SLkor SL2301S P-Channel Power MOSFET: ทนแรงดัน 20V, กระแส 2.4A, ทรานซิสเตอร์สนามแม่เหล็กแบบสวิตช์กำลัง SOT-23

SL2301S เป็น MOSFET กำลังสูงแบบ P-channel ในแพ็คเกจ SOT-23 ที่พัฒนาโดย Slkor มีคุณสมบัติเด่นคือ ทนแรงดันตกคร่อมระหว่างขั้วเดรนและซอร์สได้ 20 V และกระแสเดรนต่อเนื่อง 2.4 A พร้อมความต้านทานขณะเปิดต่ำ อุปกรณ์แบบติดตั้งบนพื้นผิวที่ปราศจากตะกั่วนี้เหมาะสำหรับการจัดการพลังงาน การสลับโหลด การควบคุม PWM และวงจรอื่นๆ เอกสารนี้จะอธิบายพารามิเตอร์ คุณสมบัติ การใช้งาน และข้อเสนอแนะที่เกี่ยวข้องสำหรับการใช้งานทางวิศวกรรม

1. พารามิเตอร์หลักของผลิตภัณฑ์

1.1 ระดับการใช้งานสูงสุด (TA = 25 ℃)

1. แรงดันพังทลายระหว่างขั้วเดรนและซอร์ส: -20 V
2. แรงดันเกต-ซอร์ส: +8 V
3. กระแสไฟไหลออกต่อเนื่อง: -2.4 A
4. กระแสไฟขาออกแบบพัลส์: -10 A
5. กำลังไฟฟ้ารวมที่อุปกรณ์ใช้: 900 มิลลิวัตต์
6. อุณหภูมิสูงสุดของจุดเชื่อมต่อ: 150 ℃
7. ช่วงอุณหภูมิในการจัดเก็บ: -55 ℃ ถึง +150 ℃

1.2 คุณลักษณะทางไฟฟ้า (TA = 25 ℃, ความกว้างพัลส์ ≤300 μs; รอบการทำงาน ≤2.0%)

1. แรงดันพังทลายระหว่างขั้วเดรนและซอร์ส: -20 V
2. ช่วงแรงดันเกณฑ์ของเกต: -0.4 V ถึง -1.5 V
3. แรงดันตกคร่อมไดโอดตัวถังสูงสุด: -1.5 V
4. กระแสเดรนที่แรงดันเกตเป็นศูนย์: -10 μA ~ -1 μA (ทดสอบที่อุณหภูมิห้อง = 55 ℃)
5. กระแสรั่วไหลสูงสุดของตัวถังเกต: +100 นาโนแอมป์
6. ความต้านทานสูงสุดขณะเปิดวงจรที่ VGS=-4.5 V: 140 mΩ
7. ความต้านทานสูงสุดขณะเปิดวงจรที่ VGS=-2.5 V: 200 mΩ
8. ค่าความจุอินพุตโดยทั่วไป: 600 pF
9. ค่าความจุเอาต์พุตโดยทั่วไป: 120 pF
10. เวลาเปิดใช้งานโดยทั่วไป: 8 นาโนวินาที
11. เวลาปิดระบบโดยทั่วไป: 60 นาโนวินาที

แพ็คเกจ 1.3

ประเภทบรรจุภัณฑ์: บรรจุภัณฑ์แบบติดตั้งบนพื้นผิว SOT-23

2. คุณสมบัติหลักของผลิตภัณฑ์

1. มีกำลังไฟฟ้าและความสามารถในการรับกระแสไฟฟ้าสูง
2. โครงสร้างปราศจากสารตะกั่ว;
3. แพ็คเกจแบบติดตั้งบนพื้นผิว SOT-23 ช่วยประหยัดพื้นที่บนแผงวงจรพิมพ์และรองรับการบัดกรีแบบรีโฟลว์อัตโนมัติ
4. ความต้านทานขณะเปิดต่ำภายใต้แรงดันขับเกตที่แตกต่างกัน เพื่อลดการสูญเสียจากการนำไฟฟ้า
5. ความเร็วในการสลับตรงตามข้อกำหนดสำหรับวงจร switching ทั่วไป

3. ขอบเขตการใช้งานหลัก

1. วงจรที่เกี่ยวข้องกับ PWM;
2. วงจรสวิตช์โหลด;
3. วงจรจัดการพลังงานแบบต่างๆ

4. ข้อเสนอแนะสำหรับการออกแบบทางวิศวกรรม

1. สภาวะการใช้งานต้องไม่เกินค่าสูงสุดที่กำหนดไว้ ซึ่งรวมถึงแรงดัน กระแส กำลังไฟฟ้า และอุณหภูมิรอยต่อ การออกแบบทางความร้อนมีความจำเป็นสำหรับการใช้งานในระยะยาวเพื่อรักษาอุณหภูมิรอยต่อให้ต่ำกว่า 150 ℃ อุณหภูมิในการจัดเก็บควรอยู่ระหว่าง -55 ℃ ถึง +150 ℃
2. แรงดันระหว่างเกตและซอร์สต้องไม่เกิน +8 โวลต์ การเกินค่านี้จะทำให้ชั้นออกไซด์ของเกตเสียหายและทำให้เครื่องทำงานผิดปกติ
3. ไดโอดในตัวสามารถใช้สำหรับการทำงานแบบฟรีวีลลิ่งในวงจรย้อนกลับได้ โปรดระวังการสูญเสียพลังงานที่เกิดจากแรงดันตกคร่อมไปข้างหน้าของไดโอด
4. พารามิเตอร์การสวิตช์จะถูกวัดภายใต้สภาวะพัลส์แคบและรอบการทำงานต่ำ การสูญเสียการสวิตช์เพิ่มเติมที่เกิดจากความจุของอุปกรณ์จะต้องได้รับการประเมินสำหรับการทำงานที่ความถี่สูงอย่างต่อเนื่องตามความถี่การทำงานจริง
5. กระแสไฟเดรนแบบพัลส์ใช้ได้เฉพาะในสภาวะพัลส์สั้นเท่านั้น และไม่สามารถใช้เป็นกระแสไฟทำงานต่อเนื่องได้
6. ควรออกแบบวงจรเกตให้มีความยาวสั้นบนแผ่นวงจรพิมพ์ (PCB) เพื่อลดค่าความเหนี่ยวนำปรสิตและยับยั้งการสั่น เนื่องจากพื้นที่ระบายความร้อนของแพ็คเกจ SOT-23 มีจำกัด จึงควรเพิ่มพื้นที่การเททองแดงเพื่อให้ระบายความร้อนได้ดีขึ้นภายใต้สภาวะกระแสสูง

5. สรุปผลิตภัณฑ์

SL2301S เป็น MOSFET กำลังสูงแบบ P-channel ในแพ็คเกจ SOT-23 ทนแรงดันได้ 20 V และกระแสต่อเนื่อง 2.4 A มีประสิทธิภาพความต้านทานขณะเปิดที่ดี และใช้ตัวเรือนแบบติดตั้งบนพื้นผิวแบบไร้สารตะกั่ว เหมาะสำหรับสวิตช์โหลดกำลังปานกลางและต่ำ วงจร PWM และวงจรจัดการพลังงานสำหรับระบบจ่ายไฟของอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภค เพื่อให้มั่นใจถึงประสิทธิภาพที่เสถียรในระยะยาว นักออกแบบต้องคำนึงถึงพิกัดสูงสุดที่แน่นอนและเพิ่มประสิทธิภาพด้านความร้อน รวมถึงการจัดวาง PCB ด้วย

เกี่ยวกับสลกอร์：

SLKORกลุ่มผลิตภัณฑ์ของบริษัทประกอบด้วยอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกชิ้น เช่น ไดโอด ทรานซิสเตอร์ และอุปกรณ์กำลังไฟฟ้า ตลอดจนวงจรรวม เช่น ตัวควบคุมแรงดันไฟฟ้าเชิงเส้น ตัวแปลง DC-DC ชิปเชื่อมต่อ เซ็นเซอร์ฮอลล์ ตัวแปลงอนาล็อกเป็นดิจิทัล (ADC) และระบบจัดการแบตเตอรี่ (BMS)

 SL2301Sสู่หน้าผลิตภัณฑ์