GD32是我國研發的單晶片。據說開發者來自ST公司，GD32也是以STM32為模板製作的。因此，GD32和STM32很多地方是相同的。有些自主研發的產品還是有差別的，相同的地方我們就不多說了。以下是不同的地方。

1。 核心

GD32採用第二代M3內核，而STM32主要採用第一代M3內核。下圖是ARM的M3核心勘誤表，GD使用的核心只有一個BUG，752419。

2、基本頻率

使用HSE（高速外部時脈）：GD32最大頻率為108M，STM32最大頻率為72M。更快。如果專案中需要刷屏、計算平方根、控制電機，GD是一個不錯的選擇。

3、供電

外部供電：GD32的外部供電範圍為2.6~3.6V，STM32的外部供電範圍為2~3.6V。 GD的供電範圍比STM32相對窄一些。
核心電壓：GD32核心電壓為1.2V，STM32核心電壓為1.8V。 GD的核心電壓比STM32低，因此GD晶片運作時的耗電量更低。

4. 閃光差異

GD32的Flash是自主開發的，與STM32的Flash不同。
GD Flash 執行速度：GD32 Flash 中程式執行的等待時間為 0。 STM32 Flash 的執行速度：ST 系統頻率不存取 flash 等待時間關係，0 等待時間，當 0 < sysclk < 24mhz 時；1 等待時間，當 24mhz < sysclk ≤ 48mhz 時；2 等待時間，當 48MHz 時
Flash 擦除時間：GD 擦除所需的時間稍長。官方數據如下：「GD32F103/101系列128KB及以下快閃記憶體型號，Page Erase典型值為100ms，實測約為60ms」。對應ST產品Page Erase的典型值為20~40ms。

5、功耗

It can be seen from the following table that the operating power consumption of GD products is lower than that of STM32 under the same main frequency, but the shutdown mode, standby mode and sleep mode of GD are still higher than that of STM32 under the same設定.

6.串口

當GD連續傳送資料時，每兩個位元組之間會有一個Bit Idle，但STM32沒有，如下圖所示。

GD的串列傳送時只有1/2停止位元模式。 STM32有0.5/1/1.5/2四種停止位模式。
GD和STM32 USART的這兩個差異對通訊影響不大，只是GD的通訊時間會長一點。

7.ADC區別

GD的輸入阻抗和取樣時間的設定與ST不同，相同配置的GD採樣的輸入阻抗比較小。詳細資訊請參考下表。這是ADC運轉在主頻72M、取樣時脈14M時輸入阻抗與取樣週期的關係：

8、FSMC

只有STM256的100Pin以上的大容量（32K以上）有FSMC，GD100的32Pin以上的都有FSMC。

9. 03系列RAM&FLASH尺寸差異

GD103系列和ST103系列的記憶體和快閃記憶體對如下：

10. 105-107系列STM32與GD的區別

GD的105/107的選擇比ST的多很多。詳細資訊請參考下表：

11 抗干擾能力

關於這一點，官方沒有給出，是筆者在做專案時偶然發現的。
專案中原本使用的是STM32F103C8T6，後來更換為GDF103C8T6。兩個晶片的引腳完全一致。單晶片使用相鄰的兩個引腳作為SPI的時脈引腳和資料輸出引腳，然後發現STM32的SPI可以正常通信，而GD的SPI無法正常通訊。經檢查發現PCB板SPI銅線背面有兩根IIC銅線穿過，訊號應該受到影響。

用示波器看腳位電平，發現STM32和GD的資料接腳波形異常，但STM32的波形好很多。雖然波形差了一點，但是SPI通訊還是正常的。和GD無法正常通訊。
然後作者放慢了SPI的通訊速率，發現STM32的資料接腳很快就恢復正常波形，而GD的波形依然較差，直到速率降到很低的水平才恢復正常。最初懷疑STM32有一些電路對引腳進行過濾，但GD沒有。

雖然所使用的電路板本身的佈線有些不合理，但在同樣惡劣的環境下，STM32仍然可以保證正常通信，而GD卻不能，這說明GD的抗干擾能力在一定程度上遜色於STM32。