Hotline usługi
Produkty
Produkty
SL4407A P-kanałowy MOSFET mocy SOP-8
● Technologia MOSFET LV Trench Power
● Konstrukcja ogniw o dużej gęstości dla niskiego poziomu RDS (WŁ.)
● Szybkie przełączanie
Nasze atuty
Chińskie procesy produkcyjne przeszły lata iteracji, w wyniku czego powstały dojrzałe i niezawodne technologie. Wiele międzynarodowych korporacji decyduje się na outsourcing produkcji w Chinach. Jako producent podzespołów elektronicznych w Chinach, nasze produkty mogą w 99% zastosowań całkowicie zastąpić produkty głównych międzynarodowych marek, bez konieczności przeprowadzania weryfikacji testowej. Nasze produkty charakteryzują się wysoką stałą jakością, rozsądnymi cenami, dużymi zapasami, elastycznymi dostawami, krótkimi terminami realizacji i profesjonalną obsługą posprzedażną.
Wprowadzenie produktu
SL4407A to tranzystor MOSFET mocy z kanałem typu P. Charakteryzuje się napięciem przebicia dren-źródło wynoszącym -30 V i zapewnia możliwość przełączania dużych prądów. Układ charakteryzuje się wyjątkowo niską rezystancją w stanie włączenia dzięki różnym napięciom sterowania bramka-źródło, a także zoptymalizowaną charakterystyką ładowania bramki, co umożliwia wysoce wydajne przełączanie mocy w aplikacjach zarządzania energią.
cechy produktu
- Tranzystor MOSFET z kanałem P, zaprojektowany do zastosowań przełączania mocy o dużym natężeniu prądu - Napięcie przebicia dren-źródło (BV DSS ): -30 V, obsługuje niezawodną pracę przełączania napięcia ujemnego - Rezystancja w stanie włączenia (R DS(on) @ Vgs, Id): maks. 13 mΩ @ VGS = -10 V, ID = -10 A; maks. 17 mΩ @ VGS = -6.0 V, ID = -8 A; maks. 27 mΩ @ VGS = -4.5 V, ID = -8 A. Ultraniska rezystancja w stanie włączenia minimalizuje straty przewodzenia - Napięcie progowe bramki (V GS(th) ): 9.0-11 V @ ID = -12 A - Całkowity ładunek bramki (Qg): 40.1 nC, zoptymalizowany ładunek bramki poprawia wydajność przełączania - Niski prąd drenu przy zerowym napięciu bramki i prąd upływu korpusu bramki zmniejszają statyczne zużycie energii
Zastosowania
Układ SL4407A jest powszechnie stosowany w układach przełączania zasilania o dużym natężeniu prądu. Dzięki wyjątkowo niskiej rezystancji w stanie włączenia i możliwości obsługi dużych prądów, zapewnia wysoką sprawność konwersji mocy w układach zarządzania energią, przełączania obciążenia i projektach układów zasilanych bateryjnie.
Imię i nazwisko
Tytuł
OPIS
Karta katalogowa
Wsparcie
Wsparcie
Jeśli potrzebujesz wsparcia technicznego lub projektowego, daj nam znać i wypełnij Formularz odpowiedzi. Odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
Długowieczność
Program Długowieczności ma na celu okresowe informowanie naszych klientów o przewidywanym czasie realizacji zamówień na nasze produkty. Program NLP jest regularnie weryfikowany i aktualizowany przez nasz Zespół Zarządzający. Zapoznaj się z naszym programem długowieczności tutaj.
2SK3018 N-kanałowy MOSFET mocy SOT-23
Marka: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 30V Id(A)： 100mA RDSON(Ω)： 7.5mΩ@10V,400mA VTH： 2V@100uA P/N： N-Channel
2SK3018W N-kanałowy MOSFET mocy SOT-323
Marka: slkor， Package： SOT-323 VDSS(V)： 30V Id(A)： 300mA RDSON(Ω)： 8Ω@10V,3A VTH： 1.5V@250μA P/N： N-Channel
2SK3019 Tranzystory polowe z tlenkiem metalu i krzemem
Marka: slkor， Package： SOT-523 VDSS(V)： 30V Id(A)： 0.1A RDSON(Ω)： 8Ω@4V, 10mA VTH： 0.8V@100μA P/N： N-Channel
2SK3019 Wzmocnienie kanału N MOSFET SOT-523
Marka: slkor， Package： SOT-523 VDSS(V)： 30V Id(A)： 0.1A RDSON(Ω)： 8Ω@4V,10A VTH： 0.8V@100μA P/N： N-Channel
BSN20 Wzmocnienie kanału N MOSFET SOT-23
Marka: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 50V Id(A)： 3A RDSON(Ω)： 3Ω@4.5V VTH： 1.5V@250μA P/N： N-Channel
BSS205N Wzmocnienie kanału N MOSFET SOT-23
Marka: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2.5A RDSON(Ω)： 40mΩ@4.5V,2.5A VTH： 0.7V@11μA P/N： N-Channel
FDN302P Wzmocnienie kanału P MOSFET SOT-23
Marka: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -20V Id(A)： -2.4A RDSON(Ω)： 44mΩ@-4.5V, -2.4A VTH： -1V@-250μA P/N： P-Channel
FDN304P Wzmocnienie kanału P MOSFET SOT-23
Marka: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -20V Id(A)： -2.4A RDSON(Ω)： 36mΩ@-4.5V, -2.4A VTH： -0.7V@-250μA P/N： P-Channel
FDN306P Wzmocnienie kanału P MOSFET SOT-23
Marka: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -12V Id(A)： -2.6A RDSON(Ω)： 30mΩ@-4.5V, -2.6A VTH： -0.7V@-250μA P/N： P-Channel
FDN327N N-kanałowy MOSFET mocy SOT-23
Marka: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2A RDSON(Ω)： 40mΩ@4.5V,2.0A VTH： 0.7V@250uA P/N： N-Channel
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR's product lines include discrete devices, etc., diodes, transistors, power devices; and integrated circuit chips, etc., linear regulators, DC/ DC chips, interface chips, Hall sensors, ADCs, and BMS... We have years of accumulated technology on dedicated semiconductor.
Potrzebujesz pomocy? Zeskanuj kod telefonem, aby rozpocząć czat na WhatsAppie.
Copyright@2025 Wszelkie prawa zastrzeżone
Slkor
粤公网安备44030002007346号