Hoje, compartilho quatro circuitos comuns de acionamento de porta de transistor MOS. Todos eles foram usados?1. Tipo de acionamento direto ICA condução direta deste IC de potência é o modo de condução mais comum e simples.

Fig. 1 IC aciona diretamente a porta MOS

Usando este método, devemos prestar atenção a vários parâmetros e seus efeitos.

Primeiro, verifique o manual do IC de potência para obter a corrente máxima de acionamento de pico, porque diferentes chips IC têm diferentes capacidades de acionamento.

Em segundo lugar, verifique a capacitância parasita do MOSFET, como C1, C2 e C3 na figura. Se a capacitância for grande, a energia necessária para ligar o tubo MOS também será grande.

Se o IC de potência não tiver corrente de pico suficiente, o transistor ligará em uma velocidade mais lenta.Se a capacidade de acionamento for insuficiente, pode ocorrer oscilação de alta frequência na borda ascendente, e mesmo a redução de Rg na Figura 1 não resolverá o problema! No entanto, a capacidade de condução do IC, a capacitância parasita do MOSFET, a velocidade de comutação do MOSFET e outros fatores também afetarão a escolha da resistência de condução, portanto o Rg não pode ser reduzido indefinidamente.

2. O circuito do totem melhora a direção.A função do circuito de acionamento é aumentar a capacidade de fornecimento de corrente e concluir rapidamente o processo de carregamento da entrada do capacitor de porta. Essa topologia aumenta o tempo de ativação, mas reduz o tempo de desligamento, e o tubo de comutação pode ser ligado rapidamente, evitando a oscilação de alta frequência da borda ascendente.

Figura 2 unidade aprimorada de circuito de totem

3. Acione o circuito para acelerar o desligamento do tubo MOS.

No momento do desligamento, o circuito de acionamento pode fornecer um caminho com a menor impedância possível, de modo que o capacitor entre a porta e a fonte do MOSFET possa ser descarregado rapidamente e o tubo de comutação possa ser desligado rapidamente.

Para garantir a descarga rápida do capacitor C2 entre a porta e a fonte, um Rg2 e um diodo D1 são conectados em paralelo a Rg1.D1 geralmente adota diodo de recuperação rápida, que encurta o tempo de desligamento e reduz a perda de desligamento; A função do Rg2 é evitar que o IC de potência queime devido ao excesso de corrente quando for desligado.

Fig.3 acelerando o circuito de desligamento do transistor MOS

O circuito do totem também pode ser desligado rapidamente. Quando a capacidade de acionamento do IC de potência é suficiente, o circuito da Figura 2 pode ser melhorado para a forma mostrada na figura a seguir.

Fig. 4 circuito de desligamento do transistor MOS de aceleração melhoradoÉ muito comum usar triodo para descarregar a eletricidade do capacitor GS. Se o emissor de Q1 não tiver resistência, o capacitor entre a porta e a fonte do transistor PNP entrará em curto-circuito ao ser ligado, o que pode realizar a descarga no menor tempo e minimizar a perda cruzada quando for desligado .4. Devido à existência do triodo, a corrente do capacitor entre a porta e a fonte não será descarregada diretamente através do IC de potência, o que melhora a confiabilidade do circuito.

4. O circuito de acionamento do transformador acelera o desligamento do tubo MOS.Para atender aos requisitos de acionamento de transistores MOS de alta potência, conforme mostrado na Figura 5, normalmente são usados ​​drivers de transformador, às vezes para isolamento de segurança.O objetivo de R1 é impedir que a indutância parasita no PCB forme oscilação LC com C1, e seu objetivo de projeto é isolar DC e AC, evitando a saturação do núcleo magnético.

Figura 5 Circuito driver MOSFET do lado alto

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