Oggi condivido quattro comuni circuiti di pilotaggio del gate dei transistor MOS. Sono stati tutti utilizzati?1. Tipo di azionamento diretto ICLa guida diretta di questo circuito integrato di potenza è la modalità di guida più comune e più semplice.

Fig. 1 Il circuito integrato pilota direttamente il gate MOS

Utilizzando questo metodo, dovremmo prestare attenzione a diversi parametri e ai loro effetti.

Innanzitutto, controlla il manuale dell'IC di potenza per la corrente di pilotaggio di picco massima, perché diversi chip IC hanno capacità di pilotaggio diverse.

In secondo luogo, controllate la capacità parassita del MOSFET, come C1, C2 e C3 in figura. Se la capacità è elevata, anche l'energia necessaria per accendere il tubo MOS è elevata.

Se il circuito integrato di potenza non dispone di una corrente di picco sufficiente, il transistor si accenderà a una velocità inferiore.Se la capacità di guida è insufficiente, possono verificarsi oscillazioni ad alta frequenza sul fronte di salita e anche la riduzione di Rg nella Figura 1 non risolverà il problema! Tuttavia, anche la capacità di pilotaggio del circuito integrato, la capacità parassita del MOSFET, la velocità di commutazione del MOSFET e altri fattori influiranno sulla scelta della resistenza di pilotaggio, pertanto Rg non può essere ridotto indefinitamente.

2. Il circuito totem migliora la guida.La funzione del circuito di pilotaggio è aumentare la capacità di alimentazione di corrente e completare rapidamente il processo di carica dell'ingresso del condensatore di gate. Questa topologia aumenta il tempo di accensione, ma riduce il tempo di spegnimento e il tubo dell'interruttore può essere acceso rapidamente, evitando l'oscillazione ad alta frequenza del fronte di salita.

Figura 2 Azionamento potenziato del circuito totem pole

3. Pilotare il circuito per accelerare lo spegnimento del tubo MOS.

Al momento dello spegnimento, il circuito di pilotaggio può fornire un percorso con l'impedenza più bassa possibile, in modo che il condensatore tra il gate e la sorgente del MOSFET possa scaricarsi rapidamente e il tubo di commutazione possa essere spento rapidamente.

Per garantire la scarica rapida del condensatore C2 tra il gate e la sorgente, un Rg2 e un diodo D1 sono collegati in parallelo a Rg1.D1 adotta solitamente un diodo a recupero rapido, che riduce il tempo di spegnimento e la perdita di spegnimento; La funzione di Rg2 è quella di evitare che il circuito integrato di potenza si bruci a causa della corrente eccessiva quando è spento.

Fig. 3 circuito di spegnimento del transistor MOS accelerato

Il circuito del totem può anche essere spento rapidamente. Quando la capacità di pilotaggio del circuito integrato di potenza è sufficiente, il circuito nella Figura 2 può essere migliorato nella forma mostrata nella figura seguente.

Fig. 4 circuito di spegnimento del transistor MOS accelerato miglioratoÈ molto comune utilizzare il triodo per scaricare l'elettricità del condensatore GS. Se l'emettitore di Q1 non ha resistenza, il condensatore tra il gate e la sorgente del transistor PNP verrà cortocircuitato quando è acceso, il che può realizzare la scarica nel più breve tempo possibile e ridurre al minimo la perdita incrociata quando è spento .Fig. 4. A causa dell'esistenza del triodo, la corrente del condensatore tra il gate e la sorgente non verrà scaricata direttamente attraverso il circuito integrato di potenza, il che migliora l'affidabilità del circuito.

4. Il circuito di azionamento del trasformatore accelera lo spegnimento del tubo MOS.Per soddisfare i requisiti di pilotaggio dei transistor MOS high-side, come mostrato nella Figura 5, vengono solitamente utilizzati driver del trasformatore, talvolta per l'isolamento di sicurezza.Lo scopo di R1 è quello di impedire all'induttanza parassita sul PCB di formare oscillazioni LC con C1, e il suo scopo progettuale è quello di isolare DC e AC, prevenendo al contempo la saturazione del nucleo magnetico.

Figura 5 Circuito driver MOSFET lato alto

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