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MOSFET di potenza a canale P SL2301S Slkor: tensione di tenuta 20 V, 2.4 A, transistor a effetto di campo per interruttore di potenza SOT-23
1. Parametri principali del prodotto
1.1 Valori massimi (TA = 25 ℃)
- Tensione di rottura drain-source: -20 V
- Tensione gate-source: +8 V
- Corrente di drain continua: -2.4 A
- Corrente di drain pulsata: -10 A
- Dissipazione di potenza totale del dispositivo: 900 mW
- Temperatura massima della giunzione: 150 ℃
- Intervallo di temperatura di conservazione: da -55 ℃ a +150 ℃
1.2 Caratteristiche elettriche (TA = 25 ℃, Larghezza dell'impulso ≤300 μs; Ciclo di lavoro ≤2.0%)
- Tensione di rottura drain-source: -20 V
- Intervallo di tensione di soglia del gate: da -0.4 V a -1.5 V
- Caduta di tensione diretta massima del diodo di corpo: -1.5 V
- Corrente di drain a tensione di gate zero: -10 μA ~ -1 μA (Test a TA=55 ℃)
- Corrente di dispersione massima del corpo del gate: +100 nA
- Resistenza massima nello stato di conduzione a VGS=-4.5 V: 140 mΩ
- Resistenza massima nello stato di conduzione a VGS=-2.5 V: 200 mΩ
- Capacità di ingresso tipica: 600 pF
- Capacità di uscita tipica: 120 pF
- Tempo di accensione tipico: 8 ns
- Tempo di spegnimento tipico: 60 ns
1.3 pacchetto
Tipo di contenitore: contenitore SOT-23 per montaggio superficiale.
2. Caratteristiche principali del prodotto
- Elevata potenza e capacità di gestione della corrente;
- Costruzione senza piombo;
- Il package SOT-23 per montaggio superficiale consente di risparmiare spazio sul PCB e supporta la saldatura a rifusione automatizzata;
- Bassa resistenza allo stato attivo a diverse tensioni di pilotaggio del gate per ridurre le perdite di conduzione;
- La velocità di commutazione soddisfa i requisiti per i circuiti di commutazione generici.
3. Principali campi di applicazione
- Circuiti correlati alla modulazione di larghezza di impulso (PWM);
- Circuiti di commutazione del carico;
- Vari circuiti di gestione dell'alimentazione.
4. Suggerimenti per la progettazione ingegneristica
- Le condizioni operative non devono mai superare i valori massimi assoluti, inclusi tensione, corrente, dissipazione di potenza e temperatura di giunzione. Per il funzionamento a lungo termine è necessario un progetto termico che mantenga la temperatura di giunzione al di sotto di 150 °C. La temperatura di stoccaggio deve essere mantenuta tra -55 °C e +150 °C.
- La tensione gate-source non deve superare +8 V. Il superamento di questo valore danneggerà lo strato di ossido del gate e causerà il malfunzionamento del dispositivo.
- Il diodo integrato nel corpo può essere utilizzato per la rotazione libera nei circuiti inversi. Prestare attenzione alla perdita di potenza causata dalla caduta di tensione diretta.
- I parametri di commutazione vengono misurati in condizioni di impulsi stretti e basso duty cycle. Le perdite di commutazione aggiuntive introdotte dalle capacità del dispositivo devono essere valutate per il funzionamento continuo ad alta frequenza in base alla frequenza di lavoro effettiva.
- La corrente di drain pulsata è valida solo per condizioni di impulsi brevi e non può essere utilizzata come corrente di funzionamento continua.
- Nel layout del PCB, è importante mantenere le tracce dei gate corte per ridurre l'induttanza parassita e sopprimere le oscillazioni. Data la limitata area termica del package SOT-23, è necessario aumentare l'area di rame per una migliore dissipazione del calore in condizioni di corrente elevata.
5. Riepilogo del prodotto
SL2301S è un MOSFET di potenza a canale P in package SOT-23 con tensione di tenuta di 20 V e corrente continua di 2.4 A. Presenta buone prestazioni di resistenza di conduzione e adotta un alloggiamento per montaggio superficiale senza piombo. È destinato a interruttori di carico di media e bassa potenza, circuiti PWM e di gestione dell'alimentazione per sistemi di alimentazione di elettronica di consumo. Per garantire prestazioni stabili a lungo termine, i progettisti devono rispettare i valori massimi assoluti e ottimizzare le prestazioni termiche, nonché il layout del PCB.
Informazioni su Slkor:
SLKORIl portafoglio prodotti di include dispositivi a semiconduttore discreti come diodi, transistor e dispositivi di potenza, nonché circuiti integrati come regolatori lineari, convertitori DC-DC, chip di interfaccia, sensori di Hall, convertitori analogico-digitali (ADC) e sistemi di gestione della batteria (BMS).
SL2301SAlla pagina del prodotto





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