Slkor SL2301S PチャネルパワーMOSFET：耐電圧20V、2.4A、SOT-23パワースイッチ電界効果トランジスタ

1. コア製品パラメータ

1.1 最大定格値（TA = 25℃）

1. ドレイン-ソース間降伏電圧：-20V
2. ゲート・ソース間電圧：+8V
3. 連続ドレイン電流：-2.4A
4. パルスドレイン電流：-10A
5. デバイスの総消費電力：900mW
6. 最大接合部温度：150℃
7. 保管温度範囲：-55℃～+150℃

1.2 電気的特性（TA = 25℃、パルス幅 ≤300μs、デューティサイクル ≤2.0%）

1. ドレイン-ソース間降伏電圧：-20V
2. ゲートしきい値電圧範囲：-0.4V～-1.5V
3. ボディダイオードの最大順方向電圧降下：-1.5V
4. ゲート電圧ゼロ時のドレイン電流：-10μA～-1μA（TA=55℃での試験）
5. ゲートボディの最大リーク電流：+100 nA
6. VGS=-4.5Vにおける最大オン抵抗：140mΩ
7. VGS=-2.5Vにおける最大オン抵抗：200mΩ
8. 標準入力容量：600 pF
9. 標準出力容量：120 pF
10. 標準的な起動時間：8ナノ秒
11. 標準的なオフ時間：60ナノ秒

1.3パッケージ

パッケージタイプ：SOT-23表面実装パッケージ。

2. 主要製品機能

1. 高出力・高電流処理能力。
2. 鉛不使用の建築。
3. SOT-23表面実装パッケージは、基板スペースを節約し、自動リフローはんだ付けに対応します。
4. ゲート駆動電圧の異なる条件下でのオン抵抗を低く抑え、導通損失を低減する。
5. スイッチング速度は、汎用スイッチング回路の要件を満たしています。

3. 主な応用分野

1. PWM関連回路；
2. 負荷スイッチ回路。
3. 各種電源管理回路。

4. エンジニアリング設計に関する提案

1. 動作条件は、電圧、電流、消費電力、接合部温度を含む絶対最大定格を超えてはなりません。接合部温度を150℃以下に保つため、長期動作には熱設計が必要です。保管温度は-55℃～+150℃の範囲に保ってください。
2. ゲート・ソース間電圧は+8Vを超えてはならない。この定格を超えると、ゲート酸化膜が損傷し、デバイスの故障につながる。
3. 内蔵ボディダイオードは、逆ループでのフリーホイーリングに使用できます。ただし、順方向電圧降下による電力損失に注意してください。
4. スイッチングパラメータは、狭パルスかつ低デューティサイクルの条件下で測定されます。デバイスの容量によって生じる追加のスイッチング損失は、実際の動作周波数に応じて、連続高周波動作の場合に評価する必要があります。
5. パルスドレイン電流は短パルス条件下でのみ有効であり、連続動作電流として使用することはできません。
6. 寄生インダクタンスを低減し、発振を抑制するため、PCBレイアウトではゲート配線を短くしてください。SOT-23パッケージは熱伝導面積が限られているため、高電流条件下での放熱性を向上させるには、銅箔面積を大きくしてください。

5.製品の概要

SL2301Sは、耐電圧20V、連続電流2.4AのSOT-23パッケージのPチャネルパワーMOSFETです。優れたオン抵抗特性を持ち、鉛フリーの表​​面実装パッケージを採用しています。民生用電子機器の電源システムにおける中低電力負荷スイッチ、PWM回路、および電力管理回路を対象としています。長期にわたる安定した性能を確保するためには、設計者は絶対最大定格を遵守し、熱性能とPCBレイアウトを最適化する必要があります。

スコルについて：

SLKORの製品ポートフォリオには、ダイオード、トランジスタ、パワーデバイスなどの個別半導体デバイスに加え、リニアレギュレータ、DC-DCコンバータ、インターフェースチップ、ホールセンサ、ADC、バッテリー管理システム（BMS）などの集積回路が含まれています。