Slkor SL2301S P通道功率MOSFET：耐電壓20V，電流2.4A，SOT-23封裝功率開關場效電晶體

1. 核心產品參數

1.1 最大額定值（TA = 25 ℃）

1. 漏源擊穿電壓：-20 V
2. 柵極源極電壓：+8V
3. 連續漏極電流：-2.4 A
4. 脈衝漏極電流：-10 A
5. 裝置總耗電量：900 mW
6. 最大結溫：150℃
7. 儲存溫度範圍：-55℃～+150℃

1.2 電氣特性（TA = 25 ℃，脈衝寬度≤300 μs；佔空比≤2.0%）

1. 漏源擊穿電壓：-20 V
2. 閘極閾值電壓範圍：-0.4 V 至 -1.5 V
3. 體二極體正向壓降最大值：-1.5 V
4. 零閘極電壓汲極電流：-10 μA ~ -1 μA（測試溫度 TA=55 ℃）
5. 最大閘極體漏電流：+100 nA
6. VGS=-4.5 V 時的最大導通電阻：140 mΩ
7. VGS=-2.5 V 時的最大導通電阻：200 mΩ
8. 典型輸入電容：600 pF
9. 典型輸出電容：120 pF
10. 典型開啟時間：8 奈秒
11. 典型關斷時間：60 奈秒

1.3包

封裝類型：SOT-23表面貼裝封裝。

2. 核心產品特性

1. 高功率和電流處理能力；
2. 無鉛結構；
3. SOT-23 表面貼裝封裝節省 PCB 空間，並支援自動回流焊接；
4. 在不同的閘極驅動電壓下具有較低的導通電阻，以減少導通損耗；
5. 開關速度滿足通用開關電路的要求。

3.主要應用領域

1. PWM相關電路；
2. 負載開關電路；
3. 各種電源管理電路。

4. 工程設計建議

1. 工作條件不得超過絕對最大額定值，包括電壓、電流、功耗和結溫。長期運作需要進行熱設計，以確保結溫低於 150 ℃。儲存溫度應保持在 -55 ℃ 至 +150 ℃ 之間。
2. 柵極源電壓不得超過+8V。超過此額定值會損壞閘極氧化層並導致裝置失效。
3. 集成體二極體可用於反向迴路中的續流。注意其正向壓降造成的功率損耗。
4. 開關參數在窄脈衝和低佔空比條件下測量。裝置電容引入的額外開關損耗應根據實際工作頻率，在連續高頻工作條件下進行評估。
5. 脈衝漏極電流僅適用於短脈衝條件，不能用作連續工作電流。
6. 在PCB佈局中，應盡量縮短閘極走線，以降低寄生電感並抑制振盪。由於SOT-23封裝的散熱面積有限，應增加銅箔鋪覆面積，以便在高電流條件下獲得更好的散熱效果。

5.產品概要

SL2301S 是一款採用 SOT-23 封裝的 P 通道功率 MOSFET，耐電壓 20 V，持續電流 2.4 A。它具有良好的導通電阻性能，並採用無鉛表面貼裝封裝。此元件適用於消費性電子電源系統的中低功率負載開關、PWM 和電源管理電路。為確保長期穩定性能，設計人員必須嚴格遵守絕對最大額定值，並優化散熱性能和 PCB 佈局。

關於斯科爾：

SLKOR的產品組合包括二極體、電晶體和功率元件等分立半導體元件，以及線性穩壓器、DC-DC轉換器、介面晶片、霍爾感測器、ADC和電池管理系統（BMS）等積體電路。