Nagrzewanie indukcyjne wysokiej częstotliwości wykorzystuje zasadę indukcji elektromagnetycznej do podgrzewania przedmiotu obrabianego, a rozkład jego gęstości mocy w nagrzanym przedmiocie można wygodnie uzyskać poprzez dobór częstotliwości i rozsądną konstrukcję cewki indukcyjnej. Ze względu na ograniczenia elektronicznych elementów przełączających, zasilacz nagrzewania indukcyjnego o wysokiej częstotliwości zawsze przyjmował strukturę oscylacyjną lampy elektronowej, która jest nie tylko nieefektywna, nieporęczna, kosztowna, ale także niebezpieczna dla wysokiego napięcia.

W miarę rozwoju urządzeń elektroniki mocy pojawiają się kolejne tranzystory MOSFET, IGBT, SiC i inne nowe urządzenia przełączające, które stanowią podstawę podzespołów umożliwiających miniaturyzację i wysoką sprawność układów zasilania nagrzewania indukcyjnego o wysokiej częstotliwości. Tranzystor MOSFET SiC jest najbardziej obiecującym elementem półprzewodnikowym w zasilaniu nagrzewania indukcyjnego o wysokiej częstotliwości ze względu na wysoką częstotliwość roboczą, niskie przewodnictwo i niskie straty przełączania.

Rysunek 1: Podstawowy schemat blokowy zasilacza nagrzewania indukcyjnego o wysokiej częstotliwości

Rysunek 1 przedstawia podstawowy schemat blokowy zasilacza nagrzewania indukcyjnego wysokiej częstotliwości, w którym częstotliwość przełączania modułu mocy zastosowanego w obwodzie falownika określa wydajność i objętość całej maszyny. Aby poprawić wydajność i maksymalnie zmniejszyć objętość zasilacza, należy sprawić, aby urządzenie zasilające pracowało z wyższą częstotliwością przełączania, przy jednoczesnym zmniejszeniu strat przewodzenia i przełączania.

Nowy tranzystor MOSFET SiC wprowadzony przez firmę CREE charakteryzuje się wysoką częstotliwością roboczą, niskimi stratami przewodzenia itp. Doskonale nadaje się do zastosowań w urządzeniach do nagrzewania indukcyjnego, ponieważ może zwiększyć częstotliwość przełączania, zmniejszyć objętość reaktora i kondensatora urządzenia filtrującego oraz zwiększyć wydajność całej maszyny. Pomóż skutecznym producentom urządzeń do ogrzewania indukcyjnego wprowadzić na rynek nową generację produktów o wysokiej częstotliwości, wysokiej wydajności i małych objętościach.

Rysunek 2: Rozwój matrycy MOSFET Creesic

Rysunek 2 pokazuje, że CREE stale wprowadza innowacje w dziedzinie SiC. Do tej pory wprowadzono trzecią generację tranzystorów MOSFET SiC. W porównaniu z pierwszą generacją, powierzchnia najnowszej generacji tranzystorów MOSFET SiC została zmniejszona o 42%, co znacznie zmniejsza impedancję przewodzenia i straty przewodzenia.

Rys. 3: Porównanie wydajności SiC MOS i Si MOS w tych samych warunkach

Rys. 3 przedstawia porównanie wydajności testowanego prototypu przy użyciu SiC MOS i Si MOS w tych samych warunkach testowych. Z wykresu widać, że przy stałym wzroście mocy zastosowanie SiC MOS może znacząco poprawić wydajność sprzętu i zmniejszyć straty produktu.

Zastrzeżenie: Ten artykuł jest reprodukcją z „Materiałów półprzewodnikowych z węglika krzemu SiC”. Ten artykuł przedstawia wyłącznie osobiste poglądy autora i nie reprezentuje poglądów Sacco Micro ani branży. Służy wyłącznie do ponownego drukowania i udostępniania w celu wspierania ochrony praw własności intelektualnej. Przy przedruku proszę podać oryginalne źródło i autora. Jeśli doszło do naruszenia, skontaktuj się z nami, aby je usunąć.

Tel firmy: +86-0755-83044319
Faks/faks:+86-0755-83975897
E-mail: 1615456225@qq.com
QQ: 3518641314 Menedżer Li
QQ: 332496225 Menedżer Qiu
Adres: pokój 809, blok C, budynek Zhantao Technology, nr 1079 Minzhi Avenue, Longhua New District, Shenzhen