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SL4407A MOSFET de potência SOP-8 do canal P
● Tecnologia Trench Power LV MOSFET
● Design de célula de alta densidade para baixo RDS(ON)
● Comutação de alta velocidade
Nossas vantagens
Os processos de fabricação chineses passaram por anos de iteração, resultando em tecnologias maduras e confiáveis. Muitas empresas internacionais optam pela terceirização da produção na China. Como fabricante de componentes eletrônicos na China, nossos produtos podem substituir totalmente os das principais marcas internacionais em 99% das aplicações, sem a necessidade de verificação de testes. Nossos produtos apresentam alta consistência em qualidade, preços razoáveis, amplo estoque, fornecimento flexível, prazos de entrega curtos e serviço pós-venda profissional.
Introdução de produto
O SL4407A é um MOSFET de potência de canal P. Ele apresenta uma tensão de ruptura dreno-fonte de -30 V e oferece alta capacidade de comutação de corrente. O dispositivo atinge uma resistência no estado ligado ultrabaixa com diferentes tensões de acionamento porta-fonte, juntamente com características de carga de porta otimizadas, permitindo um desempenho de comutação de potência altamente eficiente para aplicações de gerenciamento de energia.
características do produto
- MOSFET de potência de canal P, projetado para aplicações de chaveamento de alta corrente - Tensão de ruptura dreno-fonte (BV<sub> DSS </sub>): -30 V, suporta operação de chaveamento confiável com tensão negativa - Resistência no estado ligado (R <sub>DS(on)</sub> @ V<sub>gs</sub>, I<sub>d</sub>): 13 mΩ máx. @ V<sub>GS</sub> = -10 V, I<sub>d</sub> = -10 A; 17 mΩ máx. @ V<sub>GS</sub> = -6.0 V, I<sub>d</sub> = -8 A; 27 mΩ máx. @ V<sub>GS</sub> = -4.5 V, I<sub>d</sub> = -8 A. A resistência ultrabaixa no estado ligado minimiza as perdas por condução - Tensão de limiar de porta (V <sub>GS(th)</sub> ): 9.0-11 V @ I<sub>d</sub> = -12 A - Carga total de porta (Q<sub>g</sub>): 40.1 nC, a carga de porta otimizada melhora o desempenho de chaveamento - Baixa corrente de dreno com tensão de porta zero e baixa corrente de fuga entre porta e corpo reduzem o consumo de energia estática
Aplicações
O SL4407A é amplamente utilizado em cenários de comutação de alta corrente. Graças à sua resistência ultrabaixa no estado ligado e à sua capacidade de lidar com grandes correntes, ele proporciona conversão de energia de alta eficiência para projetos de circuitos de gerenciamento de energia, chaveamento de carga e alimentação por bateria.
Nome
Título
Descrição
Ficha de dados
Suporte
Suporte
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Longevidade
O Programa de Longevidade visa fornecer aos nossos clientes informações periódicas sobre o prazo previsto para a disponibilidade dos nossos produtos. O Programa de Longevidade é revisto e atualizado regularmente pela nossa Equipa de Gestão Executiva. Consulte o nosso Programa de Longevidade aqui.
2SK3018 MOSFET de potência de canal N SOT-23
Marcas: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 30V Id(A)： 100mA RDSON(Ω)： 7.5mΩ@10V,400mA VTH： 2V@100uA P/N： N-Channel
2SK3018W MOSFET de potência de canal N SOT-323
Marcas: slkor， Package： SOT-323 VDSS(V)： 30V Id(A)： 300mA RDSON(Ω)： 8Ω@10V,3A VTH： 1.5V@250μA P/N： N-Channel
2SK3019 MOSFET de aprimoramento de canal N SOT-523
Marcas: slkor， Package： SOT-523 VDSS(V)： 30V Id(A)： 0.1A RDSON(Ω)： 8Ω@4V,10A VTH： 0.8V@100μA P/N： N-Channel
FDN302P MOSFET SOT-23 de aprimoramento de canal P
Marcas: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -20V Id(A)： -2.4A RDSON(Ω)： 44mΩ@-4.5V, -2.4A VTH： -1V@-250μA P/N： P-Channel
FDN304P MOSFET SOT-23 de aprimoramento de canal P
Marcas: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -20V Id(A)： -2.4A RDSON(Ω)： 36mΩ@-4.5V, -2.4A VTH： -0.7V@-250μA P/N： P-Channel
FDN306P MOSFET SOT-23 de aprimoramento de canal P
Marcas: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -12V Id(A)： -2.6A RDSON(Ω)： 30mΩ@-4.5V, -2.6A VTH： -0.7V@-250μA P/N： P-Channel
FDN327N MOSFET de potência de canal N SOT-23
Marcas: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 20V Id(A)： 2A RDSON(Ω)： 40mΩ@4.5V,2.0A VTH： 0.7V@250uA P/N： N-Channel
FDN336P Canal P MOSFET SOT-23
Marcas: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -20V Id(A)： -1.3A RDSON(Ω)： 105mΩ@-4.5V,-1.3A VTH： -0.7V@-250uA P/N： P-Channel
FDN337N MOSFET SOT-23 de aprimoramento de canal N
Marcas: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： 30V Id(A)： 2.2A RDSON(Ω)： 40mΩ@4.5V,2.2A VTH： 0.9V@250μA P/N： N-Channel
FDN338P MOSFET SOT-23 de aprimoramento de canal P
Marcas: slkor， Package： SOT-23 VDSS(V)： -20V Id(A)： -1.6A RDSON(Ω)： 75mΩ@-4.5V, -1.6A VTH： -0.7V@-250μA P/N： P-Channel
ShenzhenSLKORMicroSemiconCo., Ltd.
As linhas de produtos da SLKOR incluem dispositivos discretos, como diodos, transistores e dispositivos de potência; e circuitos integrados, como reguladores lineares, conversores DC/DC, chips de interface, sensores Hall, conversores analógico-digitais (ADCs) e sistemas de gerenciamento de bateria (BMS). Possuímos anos de tecnologia acumulada em semicondutores dedicados.
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