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MOSFET de puissance à canal P SL4407A SOP-8
● Technologie MOSFET BT Trench Power
● Conception de cellules haute densité pour un faible RDS (ON)
● Commutation haute vitesse
Nos avantages
Les processus de fabrication chinois ont subi des années d’itération, aboutissant à des technologies matures et fiables. De nombreuses entreprises internationales optent pour l’externalisation de leur production en Chine. En tant que fabricant de composants électroniques en Chine, nos produits peuvent remplacer entièrement ceux des grandes marques internationales dans 99 % des applications sans avoir besoin de tests de vérification. Nos produits offrent une qualité élevée, des prix raisonnables, un inventaire important, un approvisionnement flexible, des délais de livraison courts et un service après-vente professionnel.
Présentation du produit
Le SL4407A est un MOSFET de puissance à canal P. Il présente une tension de claquage drain-source de -30 V et une capacité de commutation de courant élevée. Ce composant atteint une résistance à l'état passant extrêmement faible pour différentes tensions de commande grille-source, ainsi que des caractéristiques de charge de grille optimisées, permettant des performances de commutation de puissance très efficaces pour les applications de gestion de l'énergie.
Caractéristiques du produit
MOSFET de puissance à canal P, conçu pour les applications de commutation de puissance à courant élevé. Tension de claquage drain-source (BV<sub> DSS</sub> ) : -30 V, assurant un fonctionnement fiable en commutation sous tension négative. Résistance à l'état passant (R<sub> DS(on) </sub> à V<sub>GS</sub>, I<sub>D</sub>) : 13 mΩ max. à V<sub>GS</sub> = -10 V, I<sub>D</sub> = -10 A ; 17 mΩ max. à V<sub>GS</sub> = -6.0 V, I<sub>D</sub> = -8 A ; 27 mΩ max. à V<sub>GS</sub> = -4.5 V, I<sub>D</sub> = -8 A. La très faible résistance à l'état passant minimise les pertes par conduction. Tension de seuil de grille (V<sub> GS(th) </sub>) : 9.0-11 V à I<sub>D</sub> = -12 A. Charge de grille totale (Q<sub>g</sub>) : 40.1 nC. La charge de grille optimisée améliore les performances de commutation. Le faible courant de drain à tension de grille nulle et le faible courant de fuite grille-substrat réduisent la consommation d'énergie statique.
Applications
Le SL4407A est largement utilisé dans les applications de commutation de puissance à courant élevé. Grâce à sa très faible résistance à l'état passant et à sa capacité à gérer des courants importants, il assure une conversion de puissance à haut rendement pour la gestion de l'énergie, la commutation de charge et les circuits alimentés par batterie.
Nom
Objet
Description
Fiche technique
Assistance
Assistance
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Longévité
Le Programme de Longévité vise à informer régulièrement nos clients sur la durée de disponibilité de nos produits. Ce programme est régulièrement revu et mis à jour par notre direction. Consultez notre Programme de Longévité ici.
IRF9317TR MOSFET d'amélioration du canal P SOP-8
Marque: slkor， Package： SOP-8 VDSS(V)： -30V Id(A)： -15A RDSON(Ω)： 8mΩ@-10V, -10A VTH： -1.6V@250μA P/N： P-Channel
IRLML6401 MOSFET de puissance canal P SOT-23
Marque: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 30V Id(A)： 1μA RDSON(Ω)： 70mΩ@4.5V VTH： 10V P/N： P-Channel
IRLML6402 MOSFET de puissance canal P SOT-23
Marque: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -20V Id(A)： -3.7A RDSON(Ω)： 0.05Ω@-4.5V, -3.7A VTH： -0.55V P/N： P-Channel
MOSFET SOT-2 d'amélioration de canal N 3019SK523
Marque: slkor， Package： SOT-523 VDSS(V)： 30V Id(A)： 0.1A RDSON(Ω)： 8Ω@4V,10A VTH： 0.8V@100μA P/N： N-Channel
MOSFET SOT-20 d'amélioration du canal N BSN23
Marque: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 50V Id(A)： 3A RDSON(Ω)： 3Ω@4.5V VTH： 1.5V@250μA P/N： N-Channel
MOSFET SOT-205 d'amélioration du canal N BSS23N
Marque: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2.5A RDSON(Ω)： 40mΩ@4.5V,2.5A VTH： 0.7V@11μA P/N： N-Channel
MOSFET SOT-2301 d'amélioration de canal P SL23D
Marque: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -20V Id(A)： -2.3A RDSON(Ω)： 95mΩ@-4.5V,-2.5A VTH： -0.62V@-250μA P/N： P-Channel
MOSFET SOT-2302 d'amélioration du canal N SL23D
Marque: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： -2.5A RDSON(Ω)： 50mΩ@4.5V,2.5A VTH： 0.7V@250μA P/N： N-Channel
MOSFET SOT-2302 d'amélioration du canal N SL23S
Marque: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2.6A RDSON(Ω)： 85mΩ@4.5V,2.6A VTH： 1.5V@250μA P/N： N-Channel
MOSFET SOT-2304 d'amélioration du canal N SL23
Marque: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 30V Id(A)： 3.3A RDSON(Ω)： 60mΩ@10V，3.2A VTH： 3V@250μA P/N： N-Channel
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
SLKOR's product lines include discrete devices, etc., diodes, transistors, power devices; and integrated circuit chips, etc., linear regulators, DC/ DC chips, interface chips, Hall sensors, ADCs, and BMS... We have years of accumulated technology on dedicated semiconductor.
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