De laatste tijd is vermogenselektronica erg populair. Hier zal ik enkele standpunten van verschillende materialen bespreken.

2022 is een heel belangrijk jaar voor het gebruik van siliciumcarbide in China, vooral omdat het huidige 800V-systeem veel veranderingen heeft gebracht.Wat zijn de verschillen met verschillende niveaus? Ik wil ze met je bespreken volgens de kammaterialen.

Laten we het allereerst over IGBT hebben. Op het gebied van elektrische voertuigen willen we met name Infineon bedanken. Voordat Europese autofabrikanten zich ermee gingen bemoeien, ontwikkelden Nissan, Honda en Toyota allemaal omvormers rond hun eigen technologieën en namen ze de koeling en iteratieve technologie van IGBT als uitgangspunt; Voordat Tesla SIC introduceerde, gebruikte het ook single-tube IGBT voor hoogvermogenaandrijving. Nadat Infineon IGBT met een standaard 6-in-1 behuizing had ontwikkeld, werd de ontwikkeling van omvormers aanzienlijk eenvoudiger.

▲Figuur 1. Verschillende toepassingen van 1.IGBT

Bij het ontwerp van de krachtige omvormer hebben de ingenieurs van Tesla gebruik gemaakt van een discrete parallelle verbinding met één buis, ingebouwde warmteafvoer- en koeltechnologie met één buis en gelamineerde bustechnologie, waardoor het vermogen van dit apparaat toenam, maar het assemblageproces was best ingewikkeld.

▲Figuur 2. Ontwerp van Tesla Single-tube IGBT

Daarom wordt in de iteratie Tesla was de eerste die rechtstreeks overstapte op SiC in 400V-producten. Volgens de gegevensreferentie gegeven door Cree, zoals weergegeven in de volgende afbeelding:

Kracht en efficiëntie:

▲Figuur 3. Als SiC en IGBT worden vergeleken op basis van vermogen en stroomdichtheid

Afgaande op de efficiëntie van de omvormer zelf, is de benchmark uiteraard voornamelijk gebaseerd op de parameterspecificaties:

▲1. Vergelijking van motor-, omvormer- en voertuigparameters

Dat wil zeggen dat de efficiëntie van 400VSiC door veel volgende voertuigen zal worden ingehaald, en een auto als Lucid Air kan ook een hogere kilometer/kWh halen. Dat wil zeggen dat de efficiëntie van 400VSiC door velen zal worden ingehaald. volgende voertuigen, en een auto als Lucid Air kan ook een hogere Mile/kWh behalen.

▲Figuur 4. Overzicht van de energie-efficiëntie van het hele voertuig in functie van de tijd

De volgende afbeelding toont de dynamische kenmerken. Vergeleken met de efficiëntie van de omvormer onder UDDS en HWFET is er vanaf hier nog steeds een dynamisch verschil, variërend van 4% tot 7%.

Opmerkingen: Deze gegevens zijn afkomstig van FEV en ter vergelijking worden abstracte gegevens gebruikt.

▲Figuur 5. Efficiëntieverschil tussen 5.SiC en op silicium gebaseerde IGBT

Het is te zeggen,Het simulatieniveau kan worden vergeleken met de daadwerkelijke test en er is inderdaad een groot verschil in efficiëntie..

▲Figuur 6. Vergelijking van 6.SiC Ford

In die zin bevindt 2% zich op het laadniveau, 6% op het bedrijfsniveau en is het efficiëntieverschil tussen de twee systemen 8%. Dit betekent dat voor dezelfde grote batterij, vooral de snelladende batterij van 100-120 kWh Volgens de efficiëntie van 8% kan het netto-inkomen van de batterij worden gewogen tot 8-10 kWh; Volgens 0.8 yuan/Wh bedraagt de overeenkomstige waarde ongeveer 6,400-8,000 yuan.

Op de lange termijn is het niet alleen het kostenvoordeel, maar is ook de ondersteuning van SiC noodzakelijk om batterijen met een grote capaciteit een hoog uithoudingsvermogen en een hoog rendement te laten bereiken.

▲Figuur 7. Efficiëntieverschil van siliciumcarbide

Disclaimer: dit artikel is overgenomen uit "Automotive Electronic Design". Dit artikel vertegenwoordigt alleen de persoonlijke mening van de auteur en vertegenwoordigt niet de mening van Sacco Micro en de industrie. Het herdrukken en delen is alleen bedoeld om de bescherming van intellectuele eigendomsrechten te ondersteunen. Vermeld bij herdruk de originele bron en auteur. Als er sprake is van inbreuk, neem dan contact met ons op om deze te verwijderen.

Bedrijf Tel: +86-0755-83044319
Fax/fax:+86-0755-83975897
E-mail: 1615456225@qq.com
Vraag: 332496225 Manager Qiu
Adres: Kamer 809, Blok C, Zhantao Technology Building, No.1079 Minzhi Avenue, Longhua New District, Shenzhen