اليوم، أشارككم أربع دوائر قيادة بوابة ترانزستور MOS شائعة. هل تم استخدامها جميعا؟1. نوع محرك الأقراص المباشر ICالقيادة المباشرة لوحدة الطاقة IC هذه هي وضع القيادة الأكثر شيوعًا والأبسط.

الشكل 1: IC تقود بوابة MOS مباشرة

باستخدام هذه الطريقة، يجب أن ننتبه إلى العديد من المعلمات وتأثيراتها.

أولاً، تحقق من دليل طاقة IC لمعرفة الحد الأقصى لتيار القيادة الأقصى، لأن شرائح IC المختلفة لها قدرات قيادة مختلفة.

ثانيًا، تحقق من سعة MOSFET الطفيلية، مثل C1 وC2 وC3 الموضحة في الشكل. إذا كانت السعة كبيرة، فإن الطاقة اللازمة لتشغيل أنبوب MOS تكون كبيرة أيضًا.

إذا لم يكن لدى IC الطاقة ما يكفي من تيار الذروة، فسيتم تشغيل الترانزستور بسرعة أبطأ.إذا كانت القدرة على القيادة غير كافية، فقد يحدث تذبذب عالي التردد عند الحافة الصاعدة، وحتى تقليل Rg في الشكل 1 لن يحل المشكلة! ومع ذلك، فإن قدرة قيادة IC، والسعة الطفيلية لـ MOSFET، وسرعة تبديل MOSFET وعوامل أخرى سوف تؤثر أيضًا على اختيار مقاومة القيادة، وبالتالي لا يمكن تقليل Rg إلى أجل غير مسمى.

2. دائرة القطب الطوطم تعزز القيادة.تتمثل وظيفة دائرة القيادة في زيادة سعة الإمداد الحالية وإكمال عملية شحن مدخل مكثف البوابة بسرعة. تعمل هذه الهيكلية على زيادة وقت التشغيل، ولكنها تقلل من وقت إيقاف التشغيل، ويمكن تشغيل أنبوب التبديل بسرعة، وتجنب التذبذب عالي التردد للحافة الصاعدة.

الشكل 2: محرك دائرة عمود الطوطم المعزز

3. قم بتشغيل الدائرة لتسريع إيقاف تشغيل أنبوب MOS.

في لحظة إيقاف التشغيل، يمكن لدائرة القيادة توفير مسار بأقل معاوقة ممكنة، بحيث يمكن تفريغ المكثف بين البوابة ومصدر MOSFET بسرعة، ويمكن إيقاف تشغيل أنبوب التبديل بسرعة.

من أجل ضمان التفريغ السريع للمكثف C2 بين البوابة والمصدر، يتم توصيل Rg2 والثنائي D1 بالتوازي مع Rg1.يعتمد D1 عادةً على الصمام الثنائي للاسترداد السريع، مما يقلل من وقت إيقاف التشغيل ويقلل من خسارة إيقاف التشغيل؛ تتمثل وظيفة Rg2 في منع احتراق طاقة IC بسبب التيار الزائد عند إيقاف تشغيله.

الشكل 3: تسريع دائرة إيقاف ترانزستور MOS

يمكن أيضًا إيقاف تشغيل دائرة عمود الطوطم بسرعة. عندما تكون قدرة القيادة لطاقة IC كافية، يمكن تحسين الدائرة في الشكل 2 إلى الشكل الموضح في الشكل التالي.

الشكل 4: تحسين دائرة إيقاف تشغيل ترانزستور MOSمن الشائع جدًا استخدام الصمام الثلاثي لتفريغ كهرباء مكثف GS. إذا لم يكن لدى باعث Q1 أي مقاومة، فسيتم قصر دائرة المكثف بين البوابة ومصدر ترانزستور PNP عند تشغيله، مما يمكنه تحقيق التفريغ في أقصر وقت وتقليل الخسارة المتقاطعة عند إيقاف تشغيله .الشكل 4. بسبب وجود الصمام الثلاثي، لن يتم تفريغ تيار المكثف بين البوابة والمصدر مباشرة من خلال دائرة الطاقة المتكاملة، مما يحسن موثوقية الدائرة.

4. تعمل دائرة تشغيل المحول على تسريع إيقاف تشغيل أنبوب MOS.من أجل تلبية متطلبات تشغيل ترانزستورات MOS عالية الجانب، كما هو موضح في الشكل 5، عادةً ما يتم استخدام محركات المحولات، أحيانًا للعزل الآمن.الغرض من R1 هو كبح الحث الطفيلي على ثنائي الفينيل متعدد الكلور من تكوين تذبذب LC مع C1، والغرض من تصميمه هو عزل التيار المستمر والتيار المتردد، مع منع القلب المغناطيسي من التشبع.

الشكل 5 دائرة تشغيل MOSFET ذات الجانب العالي

إخلاء المسؤولية: هذه المقالة منقولة من "Hengli Electronics". تمثل هذه المقالة فقط آراء المؤلف الشخصية، ولا تمثل آراء Sacco Micro والصناعة. إنه مخصص فقط لإعادة الطباعة والمشاركة لدعم حماية حقوق الملكية الفكرية. يرجى الإشارة إلى المصدر الأصلي والمؤلف عند إعادة الطبع. وفي حالة وجود أي مخالفة يرجى التواصل معنا لحذفها.

هاتف الشركة: +86-0755-83044319
فاكس/فاكس: +86-0755-83975897
بريد إلكتروني: 1615456225@qq.com
س: 3518641314 مدير لي
ف ف: 332496225 مدير تشيو
العنوان: الغرفة 809، المبنى C، مبنى Zhantao Technology، رقم 1079 شارع Minzhi، منطقة Longhua الجديدة، Shenzhen