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SL4407A P-Kanal-Leistungs-MOSFET SOP-8
● Trench Power LV MOSFET-Technologie
● Hochdichtes Zelldesign für niedrigen RDS(ON)
● High-Speed-Umschaltung
Unsere Vorteile
Chinesische Herstellungsprozesse haben jahrelange Iterationen durchlaufen, was zu ausgereiften und zuverlässigen Technologien geführt hat. Viele internationale Unternehmen entscheiden sich für das Outsourcing der Produktion nach China. Als Hersteller elektronischer Komponenten in China können unsere Produkte die Produkte großer internationaler Marken in 99 % der Anwendungen vollständig ersetzen, ohne dass eine Prüfung erforderlich ist. Unsere Produkte zeichnen sich durch hohe Qualitätskonsistenz, angemessene Preise, große Lagerbestände, flexible Versorgung, kurze Lieferzeiten und professionellen Kundendienst aus.
Produkteinführung
Der SL4407A ist ein P-Kanal-Leistungs-MOSFET. Er zeichnet sich durch eine Drain-Source-Durchbruchspannung von -30 V und eine hohe Schaltstromfähigkeit aus. Das Bauteil erreicht einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand bei unterschiedlichen Gate-Source-Ansteuerspannungen und verfügt über optimierte Gate-Ladungseigenschaften, was ein hocheffizientes Schaltverhalten für Anwendungen im Energiemanagement ermöglicht.
Produkt-Eigenschaften
- P-Kanal-Leistungs-MOSFET, entwickelt für Hochstrom-Schaltanwendungen - Drain-Source-Durchbruchspannung (BV<sub> DSS</sub> ): -30 V, unterstützt zuverlässigen Schaltbetrieb mit negativen Spannungen - Einschaltwiderstand (R<sub> DS(on)</sub> @ V<sub>GS</sub>, I<sub>D</sub>): 13 mΩ max. @ V<sub>GS</sub> = -10 V, I<sub>D</sub> = -10 A; 17 mΩ max. @ V<sub>GS</sub> = -6.0 V, I<sub>D</sub> = -8 A; 27 mΩ max. @ V<sub>GS</sub> = -4.5 V, I<sub>D</sub> = -8 A. Der extrem niedrige Einschaltwiderstand minimiert die Leitungsverluste. - Gate-Schwellenspannung (V<sub> GS(th) </sub>): 9.0–11 V @ I<sub>D</sub> = -12 A - Gate-Gesamtladung (Q<sub>G</sub>): 40.1 nC, optimierte Gate-Ladung verbessert das Schaltverhalten - Niedriger Drainstrom bei Null-Gate-Spannung und geringer Gate-Body-Leckstrom reduzieren den statischen Stromverbrauch
Anwendungen
Der SL4407A findet breite Anwendung in Hochstrom-Schaltanwendungen. Dank seines extrem niedrigen Durchlasswiderstands und seiner hohen Strombelastbarkeit ermöglicht er eine hocheffiziente Leistungswandlung für Energiemanagement-, Lastschalter- und batteriebetriebene Schaltungen.
Name
Titel
Beschreibung
Datenblatt
Unterstützung
Unterstützung
Falls Sie Design-/technische Unterstützung benötigen, lassen Sie es uns bitte wissen und füllen Sie das Antwortformular aus. Wir werden uns so schnell wie möglich bei Ihnen melden.
Langlebigkeit
Das Langlebigkeitsprogramm informiert unsere Kunden regelmäßig über die voraussichtliche Lieferzeit unserer Produkte. Es wird regelmäßig von unserem Managementteam überprüft und aktualisiert. Hier finden Sie unser Langlebigkeitsprogramm.
2SK3018 N-Kanal-Leistungs-MOSFET SOT-23
Marke: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 30V Id(A)： 100mA RDSON(Ω)： 7.5mΩ@10V,400mA VTH： 2V@100uA P/N： N-Channel
2SK3018W N-Kanal-Leistungs-MOSFET SOT-323
Marke: slkor， Package： SOT-323 VDSS(V)： 30V Id(A)： 300mA RDSON(Ω)： 8Ω@10V,3A VTH： 1.5V@250μA P/N： N-Channel
2SK3019 Metalloxid-Silizium-Feldeffekttransistoren
Marke: slkor， Package： SOT-523 VDSS(V)： 30V Id(A)： 0.1A RDSON(Ω)： 8Ω@4V, 10mA VTH： 0.8V@100μA P/N： N-Channel
2SK3019 N-Kanal-Erweiterungs-MOSFET SOT-523
Marke: slkor， Package： SOT-523 VDSS(V)： 30V Id(A)： 0.1A RDSON(Ω)： 8Ω@4V,10A VTH： 0.8V@100μA P/N： N-Channel
BSN20 N-Kanal-Erweiterungs-MOSFET SOT-23
Marke: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 50V Id(A)： 3A RDSON(Ω)： 3Ω@4.5V VTH： 1.5V@250μA P/N： N-Channel
BSS205N N-Kanal-Verstärkungs-MOSFET SOT-23
Marke: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2.5A RDSON(Ω)： 40mΩ@4.5V,2.5A VTH： 0.7V@11μA P/N： N-Channel
BSS84 P-Kanal-Erweiterungsmodus-Feldeffekttransistor SOT-23
Marke: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 50V Id(A)： 130mA RDSON(Ω)： 10Ω@5V,100mA VTH： 2.5V@250uA P/N： P-Channel
FDN302P P-Kanal-Verbesserungs-MOSFET SOT-23
Marke: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -20V Id(A)： -2.4A RDSON(Ω)： 44mΩ@-4.5V, -2.4A VTH： -1V@-250μA P/N： P-Channel
FDN304P P-Kanal-Verbesserungs-MOSFET SOT-23
Marke: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -20V Id(A)： -2.4A RDSON(Ω)： 36mΩ@-4.5V, -2.4A VTH： -0.7V@-250μA P/N： P-Channel
FDN306P P-Kanal-Verbesserungs-MOSFET SOT-23
Marke: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -12V Id(A)： -2.6A RDSON(Ω)： 30mΩ@-4.5V, -2.6A VTH： -0.7V@-250μA P/N： P-Channel
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
Das Produktsortiment von SLKOR umfasst diskrete Bauelemente wie Dioden, Transistoren und Leistungshalbleiter sowie integrierte Schaltkreise wie Linearregler, DC/DC-Wandler, Schnittstellenchips, Hall-Sensoren, ADCs und BMS. Wir verfügen über jahrelange Erfahrung in der Halbleitertechnik.
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