हाल ही में, पावर इलेक्ट्रॉनिक्स बहुत लोकप्रिय है। यहां, मैं कई सामग्रियों के कुछ दृष्टिकोणों को सुलझाऊंगा।

चीन में सिलिकॉन कार्बाइड के उपयोग के लिए 2022 एक बहुत ही महत्वपूर्ण वर्ष है, मुख्यतः क्योंकि वर्तमान 800V प्रणाली ने कई बदलाव लाए हैं।विभिन्न स्तरों से क्या अंतर हैं? मैं कंघी करने की सामग्री के अनुसार आपके साथ उन पर चर्चा करना चाहता हूं।

सबसे पहले, आइए IGBT की बात करते हैं। दरअसल, इलेक्ट्रिक वाहनों के क्षेत्र में, हम विशेष रूप से Infineon का धन्यवाद करना चाहेंगे। यूरोपीय ऑटोमोबाइल कंपनियों के आने से पहले, निसान, होंडा और टोयोटा, सभी ने अपनी-अपनी तकनीकों के आधार पर इन्वर्टर विकसित किए थे, और IGBT की कूलिंग और पुनरावृत्तीय तकनीक को मूल रूप में लिया था; टेस्ला द्वारा एसआईसी पेश करने से पहले, वह उच्च-शक्ति ड्राइव के लिए सिंगल-ट्यूब आईजीबीटी का भी इस्तेमाल करता था। इंफिनियॉन द्वारा मानक पैकेज 6इन1 के साथ आईजीबीटी बनाने के बाद, इन्वर्टर विकास की कठिनाई बहुत कम हो गई।

▲चित्र 1. 1.IGBT के कई उपयोग

हाई-पावर इन्वर्टर के डिजाइन में, टेस्ला के इंजीनियरों ने असतत सिंगल-ट्यूब समानांतर कनेक्शन, बिल्ट-इन सिंगल-ट्यूब हीट डिसिपेशन और कूलिंग तकनीक और पावर लेमिनेटेड बस तकनीक को अपनाया, जिससे इस डिवाइस की शक्ति बढ़ गई, लेकिन असेंबली प्रक्रिया काफी जटिल।

▲चित्र 2. टेस्ला सिंगल-ट्यूब आईजीबीटी का डिज़ाइन

इसलिए, पुनरावृत्ति में, टेस्ला 400V उत्पादों में सीधे SiC में पुनरावृति करने वाला पहला था। क्री द्वारा दिए गए डेटा संदर्भ के अनुसार, जैसा कि निम्नलिखित चित्र में दिखाया गया है:

शक्ति और दक्षता:

▲चित्र 3. यदि SiC और IGBT की तुलना शक्ति और धारा घनत्व के अनुसार की जाए

बेशक, इन्वर्टर की दक्षता को देखते हुए, बेंचमार्क मुख्य रूप से पैरामीटर विनिर्देशों पर आधारित है:

▲1. मोटर, इन्वर्टर और वाहन मापदंडों की तुलना

कहने का तात्पर्य यह है कि, 400VSiC द्वारा लाई गई दक्षता कई बाद के वाहनों द्वारा पकड़ी जाएगी, और ल्यूसिड एयर जैसी कार भी उच्च मील/किलोवाट प्राप्त कर सकती है। कहने का तात्पर्य यह है कि, 400VSiC द्वारा लाई गई दक्षता को कई लोग पकड़ लेंगे बाद के वाहन, और ल्यूसिड एयर जैसी कार भी उच्च मील/किलोवाट प्राप्त कर सकती है।

▲चित्रा 4. समय के अनुसार पूरे वाहन की ऊर्जा दक्षता का अवलोकन

निम्नलिखित चित्र गतिशील विशेषताओं को दर्शाता है। यूडीडीएस और एचडब्ल्यूएफईटी के तहत इन्वर्टर दक्षता की तुलना में, यहां अभी भी 4% से 7% तक एक गतिशील अंतर है।

टिप्पणियाँ: यह डेटा FEV द्वारा बनाया गया है, और तुलना के लिए अमूर्त डेटा का उपयोग किया जाता है।

▲चित्र 5. 5.SiC और सिलिकॉन-आधारित IGBT के बीच दक्षता अंतर

यानी,सिमुलेशन स्तर की तुलना वास्तविक परीक्षण से की जा सकती है, और दक्षता में वास्तव में एक बड़ा अंतर है।.

▲ चित्र 6. 6.SiC फोर्ड की तुलना

इस अर्थ में, 2% चार्जिंग स्तर पर है, 6% रनिंग स्तर पर है, और दोनों प्रणालियों के बीच दक्षता अंतर 8% है - इसका मतलब है कि समान बड़ी बैटरी के लिए, विशेष रूप से 100-120kWh की तेज़ चार्जिंग बैटरी के लिए 8% की दक्षता के अनुसार, बैटरी की शुद्ध आय का भार 8-10kWh तक हो सकता है; 0.8 युआन/Wh के अनुसार, संबंधित मूल्य लगभग 6,400-8,000 युआन है।

लंबे समय में, यह न केवल लागत लाभ है, बल्कि उच्च सहनशक्ति और उच्च दक्षता प्राप्त करने के लिए बड़ी क्षमता वाली बैटरियों के लिए SiC का समर्थन भी आवश्यक है।

▲चित्रा 7. सिलिकॉन कार्बाइड की दक्षता अंतर

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