Đường dây nóng dịch vụ
Transistor MOSFET công suất kênh P Slkor SL2301S: Điện áp chịu đựng 20V, dòng điện 2.4A, transistor trường hiệu ứng chuyển mạch công suất SOT-23
1. Các thông số cốt lõi của sản phẩm
1.1 Thông số tối đa (TA = 25 ℃)
- Điện áp đánh thủng giữa cực thoát và cực nguồn: -20 V
- Điện áp giữa cực cổng và cực nguồn: +8 V
- Dòng điện thoát liên tục: -2.4 A
- Dòng điện thoát xung: -10 A
- Tổng công suất tiêu thụ của thiết bị: 900 mW
- Nhiệt độ mối nối tối đa: 150 ℃
- Phạm vi nhiệt độ bảo quản: -55 ℃ ~ +150 ℃
1.2 Đặc tính điện (TA = 25 ℃, Độ rộng xung ≤300 μs; Chu kỳ làm việc ≤2.0%)
- Điện áp đánh thủng giữa cực thoát và cực nguồn: -20 V
- Phạm vi điện áp ngưỡng cổng: -0.4 V ~ -1.5 V
- Điện áp rơi thuận tối đa của điốt thân: -1.5 V
- Dòng điện thoát ở điện áp cổng bằng 0: -10 μA ~ -1 μA (Thử nghiệm ở TA=55 ℃)
- Dòng rò tối đa ở thân cổng: +100 nA
- Điện trở tối đa khi bật ở VGS=-4.5 V: 140 mΩ
- Điện trở tối đa khi bật ở VGS=-2.5 V: 200 mΩ
- Điện dung đầu vào điển hình: 600 pF
- Điện dung đầu ra điển hình: 120 pF
- Thời gian khởi động điển hình: 8 ns
- Thời gian tắt điển hình: 60 ns
Gói 1.3
Loại bao bì: Bao bì gắn bề mặt SOT-23.
2. Các tính năng cốt lõi của sản phẩm
- Khả năng xử lý công suất và dòng điện cao;
- Vật liệu xây dựng không chứa chì;
- Gói SOT-23 gắn trên bề mặt giúp tiết kiệm không gian trên PCB và hỗ trợ hàn chảy tự động;
- Điện trở trạng thái bật thấp dưới các điện áp điều khiển cổng khác nhau để giảm tổn thất dẫn điện;
- Tốc độ chuyển mạch đáp ứng yêu cầu của các mạch chuyển mạch đa năng.
3. Các lĩnh vực ứng dụng chính
- Các mạch liên quan đến PWM;
- Mạch chuyển mạch tải;
- Các mạch quản lý nguồn khác nhau.
4. Gợi ý về thiết kế kỹ thuật
- Điều kiện hoạt động không được vượt quá các thông số tối đa tuyệt đối, bao gồm điện áp, dòng điện, công suất tiêu tán và nhiệt độ mối nối. Cần có thiết kế tản nhiệt để đảm bảo hoạt động lâu dài, giữ nhiệt độ mối nối dưới 150 ℃. Nhiệt độ bảo quản phải được duy trì trong khoảng từ -55 ℃ đến +150 ℃.
- Điện áp giữa cực cổng và cực nguồn không được vượt quá +8 V. Vượt quá mức này sẽ làm hỏng lớp oxit cực cổng và gây ra lỗi thiết bị.
- Điốt thân tích hợp có thể được sử dụng để hoạt động tự do trong các vòng mạch ngược. Cần chú ý đến tổn thất công suất do sụt áp thuận gây ra.
- Các thông số chuyển mạch được đo trong điều kiện xung hẹp và chu kỳ làm việc thấp. Tổn thất chuyển mạch bổ sung do điện dung của thiết bị gây ra cần được đánh giá đối với hoạt động tần số cao liên tục theo tần số làm việc thực tế.
- Dòng điện thoát xung chỉ hợp lệ trong điều kiện xung ngắn và không thể được sử dụng làm dòng điện hoạt động liên tục.
- Giữ cho các đường dẫn cổng ngắn trong bố trí PCB để giảm điện cảm ký sinh và triệt tiêu dao động. Do diện tích tản nhiệt hạn chế của gói SOT-23, hãy tăng diện tích lớp đồng để tản nhiệt tốt hơn trong điều kiện dòng điện cao.
5. Tóm tắt sản phẩm
SL2301S là MOSFET công suất kênh P trong gói SOT-23 với điện áp chịu đựng 20 V và dòng điện liên tục 2.4 A. Nó có hiệu suất điện trở bật tốt và sử dụng vỏ gắn bề mặt không chì. Mục tiêu của nó là ứng dụng trong các công tắc tải công suất trung bình và thấp, mạch PWM và mạch quản lý nguồn cho hệ thống nguồn điện tử tiêu dùng. Để đảm bảo hiệu suất ổn định lâu dài, các nhà thiết kế phải tuân thủ các thông số định mức tối đa tuyệt đối và tối ưu hóa hiệu suất tản nhiệt cũng như bố trí mạch in (PCB).
Về Slkor:
SLKORDanh mục sản phẩm của công ty bao gồm các linh kiện bán dẫn rời rạc như điốt, bóng bán dẫn và linh kiện điện tử công suất, cũng như các mạch tích hợp như bộ điều chỉnh tuyến tính, bộ chuyển đổi DC-DC, chip giao tiếp, cảm biến Hall, bộ chuyển đổi ADC và hệ thống quản lý pin (BMS).
SL2301SĐến trang sản phẩm





粤公网安备44030002007346号