Il riscaldamento a induzione ad alta frequenza utilizza il principio dell'induzione elettromagnetica per riscaldare il pezzo e la distribuzione della sua densità di potenza nel pezzo riscaldato può essere ottenuta convenientemente selezionando la frequenza e il design ragionevole della bobina di induzione. A causa della limitazione degli elementi di commutazione elettronici, l'alimentatore di riscaldamento a induzione ad alta frequenza ha sempre adottato la struttura di oscillazione del tubo elettronico, che non solo è inefficiente, ingombrante, costosa, ma anche pericolosa per l'alta tensione.

Con lo sviluppo dei dispositivi elettronici di potenza, MOSFET, IGBT, SiC e altri nuovi dispositivi di commutazione compaiono uno dopo l'altro, fornendo la base per la miniaturizzazione e l'elevata efficienza dell'alimentazione elettrica per il riscaldamento a induzione ad alta frequenza. Il MOSFET SiC è il dispositivo a semiconduttore più promettente per l'alimentazione di riscaldamento a induzione ad alta frequenza, grazie alla sua elevata frequenza operativa, alla bassa conduzione e alla bassa perdita di commutazione.

Figura 1: Schema a blocchi di principio dell'alimentatore per riscaldamento a induzione ad alta frequenza

La Figura 1 mostra lo schema a blocchi di principio dell'alimentatore per il riscaldamento a induzione ad alta frequenza, in cui la frequenza di commutazione del modulo di potenza utilizzato nel circuito dell'inverter determina l'efficienza e il volume dell'intera macchina. Per migliorare l'efficienza e ridurre il più possibile il volume dell'alimentazione, è necessario far funzionare il dispositivo di potenza ad una frequenza di commutazione più elevata, riducendo al contempo le perdite di conduzione e di commutazione.

Il nuovo MOSFET SiC introdotto dalla CREE Company presenta i vantaggi di un'elevata frequenza operativa, una bassa perdita di conduzione, ecc. È molto adatto all'applicazione in apparecchiature di riscaldamento a induzione, in quanto può aumentare la frequenza di commutazione, ridurre il volume del reattore e del condensatore del dispositivo di filtro e aumentare l'efficienza dell'intera macchina. Aiutare i produttori efficaci di apparecchiature per il riscaldamento a induzione a lanciare una nuova generazione di prodotti ad alta frequenza, alta efficienza e piccoli volumi.

Figura 2: Sviluppo del die MOSFET Creesic

La Figura 2 mostra la costante innovazione di CREE nel campo del SiC. Ad oggi, è stata introdotta la terza generazione di die per MOSFET SiC. Rispetto alla prima generazione, l'area del die per MOSFET SiC di ultima generazione è stata ridotta al 42%, riducendo così notevolmente l'impedenza di conduzione e le perdite di conduzione.

Fig. 3: confronto tra l'efficienza del SiC MOS e del Si MOS nelle stesse condizioni

La Fig. 3 mostra il confronto dell'efficienza del prototipo testato utilizzando SiC MOS e Si MOS nelle stesse condizioni di test. Dal grafico si può vedere che con il costante aumento della potenza, l'utilizzo di SiC MOS può migliorare significativamente l'efficienza delle apparecchiature e ridurre la perdita di prodotto.

Dichiarazione di non responsabilità: questo articolo è riprodotto da "Materiali semiconduttori SiC al carburo di silicio". Questo articolo rappresenta solo il punto di vista personale dell'autore e non rappresenta il punto di vista di Sacco Micro e dell'industria. È destinato esclusivamente alla ristampa e alla condivisione per sostenere la protezione dei diritti di proprietà intellettuale. Si prega di indicare la fonte originale e l'autore in caso di ristampa. In caso di violazione, contattaci per eliminarla.

Tel. azienda: +86-0755-83044319
Fax/fax:+86-0755-83975897
E-mail: 1615456225@qq.com
QQ: 3518641314 Responsabile Li
QQ: 332496225 Responsabile Qiu
Indirizzo: Sala 809, Blocco C, Zhantao Technology Building, No.1079 Minzhi Avenue, Longhua New District, Shenzhen