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¿En qué medida tienen diferente eficiencia el SIC y el IGBT basado en silicio?
2022-03-17 404

Recientemente, la electrónica de potencia es muy popular. Aquí, ordenaré algunos puntos de vista de varios materiales.


2022 es un año muy importante para el uso de carburo de silicio en China, principalmente porque el actual sistema de 800V ha traído muchos cambios.¿Cuáles son las diferencias entre los diferentes niveles? Quiero discutirlos contigo según los materiales de peinado.

En primer lugar, hablemos de los IGBT. De hecho, en el ámbito de los vehículos eléctricos, queremos agradecer especialmente a Infineon. Antes de la llegada de las empresas automovilísticas europeas, Nissan, Honda y Toyota desarrollaron inversores basados en sus propias tecnologías, tomando como base la tecnología iterativa y de refrigeración de los IGBT. Antes de que Tesla introdujera el SIC, también utilizaba IGBT de un solo tubo para accionamiento de alta potencia. Tras la creación de IGBT con encapsulado estándar 6 en 1 por Infineon, la dificultad del desarrollo de inversores se redujo considerablemente.


▲Figura 1. Varios usos de 1.IGBT


En el diseño del inversor de alta potencia, los ingenieros de Tesla adoptaron una conexión paralela discreta de un solo tubo, tecnología de enfriamiento y disipación de calor de un solo tubo incorporada y tecnología de bus laminado de energía, lo que aumentó la potencia de este dispositivo, pero el proceso de ensamblaje fue bastante complicado.


▲Figura 2. Diseño de un IGBT de tubo único de Tesla

Por lo tanto, en la iteración, Tesla fue el primero en iterar directamente con SiC en productos de 400V. Según la referencia de datos proporcionada por Cree, como se muestra en la siguiente figura:


Potencia y eficiencia:

▲Fig. 3. Si se comparan SiC e IGBT según potencia y densidad de corriente.


Por supuesto, a juzgar por la eficiencia del propio inversor, el punto de referencia se basa principalmente en las especificaciones de los parámetros:


▲1. Comparación de parámetros de motor, inversor y vehículo.


Es decir, la eficiencia aportada por 400VSiC será alcanzada por muchos vehículos posteriores, y un automóvil como Lucid Air también puede alcanzar una milla/kWh más alta. Es decir, la eficiencia aportada por 400VSiC será alcanzada por muchos Los vehículos posteriores, y un automóvil como Lucid Air también pueden alcanzar una milla/kWh más alta.


▲Figura 4. Resumen de la eficiencia energética de todo el vehículo según el tiempo


La siguiente figura muestra las características dinámicas. En comparación con la eficiencia del inversor bajo UDDS y HWFET, todavía hay una diferencia dinámica desde aquí, que oscila entre el 4% y el 7%.


Observaciones: Estos datos se obtienen mediante el FEV y los datos abstractos se utilizan para la comparación.


▲Figura 5. Diferencia de eficiencia entre 5.SiC y IGBT basados en silicio


Es decir,El nivel de simulación se puede comparar con la prueba real y, de hecho, existe una gran diferencia en la eficiencia..


▲Figura 6. Comparación de 6.SiC Ford


En este sentido, el 2% está en el nivel de carga, el 6% está en el nivel de funcionamiento y la diferencia de eficiencia entre los dos sistemas es del 8%; esto significa que para la misma batería grande, especialmente la batería de carga rápida de 100-120kWh , según la eficiencia del 8%, el ingreso neto de la batería se puede ponderar entre 8 y 10 kWh; Según 0.8 yuanes /Wh, el valor correspondiente es de unos 6,400-8,000 yuanes.


A largo plazo, no solo es necesario el costo beneficio, sino también el soporte de SiC para que las baterías de gran capacidad logren una alta resistencia y una alta eficiencia.


▲Figura 7. Diferencia de eficiencia del carburo de silicio





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