ہائی فریکوئنسی انڈکشن ہیٹنگ ورک پیس کو گرم کرنے کے لیے برقی مقناطیسی انڈکشن کے اصول کا استعمال کرتی ہے، اور گرم ورک پیس میں اس کی طاقت کی کثافت کی تقسیم فریکوئنسی کے انتخاب اور انڈکشن کوائل کے معقول ڈیزائن سے آسانی سے حاصل کی جاسکتی ہے۔ الیکٹرانک سوئچنگ عناصر کی پابندی کی وجہ سے، ہائی فریکوئنسی انڈکشن ہیٹنگ پاور سپلائی نے ہمیشہ الیکٹران ٹیوب کے دوغلے ڈھانچے کو اپنایا ہے، جو نہ صرف ناکارہ، بھاری، مہنگا، بلکہ ہائی وولٹیج کے لیے خطرناک بھی ہے۔

پاور الیکٹرانک ڈیوائسز کی ترقی کے ساتھ، MOSFET، IGBT، SiC اور دوسرے نئے سوئچنگ ڈیوائسز یکے بعد دیگرے نمودار ہوتے ہیں، جو ہائی فریکوئنسی انڈکشن ہیٹنگ پاور سپلائی کے چھوٹے بنانے اور اعلی کارکردگی کے لیے جزو کی بنیاد فراہم کرتے ہیں۔ SiC MOSFET ہائی فریکوئنسی انڈکشن ہیٹنگ پاور سپلائی کا سب سے امید افزا سیمی کنڈکٹر ڈیوائس ہے کیونکہ اس کی اعلی آپریٹنگ فریکوئنسی، کم ترسیل اور کم سوئچنگ نقصان ہے۔

شکل 1: ہائی فریکوئنسی انڈکشن ہیٹنگ پاور سپلائی کا پرنسپل بلاک ڈایاگرام

شکل 1 ہائی فریکوئنسی انڈکشن ہیٹنگ پاور سپلائی کا اصولی بلاک ڈایاگرام دکھاتا ہے، جس میں پاور انورٹر سرکٹ میں استعمال ہونے والے پاور ماڈیول کی سوئچنگ فریکوئنسی پوری مشین کی کارکردگی اور حجم کا تعین کرتی ہے۔ کارکردگی کو بہتر بنانے اور پاور سپلائی کے حجم کو ہر ممکن حد تک کم کرنے کے لیے، یہ ضروری ہے کہ پاور ڈیوائس کو زیادہ سوئچنگ فریکوئنسی پر کام کرے، جبکہ ترسیل اور سوئچنگ کے نقصانات کو کم کرے۔

کری کمپنی کی جانب سے متعارف کرائے گئے نئے SiC MOSFET میں ہائی آپریٹنگ فریکوئنسی، کم ترسیل نقصان وغیرہ کے فوائد ہیں۔ یہ انڈکشن ہیٹنگ آلات میں استعمال کرنے کے لیے بہت موزوں ہے، جو سوئچنگ فریکوئنسی کو بڑھا سکتا ہے، ری ایکٹر اور فلٹر ڈیوائس کے کپیسیٹر کا حجم کم کر سکتا ہے۔ ، اور پوری مشین کی کارکردگی میں اضافہ کریں۔ اعلی تعدد، اعلی کارکردگی اور چھوٹے حجم کی مصنوعات کی ایک نئی نسل شروع کرنے میں موثر انڈکشن ہیٹنگ آلات بنانے والوں کی مدد کریں۔

شکل 2: Creesic MOSFET ڈائی ڈیولپمنٹ

شکل 2 سے پتہ چلتا ہے کہ CREE SiC کے میدان میں مسلسل اختراعات کر رہا ہے۔ اب تک، SiC MOSFET die کی تیسری نسل متعارف کرائی جا چکی ہے۔ ڈائی کی پہلی نسل کے مقابلے میں، SiC MOSFET ڈائی کی تازہ ترین جنریشن کا رقبہ 42 فیصد تک کم ہو گیا ہے، اس طرح ترسیل میں رکاوٹ اور ترسیل کے نقصان کو بہت کم کر دیا گیا ہے۔

تصویر 3: ایک ہی حالات میں SiC MOS اور Si MOS کی کارکردگی کا موازنہ

تصویر 3 اسی ٹیسٹ کی شرائط کے تحت SiC MOS اور Si MOS کو استعمال کرکے جانچے گئے پروٹوٹائپ کی کارکردگی کا موازنہ دکھاتا ہے۔ یہ چارٹ سے دیکھا جا سکتا ہے کہ طاقت کے مسلسل اضافے کے ساتھ، SiC MOS کا استعمال آلات کی کارکردگی کو نمایاں طور پر بہتر بنا سکتا ہے اور مصنوعات کے نقصان کو کم کر سکتا ہے۔

اعلان دستبرداری: یہ مضمون "سلیکن کاربائیڈ SiC سیمی کنڈکٹر مواد" سے دوبارہ تیار کیا گیا ہے۔ یہ مضمون صرف مصنف کے ذاتی خیالات کی نمائندگی کرتا ہے، اور Sacco Micro اور صنعت کے خیالات کی نمائندگی نہیں کرتا ہے۔ یہ صرف دوبارہ پرنٹ کرنے اور شیئر کرنے کے لیے ہے تاکہ املاک دانش کے حقوق کے تحفظ کی حمایت کی جا سکے۔ دوبارہ پرنٹ کرتے وقت براہ کرم اصل ماخذ اور مصنف کی نشاندہی کریں۔ اگر کوئی خلاف ورزی ہوتی ہے تو اسے حذف کرنے کے لیے ہم سے رابطہ کریں۔

کمپنی کا ٹیلی فون: +86-0755-83044319
فیکس/فیکس:+86-0755-83975897
ای میل: 1615456225@qq.com
QQ: 3518641314 منیجر لی
QQ: 332496225 منیجر Qiu
پتہ: کمرہ 809، بلاک سی، ژانتاو ٹیکنالوجی بلڈنگ، نمبر 1079 منزی ایونیو، لونگہوا نیو ڈسٹرکٹ، شینزین