Vandaag deel ik vier gemeenschappelijke MOS-transistorpoortaandrijfcircuits. Zijn ze allemaal gebruikt?1. Type IC-directe aandrijvingDe directe aansturing van dit vermogens-IC is de meest voorkomende en eenvoudigste rijmodus.

Fig. 1 IC stuurt rechtstreeks de MOS-poort aan

Met behulp van deze methode moeten we aandacht besteden aan verschillende parameters en hun effecten.

Controleer eerst de Power IC-handleiding voor de maximale piekstroom, omdat verschillende IC-chips verschillende aandrijfmogelijkheden hebben.

Controleer ten tweede de parasitaire capaciteit van de MOSFET, zoals C1, C2 en C3 in de afbeelding. Als de capaciteit groot is, is de energie die nodig is om de MOS-buis in te schakelen ook groot.

Als het vermogens-IC niet voldoende piekstroom heeft, wordt de transistor langzamer ingeschakeld.Als het aandrijfvermogen onvoldoende is, kunnen hoogfrequente oscillaties optreden aan de stijgende flank, en zelfs het verminderen van Rg in figuur 1 zal het probleem niet oplossen! Het vermogen van de IC om de weerstand aan te sturen, de parasitaire capaciteit van de MOSFET, de schakelsnelheid van de MOSFET en andere factoren hebben echter ook invloed op de keuze van de aandrijfweerstand. Daarom kan Rg niet onbeperkt worden verlaagd.

2. totempaalcircuit verbetert het rijden.De functie van het stuurcircuit is het vergroten van de stroomtoevoercapaciteit en het snel voltooien van het laadproces van de ingang van de poortcondensator. Deze topologie verlengt de inschakeltijd, maar verkort de uitschakeltijd, en de schakelbuis kan snel worden ingeschakeld, waardoor de hoogfrequente oscillatie van de stijgende flank wordt vermeden.

Figuur 2 totempaalcircuit verbeterde aandrijving

3. Stuur het circuit aan om de uitschakeling van de MOS-buis te versnellen.

Op het moment van uitschakelen kan het stuurcircuit een pad met de laagst mogelijke impedantie bieden, zodat de condensator tussen de gate en de source van de MOSFET snel kan worden ontladen en de schakelbuis snel kan worden uitgeschakeld.

Om een ​​snelle ontlading van de condensator C2 tussen de gate en de source te garanderen, worden een Rg2 en een diode D1 parallel aan Rg1 geschakeld.D1 maakt doorgaans gebruik van een snel herstellende diode, waardoor de uitschakeltijd wordt verkort en het uitschakelverlies wordt verminderd; De functie van Rg2 is om te voorkomen dat het stroom-IC doorbrandt als gevolg van overmatige stroom wanneer het wordt uitgeschakeld.

Fig. 3 versnellende MOS-transistoruitschakelschakeling

Ook het totempaalcircuit kan snel worden uitgeschakeld. Wanneer het aandrijfvermogen van het vermogens-IC voldoende is, kan het circuit in figuur 2 worden verbeterd tot de vorm die in de volgende figuur wordt getoond.

Fig. 4 verbeterde versnellende MOS-transistoruitschakelschakelingHet is heel gebruikelijk om triode te gebruiken om de elektriciteit van de GS-condensator te ontladen. Als de emitter van Q1 geen weerstand heeft, zal de condensator tussen de poort en de bron van de PNP-transistor worden kortgesloten wanneer deze wordt ingeschakeld, waardoor de ontlading in de kortste tijd kan worden gerealiseerd en het kruisverlies kan worden geminimaliseerd wanneer deze wordt uitgeschakeld .Fig. 4. Vanwege het bestaan ​​van een triode zal de condensatorstroom tussen de poort en de bron niet rechtstreeks via het vermogens-IC worden ontladen, wat de betrouwbaarheid van het circuit verbetert.

4. Het transformatoraandrijfcircuit versnelt de uitschakeling van de MOS-buis.Om te voldoen aan de vereisten voor het aansturen van MOS-transistoren met hoge zijde, zoals weergegeven in figuur 5, worden gewoonlijk transformatoraansturingen gebruikt, soms voor veiligheidsisolatie.Het doel van R1 is om te voorkomen dat de parasitaire inductantie op PCB's LC-oscillatie met C1 vormt, en het ontwerpdoel ervan is om DC en AC te isoleren, terwijl wordt voorkomen dat de magnetische kern verzadigt.

Figuur 5 High-side MOSFET-drivercircuit

Disclaimer: dit artikel is overgenomen van "Hengli Electronics". Dit artikel vertegenwoordigt alleen de persoonlijke mening van de auteur en vertegenwoordigt niet de mening van Sacco Micro en de industrie. Het herdrukken en delen is alleen bedoeld om de bescherming van intellectuele eigendomsrechten te ondersteunen. Vermeld bij herdruk de originele bron en auteur. Als er sprake is van inbreuk, neem dan contact met ons op om deze te verwijderen.

Bedrijf Tel: +86-0755-83044319
Fax/fax:+86-0755-83975897
E-mail: 1615456225@qq.com
Vraag: 3518641314 Manager Li
Vraag: 332496225 Manager Qiu
Adres: Kamer 809, Blok C, Zhantao Technology Building, No.1079 Minzhi Avenue, Longhua New District, Shenzhen