製品
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SL4407A P チャネル パワー MOSFET SOP-8

● トレンチパワーLV MOSFETテクノロジー

● 低RDS(ON)を実現する高密度セル設計

●高速スイッチング

我々の利点

中国の製造プロセスは長年の反復を経て、成熟した信頼性の高い技術に成長しました。多くの国際企業が中国での生産アウトソーシングを選択しています。中国の電子部品メーカーとして、当社の製品は、テスト検証を必要とせずに、アプリケーションの 99% で主要な国際ブランドの製品を完全に置き換えることができます。当社の製品は、品質の一貫性、リーズナブルな価格、十分な在庫、柔軟な供給、短いリードタイム、プロフェッショナルなアフターサービスを誇ります。

製品導入

SL4407AはPチャネルパワーMOSFETです。ドレイン・ソース間降伏電圧は-30Vで、大電流スイッチング能力を備えています。ゲート・ソース間駆動電圧を変化させても超低オン抵抗を実現し、ゲート電荷特性も最適化されているため、電力管理アプリケーションにおいて非常に効率的な電力スイッチング性能を発揮します。

製品の特徴

- 高電流電力スイッチング用途向けに設計されたPチャネルパワーMOSFET - ドレイン-ソース降伏電圧(BV DSS ):-30 V、信頼性の高い負電圧スイッチング動作をサポート - オン抵抗(R DS(on) @ Vgs、Id):最大13 mΩ(VGS = -10 V、ID = -10 A)、最大17 mΩ(VGS = -6.0 V、ID = -8 A)、最大27 mΩ(VGS = -4.5 V、ID = -8 A)。超低オン抵抗により導通損失を最小限に抑制 - ゲートしきい値電圧(V GS(th) ):9.0~11 V(ID = -12 A) - 総ゲート電荷(Qg):40.1 nC、最適化されたゲート電荷によりスイッチング性能が向上 - 低いゼロゲート電圧ドレイン電流とゲートボディリーク電流により静的消費電力を低減

用途

SL4407Aは、大電流電力スイッチング用途で広く採用されています。超低オン抵抗と大電流処理能力を活かし、電力管理、負荷スイッチング、バッテリー駆動回路設計において高効率な電力変換を実現します。




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耐用性アップ

 

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