MOSFET de potência de canal P Slkor SL2301S: tensão suportável de 20 V, 2.4 A, transistor de efeito de campo para chaveamento de potência SOT-23

O SL2301S é um MOSFET de potência de canal P em encapsulamento SOT-23 desenvolvido pela Slkor. Ele apresenta tensão suportável dreno-fonte de 20 V e corrente de dreno contínua de 2.4 A com baixa resistência no estado ligado. Este dispositivo de montagem em superfície, livre de chumbo, é adequado para gerenciamento de energia, chaveamento de carga, controle PWM e outros cenários de circuito. Este documento detalha seus parâmetros, características, aplicações e sugestões relevantes para uso em engenharia.

1. Parâmetros Essenciais do Produto

1.1 Classificações máximas (TA = 25 ℃)

1. Tensão de ruptura dreno-fonte: -20 V
2. Tensão porta-fonte: +8 V
3. Corrente de dreno contínua: -2.4 A
4. Corrente de dreno pulsada: -10 A
5. Dissipação total de potência do dispositivo: 900 mW
6. Temperatura máxima de junção: 150 ℃
7. Faixa de temperatura de armazenamento: -55 ℃ ~ +150 ℃

1.2 Características elétricas (TA = 25 ℃, largura de pulso ≤300 μs; ciclo de trabalho ≤2.0%)

1. Tensão de ruptura dreno-fonte: -20 V
2. Faixa de tensão de limiar de porta: -0.4 V ~ -1.5 V
3. Queda de tensão direta máxima do diodo de corpo: -1.5 V
4. Corrente de dreno com tensão de porta zero: -10 μA ~ -1 μA (Teste a TA=55 ℃)
5. Corrente máxima de fuga do corpo da porta: +100 nA
6. Resistência máxima no estado ligado com VGS=-4.5 V: 140 mΩ
7. Resistência máxima no estado ligado com VGS=-2.5 V: 200 mΩ
8. Capacitância de entrada típica: 600 pF
9. Capacitância de saída típica: 120 pF
10. Tempo típico de ativação: 8 ns
11. Tempo típico de desligamento: 60 ns

1.3 Package

Tipo de encapsulamento: Pacote de montagem em superfície SOT-23.

2. Principais características do produto

1. Alta capacidade de potência e de lidar com corrente;
2. Construção sem chumbo;
3. O encapsulamento SOT-23 para montagem em superfície economiza espaço na placa de circuito impresso e suporta soldagem por refluxo automatizada;
4. Baixa resistência no estado ligado sob diferentes tensões de acionamento do gate para reduzir a perda por condução;
5. A velocidade de comutação atende aos requisitos para circuitos de comutação de uso geral.

3. Principais campos de aplicação

1. Circuitos relacionados a PWM;
2. Circuitos de chaveamento de carga;
3. Diversos circuitos de gerenciamento de energia.

4. Sugestões para Projeto de Engenharia

1. As condições de operação nunca devem exceder os valores máximos absolutos, incluindo tensão, corrente, dissipação de potência e temperatura de junção. O projeto térmico é necessário para operação a longo prazo, a fim de manter a temperatura de junção abaixo de 150 °C. A temperatura de armazenamento deve ser mantida entre -55 °C e +150 °C.
2. A tensão entre porta e fonte não deve exceder +8 V. Exceder esse valor danificará a camada de óxido da porta e causará falha no dispositivo.
3. O diodo de corpo integrado pode ser usado para roda livre em malhas reversas. Atenção à perda de potência causada pela queda de tensão direta.
4. Os parâmetros de comutação são medidos em condições de pulso estreito e baixo ciclo de trabalho. As perdas adicionais de comutação introduzidas pelas capacitâncias do dispositivo devem ser avaliadas para operação contínua em alta frequência, de acordo com a frequência de trabalho real.
5. A corrente de dreno pulsada é válida apenas para condições de pulso curto e não pode ser usada como corrente de operação contínua.
6. Mantenha as trilhas de porta curtas no layout da placa de circuito impresso para reduzir a indutância parasita e suprimir oscilações. Devido à área térmica limitada do encapsulamento SOT-23, aumente a área de preenchimento de cobre para melhor dissipação de calor em condições de alta corrente.

5. sumario de produtos

O SL2301S é um MOSFET de potência de canal P em encapsulamento SOT-23 com tensão suportável de 20 V e corrente contínua de 2.4 A. Possui bom desempenho de resistência de condução e utiliza encapsulamento para montagem em superfície sem chumbo. É indicado para chaves de carga de média e baixa potência, circuitos PWM e de gerenciamento de energia para sistemas de alimentação de eletrônicos de consumo. Para garantir um desempenho estável a longo prazo, os projetistas devem respeitar as classificações máximas absolutas e otimizar o desempenho térmico, bem como o layout da placa de circuito impresso.

Sobre Slkor:

SLKORO portfólio de produtos da empresa inclui dispositivos semicondutores discretos, como diodos, transistores e dispositivos de potência, bem como circuitos integrados, como reguladores lineares, conversores CC-CC, chips de interface, sensores Hall, conversores analógico-digitais (ADCs) e sistemas de gerenciamento de baterias (BMS).

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