חימום אינדוקציה בתדר גבוה משתמש בעיקרון של אינדוקציה אלקטרומגנטית כדי לחמם את חומר העבודה, וניתן להשיג בנוחות את חלוקת צפיפות הכוח שלו בחומר המחומם על ידי בחירת התדר והעיצוב הסביר של סליל האינדוקציה. בשל ההגבלה של רכיבי מיתוג אלקטרוניים, אספקת החשמל לחימום אינדוקציה בתדר גבוה אימצה תמיד את מבנה תנודת צינור האלקטרונים, שהוא לא רק לא יעיל, מגושם, יקר, אלא גם מסוכן למתח גבוה.

עם התפתחותם של התקני הספק אלקטרוניים, מופיעים בזה אחר זה MOSFET, IGBT, SiC והתקני מיתוג חדשים אחרים, המספקים את הבסיס לרכיבים למזעור ויעילות גבוהה של ספקי כוח לחימום אינדוקציה בתדר גבוה. רכיב MOSFET SiC הוא התקן המוליך למחצה המבטיח ביותר עבור ספק כוח לחימום אינדוקציה בתדר גבוה בגלל תדר הפעולה הגבוה שלו, הולכה נמוכה והפסדי מיתוג נמוכים.

איור 1: תרשים בלוקים עקרוני של אספקת חשמל לחימום אינדוקציה בתדר גבוה

איור 1 מציג את תרשים הבלוק העקרוני של אספקת חשמל לחימום אינדוקציה בתדר גבוה, שבו תדירות המיתוג של מודול החשמל המשמש במעגל מהפך החשמל קובע את היעילות והנפח של המכונה כולה. על מנת לשפר את היעילות ולהפחית ככל האפשר את נפח אספקת החשמל, יש צורך לגרום להתקן הכוח לפעול בתדר מיתוג גבוה יותר, תוך הפחתת הפסדי ההולכה והמיתוג.

ל-SiC MOSFET החדש שהוצג על ידי חברת CREE יש יתרונות של תדר פעולה גבוה, אובדן הולכה נמוך וכו'. הוא מתאים מאוד ליישום בציוד חימום אינדוקציה, שיכול להגדיל את תדר המיתוג, להפחית את נפח הכור והקבל של התקן המסנן ולהגדיל את יעילות המכונה כולה. עזור ליצרני ציוד חימום אינדוקציה יעילים להשיק דור חדש של מוצרים בתדירות גבוהה, ביעילות גבוהה ובנפח קטן.

איור 2: פיתוח שבב MOSFET של Creesic

איור 2 מראה ש-CREE מחדשת ללא הרף בתחום ה-SiC. עד כה, הוצג הדור השלישי של שבב MOSFET SiC. בהשוואה לדור הראשון של שבב MOSFET SiC, שטח שבב הדור האחרון של שבב MOSFET SiC הצטמצם ל-42%, ובכך הפחיתו מאוד את עכבת ההולכה ואת אובדן ההולכה.

איור 3: השוואה בין יעילות SiC MOS ו- Si MOS באותם תנאים

איור 3 מציג את השוואת היעילות של אב הטיפוס שנבדק באמצעות SiC MOS ו-Si MOS באותם תנאי בדיקה. ניתן לראות מהתרשים שעם עלייה מתמדת בכוח, שימוש ב-SiC MOS יכול לשפר משמעותית את יעילות הציוד ולהפחית את אובדן המוצר.

כתב ויתור: מאמר זה משוכפל מ"חומרי מוליכים למחצה סיליקון קרביד SiC". מאמר זה מייצג רק את דעותיו האישיות של המחבר, ואינו מייצג את דעותיהם של Sacco Micro והתעשייה. זה מיועד רק להדפסה מחדש ולשיתוף כדי לתמוך בהגנה על זכויות קניין רוחני. נא לציין את המקור והמחבר המקורי בעת ההדפיסה המחודשת. אם יש הפרה כלשהי, אנא צור איתנו קשר כדי למחוק אותה.

טל' חברה: +86-0755-83044319
פקס/פקס:+86-0755-83975897
דוא"ל: 1615456225@qq.com
QQ: 3518641314 מנהל לי
QQ: 332496225 מנהל Qiu
כתובת: חדר 809, בלוק C, בניין Zhantao Technology, מס' 1079 Minzhi Avenue, Longhua New District, שנזן