يستخدم التسخين الحثي عالي التردد مبدأ الحث الكهرومغناطيسي لتسخين قطعة العمل، ويمكن الحصول على توزيع كثافة الطاقة في قطعة العمل الساخنة بسهولة من خلال اختيار التردد والتصميم المعقول للملف التعريفي. نظرًا لقيود عناصر التبديل الإلكترونية، فإن مصدر طاقة التسخين التعريفي عالي التردد يعتمد دائمًا هيكل تذبذب أنبوب الإلكترون، وهو ليس فقط غير فعال وضخم ومكلف، ولكنه أيضًا خطير على الجهد العالي.

مع تطور الأجهزة الإلكترونية القوية، تظهر أجهزة التبديل الجديدة MOSFET و IGBT و SiC وغيرها واحدة تلو الأخرى، والتي توفر الأساس للمكونات من أجل تصغير حجم وكفاءة عالية لإمدادات الطاقة للتسخين الحثي عالي التردد. يعد SiC MOSFET جهاز أشباه الموصلات الأكثر واعدًا لإمدادات الطاقة للتسخين الحثي عالي التردد نظرًا لتردد التشغيل العالي والتوصيل المنخفض وفقدان التبديل المنخفض.

الشكل 1: مخطط الكتلة الأساسي لإمدادات طاقة التسخين بالحث عالي التردد

يوضح الشكل 1 المخطط الأساسي لمصدر طاقة التسخين التعريفي عالي التردد، حيث يحدد تردد التبديل لوحدة الطاقة المستخدمة في دائرة عاكس الطاقة كفاءة وحجم الجهاز بأكمله. من أجل تحسين الكفاءة وتقليل حجم مصدر الطاقة قدر الإمكان، من الضروري جعل جهاز الطاقة يعمل بتردد تحويل أعلى، مع تقليل خسائر التوصيل والتبديل.

يتميز SiC MOSFET الجديد الذي قدمته شركة CREE بمزايا تردد التشغيل العالي وفقدان التوصيل المنخفض وما إلى ذلك. وهو مناسب جدًا للتطبيق في معدات التسخين الحثي، والذي يمكن أن يزيد من تردد التبديل، ويقلل من حجم المفاعل والمكثف لجهاز التصفية، ويزيد من كفاءة الجهاز بأكمله. مساعدة الشركات المصنعة لمعدات التسخين التعريفي الفعالة على إطلاق جيل جديد من المنتجات عالية التردد وعالية الكفاءة وصغيرة الحجم.

الشكل 2: تطوير قالب MOSFET من Creesic

يوضح الشكل 2 أن شركة CREE تُواصل الابتكار في مجال كربيد السيليكون (SiC). حتى الآن، تم طرح الجيل الثالث من قوالب موسفت كربيد السيليكون (SiC MOSFET). مقارنةً بالجيل الأول، انخفضت مساحة الجيل الأحدث من موسفت كربيد السيليكون إلى 42%، مما أدى إلى انخفاض كبير في معاوقة التوصيل وفقدان التوصيل.

الشكل 3: مقارنة كفاءة SiC MOS وSi MOS في نفس الظروف

يوضح الشكل 3 مقارنة كفاءة النموذج الأولي الذي تم اختباره باستخدام SiC MOS وSi MOS تحت نفس ظروف الاختبار. يمكن أن نرى من الرسم البياني أنه مع الزيادة المستمرة في الطاقة، فإن استخدام SiC MOS يمكن أن يحسن بشكل كبير من كفاءة المعدات ويقلل من فقدان المنتج.

إخلاء المسؤولية: هذه المقالة مستنسخة من "مواد أشباه الموصلات من كربيد السيليكون كربيد السيليكون". تمثل هذه المقالة فقط آراء المؤلف الشخصية، ولا تمثل آراء Sacco Micro والصناعة. إنه مخصص فقط لإعادة الطباعة والمشاركة لدعم حماية حقوق الملكية الفكرية. يرجى الإشارة إلى المصدر الأصلي والمؤلف عند إعادة الطبع. وفي حالة وجود أي مخالفة يرجى التواصل معنا لحذفها.

هاتف الشركة: +86-0755-83044319
فاكس/فاكس: +86-0755-83975897
بريد إلكتروني: 1615456225@qq.com
س: 3518641314 مدير لي
ف ف: 332496225 مدير تشيو
العنوان: الغرفة 809، المبنى C، مبنى Zhantao Technology، رقم 1079 شارع Minzhi، منطقة Longhua الجديدة، Shenzhen