उच्च आवृत्ति प्रेरण हीटिंग वर्कपीस को गर्म करने के लिए विद्युत चुम्बकीय प्रेरण के सिद्धांत का उपयोग करता है, और गर्म वर्कपीस में इसकी शक्ति घनत्व का वितरण आवृत्ति के चयन और प्रेरण कुंडल के उचित डिजाइन द्वारा आसानी से प्राप्त किया जा सकता है। इलेक्ट्रॉनिक स्विचिंग तत्वों के प्रतिबंध के कारण, उच्च आवृत्ति प्रेरण हीटिंग बिजली की आपूर्ति ने हमेशा इलेक्ट्रॉन ट्यूब दोलन संरचना को अपनाया है, जो न केवल अक्षम, भारी, महंगा है, बल्कि उच्च वोल्टेज के लिए भी खतरनाक है।

पावर इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के विकास के साथ, MOSFET, IGBT, SiC और अन्य नए स्विचिंग डिवाइस एक के बाद एक दिखाई देते हैं, जो उच्च आवृत्ति प्रेरण हीटिंग बिजली आपूर्ति के लघुकरण और उच्च दक्षता के लिए घटक आधार प्रदान करते हैं। SiC MOSFET अपनी उच्च परिचालन आवृत्ति, कम चालन और कम स्विचिंग हानि के कारण उच्च आवृत्ति प्रेरण हीटिंग विद्युत आपूर्ति का सबसे आशाजनक अर्धचालक उपकरण है।

चित्र 1: उच्च आवृत्ति प्रेरण हीटिंग बिजली आपूर्ति का सिद्धांत ब्लॉक आरेख

चित्र 1 उच्च आवृत्ति प्रेरण हीटिंग बिजली आपूर्ति के सिद्धांत ब्लॉक आरेख को दिखाता है, जिसमें पावर इन्वर्टर सर्किट में उपयोग किए जाने वाले पावर मॉड्यूल की स्विचिंग आवृत्ति पूरी मशीन की दक्षता और मात्रा निर्धारित करती है। दक्षता में सुधार करने और बिजली आपूर्ति की मात्रा को यथासंभव कम करने के लिए, चालन और स्विचिंग घाटे को कम करते हुए, बिजली उपकरण को उच्च स्विचिंग आवृत्ति पर संचालित करना आवश्यक है।

क्री कंपनी द्वारा पेश किए गए नए SiC MOSFET में उच्च परिचालन आवृत्ति, कम चालन हानि आदि के फायदे हैं। यह प्रेरण हीटिंग उपकरण में अनुप्रयोग के लिए बहुत उपयुक्त है, जो स्विचिंग आवृत्ति को बढ़ा सकता है, रिएक्टर की मात्रा और फिल्टर डिवाइस के संधारित्र को कम कर सकता है, और पूरे मशीन की दक्षता में वृद्धि कर सकता है। प्रभावी इंडक्शन हीटिंग उपकरण निर्माताओं को उच्च आवृत्ति, उच्च दक्षता और छोटी मात्रा वाले उत्पादों की एक नई पीढ़ी लॉन्च करने में सहायता करें।

चित्र 2: क्रीसिक MOSFET डाई विकास

चित्र 2 दर्शाता है कि CREE SiC के क्षेत्र में निरंतर नवाचार कर रहा है। अब तक, SiC MOSFET डाई की तीसरी पीढ़ी पेश की जा चुकी है। पहली पीढ़ी की डाई की तुलना में, नवीनतम पीढ़ी के SiC MOSFET डाई का क्षेत्रफल 42% तक कम कर दिया गया है, जिससे चालन प्रतिबाधा और चालन हानि में उल्लेखनीय कमी आई है।

चित्र 3: समान परिस्थितियों में SiC MOS और Si MOS दक्षता की तुलना

चित्र 3 समान परीक्षण स्थितियों के तहत SiC MOS और Si MOS का उपयोग करके परीक्षण किए गए प्रोटोटाइप की दक्षता तुलना दिखाता है। चार्ट से यह देखा जा सकता है कि बिजली की निरंतर वृद्धि के साथ, SiC MOS का उपयोग करने से उपकरण की दक्षता में काफी सुधार हो सकता है और उत्पाद हानि कम हो सकती है।

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