולה (256K ומעלה) מעל 100Pin של STM32 יש FSMC, ולכל אלה שמעל 100Pin של GD32 יש FSMC.

9. סדרת 03 הבדל בגודל RAM&FLASH

צמדי האיל והפלאש של סדרת GD103 וסדרת ST103 הם כדלקמן:

10. הבדלים בין סדרת 105-107 STM32 ו-GD

יש הרבה יותר אפשרויות של GD's 105/107 מאשר של ST. ראה את הטבלה הבאה לפרטים:

11 יכולת התנגדות להפרעות

בנקודה זו, הפקיד לא נתן את זה, והמחבר גילה את זה במקרה תוך כדי הפרויקט.
במקור, נעשה שימוש בפרויקט STM32F103C8T6, ולאחר מכן הוחלף ב-GDF103C8T6. הסיכות של שני השבבים עקביות לחלוטין. מחשב המיקרו-שבב היחיד משתמש בשני פינים סמוכים בתור פיני השעון ופיני פלט הנתונים של SPI, ואז מגלה שה-SPI של STM32 יכול לתקשר כרגיל, אבל זה של GD לא. לאחר בדיקה, נמצא כי ישנם שני חוטי נחושת IIC העוברים בחלק האחורי של חוט הנחושת של SPI של לוח PCB, והאות אמור להיות מושפע.

בהסתכלות על רמת הסיכה עם אוסילוסקופ, נמצא שצורות הגל של פיני הנתונים של STM32 ו-GD הן חריגות, אבל צורות הגל של STM32 טובות בהרבה. למרות שצורות הגל קצת יותר גרועות, תקשורת SPI עדיין תקינה. ו-GD לא יכול לתקשר כרגיל.
לאחר מכן, המחבר האט את קצב התקשורת של SPI, ומצא שסיכת הנתונים של STM32 חזרה במהירות לצורת גל רגילה, בעוד זו של GD עדיין הייתה גרועה, והיא לא חזרה לקדמותה עד שהקצב ירד לרמה נמוכה מאוד . בתחילה, יש חשד של-STM32 יש כמה מעגלים לסינון הפינים, אך ל-GD אין.

למרות שהחיווט של המעגל המשומש עצמו הוא קצת לא סביר, באותה סביבה קשה, STM32 עדיין מבטיח את התקשורת הרגילה, אבל GD לא יכול, מה שמראה שהיכולת נגד הפרעות של GD נחותה מ-STM32 במידה מסוימת.