오늘은 일반적인 MOS 트랜지스터 게이트 구동 회로 4개를 공유하겠습니다. 다 사용됐나요?1. IC 직접 구동형이 전력 IC의 직접 구동은 가장 일반적이고 간단한 구동 모드입니다.

그림 1 IC는 MOS 게이트를 직접 구동합니다.

이 방법을 사용하면 여러 매개변수와 그 효과에 주의를 기울여야 합니다.

먼저, 최대 피크 구동 전류에 대해 전원 IC 매뉴얼을 확인하십시오. IC 칩마다 구동 기능이 다르기 때문입니다.

둘째, 그림에서 C1, C2, C3과 같은 MOSFET의 기생 커패시턴스를 확인하십시오. 커패시턴스가 크면 MOS 튜브를 켜는 데 필요한 에너지도 커집니다.

전원 IC에 피크 구동 전류가 충분하지 않으면 트랜지스터가 더 느린 속도로 켜집니다.구동 능력이 부족할 경우 상승 에지에서 고주파 진동이 발생할 수 있으며 그림 1에서 Rg를 줄여도 문제가 해결되지 않습니다! 그러나 IC 구동 능력, MOSFET의 기생 용량, MOSFET의 스위칭 속도 및 기타 요소도 구동 저항의 선택에 영향을 미치므로 Rg를 무한정 줄일 수는 없습니다.

2. 토템폴 회로로 주행성을 향상시켰습니다.구동 회로의 기능은 전류 공급 용량을 늘리고 게이트 커패시터 입력의 충전 프로세스를 신속하게 완료하는 것입니다. 이 토폴로지는 켜기 시간을 늘리지만 끄기 시간을 줄이고 스위치 튜브를 빠르게 켜서 상승 에지의 고주파 발진을 피할 수 있습니다.

그림 2 토템폴 회로 강화된 구동

3. MOS 튜브의 끄기 속도를 높이기 위해 회로를 구동하십시오.

턴오프 순간에 구동 회로는 가능한 한 가장 낮은 임피던스의 경로를 제공할 수 있으므로 MOSFET의 게이트와 소스 사이의 커패시터가 빠르게 방전될 수 있고 스위칭 튜브가 빠르게 턴오프될 수 있습니다.

게이트와 소스 사이의 커패시터 C2의 빠른 방전을 보장하기 위해 Rg2와 다이오드 D1이 Rg1에 병렬로 연결됩니다.D1은 일반적으로 빠른 회복 다이오드를 채택하여 턴오프 시간을 단축하고 턴오프 손실을 줄입니다. Rg2의 기능은 전원 IC가 꺼질 때 과도한 전류로 인해 전원 IC가 소손되는 것을 방지하는 것입니다.

그림 3 가속 MOS 트랜지스터 셧다운 회로

토템 폴 회로도 빠르게 끌 수 있습니다. 파워 IC의 구동 성능이 충분할 경우 그림 2의 회로는 다음 그림과 같은 형태로 개선될 수 있다.

그림 4 개선된 가속 MOS 트랜지스터 셧다운 회로GS 커패시터의 전기를 방전하기 위해 삼극관을 사용하는 것은 매우 일반적입니다. Q1의 이미터에 저항이 없으면 PNP 트랜지스터의 게이트와 소스 사이의 커패시터가 켜질 때 단락되어 최단 시간에 방전을 실현할 수 있고 꺼질 때 교차 손실을 최소화할 수 있습니다. .그림 4. XNUMX극관이 있기 때문에 게이트와 소스 사이의 커패시터 전류가 전력 IC를 통해 직접 방전되지 않아 회로의 신뢰성이 향상됩니다.

4. 변압기 구동 회로는 MOS 튜브의 끄기를 가속화합니다.그림 5에 표시된 것처럼 하이사이드 MOS 트랜지스터 구동 요구 사항을 충족하기 위해 일반적으로 변압기 드라이버가 사용되며 때로는 안전 절연을 위해 사용됩니다.R1의 목적은 PCB의 기생 인덕턴스가 C1과 함께 LC 발진을 형성하는 것을 억제하는 것이며, 설계 목적은 자기 코어가 포화되는 것을 방지하면서 DC와 AC를 분리하는 것입니다.

그림 5 하이사이드 MOSFET 드라이버 회로

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