Pemanasan aruhan frekuensi tinggi menggunakan prinsip aruhan elektromagnet untuk memanaskan bahan kerja, dan pengagihan ketumpatan kuasanya dalam bahan kerja yang dipanaskan boleh didapati dengan mudah melalui pemilihan frekuensi dan reka bentuk gegelung aruhan yang munasabah. Disebabkan oleh sekatan elemen pensuisan elektronik, bekalan kuasa pemanasan induksi frekuensi tinggi sentiasa menggunakan struktur ayunan tiub elektron, yang bukan sahaja tidak cekap, besar, mahal, tetapi juga berbahaya kepada voltan tinggi.

Dengan pembangunan peranti elektronik kuasa, MOSFET, IGBT, SiC dan peranti pensuisan baharu yang lain muncul satu demi satu, yang menyediakan asas komponen untuk pengecilan dan kecekapan tinggi bekalan kuasa pemanasan aruhan frekuensi tinggi. SiC MOSFET ialah peranti semikonduktor yang paling menjanjikan bagi bekalan kuasa pemanasan aruhan frekuensi tinggi kerana frekuensi operasinya yang tinggi, pengaliran rendah dan kehilangan pensuisan yang rendah.

Rajah 1: Gambar rajah blok prinsip bekalan kuasa pemanasan aruhan frekuensi tinggi

Rajah 1 menunjukkan gambarajah blok prinsip bekalan kuasa pemanasan aruhan frekuensi tinggi, di mana frekuensi pensuisan modul kuasa yang digunakan dalam litar penyongsang kuasa menentukan kecekapan dan isipadu keseluruhan mesin. Untuk meningkatkan kecekapan dan mengurangkan jumlah bekalan kuasa sebanyak mungkin, adalah perlu untuk menjadikan peranti kuasa beroperasi pada frekuensi pensuisan yang lebih tinggi, sambil mengurangkan kehilangan pengaliran dan pensuisan.

MOSFET SiC baharu yang diperkenalkan oleh Syarikat CREE mempunyai kelebihan frekuensi operasi yang tinggi, kehilangan pengaliran rendah, dan lain-lain. Ia sangat sesuai untuk aplikasi dalam peralatan pemanasan aruhan, yang boleh meningkatkan frekuensi pensuisan, mengurangkan jumlah reaktor dan kapasitor peranti penapis , dan meningkatkan kecekapan keseluruhan mesin. Bantu pengeluar peralatan pemanasan aruhan yang berkesan untuk melancarkan generasi baharu produk frekuensi tinggi, kecekapan tinggi dan volum kecil.

Rajah 2: Pembangunan acuan MOSFET Creesic

Rajah 2 menunjukkan bahawa CREE sentiasa berinovasi dalam bidang SiC. Setakat ini, generasi ketiga cetakan SiC MOSFET telah diperkenalkan. Berbanding dengan generasi pertama die, luas generasi terbaru SiC MOSFET die telah dikurangkan kepada 42%, sekali gus mengurangkan impedans pengaliran dan kehilangan pengaliran.

Rajah 3: perbandingan kecekapan SiC MOS dan Si MOS di bawah keadaan yang sama

Rajah 3 menunjukkan perbandingan kecekapan prototaip yang diuji dengan menggunakan SiC MOS dan Si MOS di bawah keadaan ujian yang sama. Ia boleh dilihat daripada carta bahawa dengan peningkatan berterusan kuasa, menggunakan SiC MOS boleh meningkatkan kecekapan peralatan dengan ketara dan mengurangkan kehilangan produk.

Penafian: Artikel ini diterbitkan semula daripada "Bahan Semikonduktor SiC Karbida Silikon". Artikel ini hanya mewakili pandangan peribadi pengarang, dan tidak mewakili pandangan Sacco Micro dan industri. Ia hanya untuk mencetak semula dan berkongsi untuk menyokong perlindungan hak harta intelek. Sila nyatakan sumber dan pengarang asal semasa mencetak semula. Jika terdapat sebarang pelanggaran, sila hubungi kami untuk memadamkannya.

Tel Syarikat: +86-0755-83044319
Faks/faks:+86-0755-83975897
E-mel: 1615456225@qq.com
SQ: 3518641314 Pengurus Li
QQ: 332496225 Pengurus Qiu
Alamat: Bilik 809, Blok C, Bangunan Teknologi Zhantao, No.1079 Minzhi Avenue, Daerah Baru Longhua, Shenzhen