گرمایش القایی با فرکانس بالا از اصل القای الکترومغناطیسی برای گرم کردن قطعه کار استفاده می کند و توزیع چگالی توان آن در قطعه کار گرم شده را می توان به راحتی با انتخاب فرکانس و طراحی منطقی سیم پیچ القایی به دست آورد. با توجه به محدودیت عناصر سوئیچینگ الکترونیکی، منبع تغذیه گرمایش القایی فرکانس بالا همیشه ساختار نوسان لوله الکترونی را اتخاذ کرده است که نه تنها ناکارآمد، حجیم، پرهزینه، بلکه برای ولتاژ بالا نیز خطرناک است.

با توسعه دستگاههای الکترونیک قدرت، MOSFET، IGBT، SiC و سایر دستگاههای سوئیچینگ جدید یکی پس از دیگری ظاهر میشوند که پایه و اساس اجزای لازم برای کوچکسازی و راندمان بالای منبع تغذیه گرمایش القایی فرکانس بالا را فراهم میکنند. SiC MOSFET به دلیل فرکانس کاری بالا، رسانایی کم و تلفات سوئیچینگ کم، امیدوارکننده ترین دستگاه نیمه هادی منبع تغذیه گرمایش القایی فرکانس بالا است.

شکل 1: بلوک دیاگرام اصلی منبع تغذیه گرمایش القایی فرکانس بالا

شکل 1 بلوک دیاگرام اصلی منبع تغذیه گرمایش القایی فرکانس بالا را نشان می دهد که در آن فرکانس سوئیچینگ ماژول قدرت مورد استفاده در مدار اینورتر قدرت، کارایی و حجم کل دستگاه را تعیین می کند. به منظور بهبود راندمان و کاهش هرچه بیشتر حجم منبع تغذیه، لازم است دستگاه برق با فرکانس سوئیچینگ بالاتر و در عین حال کاهش تلفات هدایت و سوئیچینگ کار کند.

ماسفت جدید SiC معرفی شده توسط شرکت CREE دارای مزایای فرکانس کاری بالا، افت رسانایی کم و ... می باشد و برای کاربرد در تجهیزات گرمایش القایی بسیار مناسب است که می تواند فرکانس سوئیچینگ، کاهش حجم راکتور و خازن دستگاه فیلتر را کاهش دهد. ، و کارایی کل دستگاه را افزایش دهید. به تولیدکنندگان تجهیزات گرمایش القایی موثر کمک کنید تا نسل جدیدی از محصولات با فرکانس بالا، راندمان بالا و با حجم کم را عرضه کنند.

شکل 2: توسعه قالب ماسفت Creesic

شکل 2 نشان می دهد که CREE به طور مداوم در زمینه SiC در حال نوآوری است. تا کنون نسل سوم قالب SiC MOSFET معرفی شده است. در مقایسه با نسل اول قالب، مساحت آخرین نسل قالب SiC MOSFET به 42 درصد کاهش یافته است، بنابراین امپدانس هدایت و افت رسانایی بسیار کاهش یافته است.

شکل 3: مقایسه کارایی SiC MOS و Si MOS در شرایط یکسان

شکل 3 مقایسه کارایی نمونه اولیه آزمایش شده با استفاده از SiC MOS و Si MOS را در شرایط آزمایش مشابه نشان می دهد. از نمودار می توان دریافت که با افزایش مداوم توان، استفاده از SiC MOS می تواند کارایی تجهیزات را به میزان قابل توجهی بهبود بخشد و هدررفت محصول را کاهش دهد.

سلب مسئولیت: این مقاله از "سیلیکون کاربید SiC مواد نیمه هادی" تکثیر شده است. این مقاله فقط دیدگاه های شخصی نویسنده را نشان می دهد و دیدگاه های Sacco Micro و صنعت را نشان نمی دهد. این فقط برای تجدید چاپ و به اشتراک گذاری برای حمایت از حمایت از حقوق مالکیت معنوی است. لطفاً هنگام چاپ مجدد منبع و نویسنده اصلی را ذکر کنید. در صورت وجود هرگونه تخلف، لطفا با ما تماس بگیرید تا آن را حذف کنیم.

تلفن شرکت: +86-0755-83044319
فکس/فکس: +86-0755-83975897
ایمیل: 1615456225@qq.com
QQ: 3518641314 مدیر لی
QQ: 332496225 مدیر کیو
آدرس: اتاق 809، بلوک C، ساختمان فناوری Zhantao، خیابان Minzhi شماره 1079، منطقه جدید Longhua، شنژن