Hoogfrequente inductieverwarming maakt gebruik van het principe van elektromagnetische inductie om het werkstuk te verwarmen, en de verdeling van de vermogensdichtheid in het verwarmde werkstuk kan gemakkelijk worden verkregen door de selectie van de frequentie en het redelijke ontwerp van de inductiespoel. Vanwege de beperking van elektronische schakelelementen heeft de hoogfrequente inductieverwarmingsvoeding altijd de elektronenbuisoscillatiestructuur aangenomen, die niet alleen inefficiënt, omvangrijk en kostbaar is, maar ook gevaarlijk voor hoogspanning.

Met de ontwikkeling van vermogenselektronische apparaten verschijnen de ene na de andere nieuwe schakelelementen, MOSFET's, IGBT's, SiC's en andere, die de basis vormen voor de miniaturisatie en hoge efficiëntie van voedingen voor hoogfrequente inductieverwarming. SiC MOSFET is het meestbelovende halfgeleiderapparaat voor voedingen met hoogfrequente inductieverwarming vanwege de hoge werkfrequentie, lage geleiding en lage schakelverliezen.

Figuur 1: Principeblokschema van hoogfrequente inductieverwarmingsvoeding

Figuur 1 toont het principeblokschema van de hoogfrequente inductieverwarmingsvoeding, waarbij de schakelfrequentie van de voedingsmodule die wordt gebruikt in het stroominvertercircuit de efficiëntie en het volume van de hele machine bepaalt. Om de efficiëntie te verbeteren en het volume van de voeding zoveel mogelijk te verminderen, is het noodzakelijk om het voedingsapparaat op een hogere schakelfrequentie te laten werken, terwijl de geleidings- en schakelverliezen worden verminderd.

De nieuwe SiC-MOSFET die door CREE Company is geïntroduceerd, biedt de voordelen van een hoge werkfrequentie, laag geleidingsverlies, enz. Het is zeer geschikt voor toepassing in inductieverwarmingsapparatuur, waardoor de schakelfrequentie kan worden verhoogd, het volume van de reactor en condensator van het filterapparaat kan worden verkleind en de efficiëntie van de hele machine kan worden verhoogd. Help effectieve fabrikanten van inductieverwarmingsapparatuur bij het lanceren van een nieuwe generatie hoogfrequente, hoogefficiënte producten in kleine volumes.

Figuur 2: Ontwikkeling van Creesic MOSFET-chips

Figuur 2 laat zien dat CREE voortdurend innoveert op het gebied van SiC. Tot nu toe is de derde generatie SiC MOSFET-chip geïntroduceerd. Vergeleken met de eerste generatie is het oppervlak van de nieuwste generatie SiC MOSFET-chip teruggebracht tot 42%, waardoor de geleidingsimpedantie en het geleidingsverlies aanzienlijk zijn verminderd.

Fig. 3: vergelijking van SiC MOS en Si MOS-efficiëntie onder dezelfde omstandigheden

Figuur 3 toont de efficiëntievergelijking van het geteste prototype met behulp van SiC MOS en Si MOS onder dezelfde testomstandigheden. Uit de grafiek blijkt dat met de constante toename van het vermogen het gebruik van SiC MOS de efficiëntie van apparatuur aanzienlijk kan verbeteren en het productverlies kan verminderen.

Disclaimer: dit artikel is overgenomen uit "Silicon Carbide SiC Semiconductor Materials". Dit artikel vertegenwoordigt alleen de persoonlijke mening van de auteur en vertegenwoordigt niet de mening van Sacco Micro en de industrie. Het herdrukken en delen is alleen bedoeld om de bescherming van intellectuele eigendomsrechten te ondersteunen. Vermeld bij herdruk de originele bron en auteur. Als er sprake is van inbreuk, neem dan contact met ons op om deze te verwijderen.

Bedrijf Tel: +86-0755-83044319
Fax/fax:+86-0755-83975897
E-mail: 1615456225@qq.com
Vraag: 3518641314 Manager Li
Vraag: 332496225 Manager Qiu
Adres: Kamer 809, Blok C, Zhantao Technology Building, No.1079 Minzhi Avenue, Longhua New District, Shenzhen