วันนี้ฉันแบ่งปันวงจรการขับเคลื่อนประตูทรานซิสเตอร์ MOS ทั่วไปสี่วงจร พวกเขาทั้งหมดถูกนำมาใช้หรือไม่?1. ประเภทไดรฟ์โดยตรงของ ICการขับขี่โดยตรงของ Power IC นี้เป็นโหมดการขับขี่ที่ใช้บ่อยที่สุดและง่ายที่สุด

รูปที่ 1 ไอซีขับ MOS gate โดยตรง

เมื่อใช้วิธีนี้ เราควรใส่ใจกับพารามิเตอร์ต่างๆ และผลกระทบต่างๆ

ขั้นแรก ให้ตรวจสอบคู่มือ IC กำลังเพื่อดูกระแสไฟขับสูงสุดสูงสุด เนื่องจากชิป IC ที่ต่างกันมีความสามารถในการขับขี่ที่แตกต่างกัน

ประการที่สอง ตรวจสอบความจุปรสิตของ MOSFET เช่น C1, C2 และ C3 ในรูป หากความจุมีขนาดใหญ่ พลังงานที่ต้องใช้ในการเปิดหลอด MOS ก็มีมากเช่นกัน

หากกำลังไอซีมีกระแสไฟขับเคลื่อนสูงสุดไม่เพียงพอ ทรานซิสเตอร์จะเปิดที่ความเร็วช้าลงหากความสามารถในการขับขี่ไม่เพียงพอ อาจเกิดการสั่นของความถี่สูงที่ขอบขาขึ้น และแม้แต่การลด Rg ในรูปที่ 1 ก็ไม่สามารถแก้ปัญหาได้! อย่างไรก็ตาม ความสามารถในการขับเคลื่อนของ IC, ความจุปรสิตของ MOSFET, ความเร็วในการสลับของ MOSFET และปัจจัยอื่นๆ จะส่งผลต่อการเลือกความต้านทานในการขับขี่ด้วย ดังนั้น Rg จึงไม่สามารถลดลงได้อย่างไม่มีกำหนด

2.วงจรเสาโทเท็มช่วยเพิ่มการขับขี่ฟังก์ชั่นของวงจรขับเคลื่อนคือการเพิ่มความสามารถในการจ่ายกระแสไฟฟ้าและทำให้กระบวนการชาร์จของอินพุตตัวเก็บประจุเกทเสร็จสิ้นอย่างรวดเร็ว โทโพโลยีนี้จะเพิ่มเวลาเปิดเครื่อง แต่ลดเวลาปิดเครื่องลง และสามารถเปิดท่อสวิตช์ได้อย่างรวดเร็ว หลีกเลี่ยงการสั่นความถี่สูงของขอบที่เพิ่มขึ้น

รูปที่ 2 วงจรโทเท็มโพลที่ปรับปรุงแล้ว

3. ขับวงจรเพื่อเร่งการปิดท่อ MOS

ในขณะที่ปิดเครื่อง วงจรขับเคลื่อนสามารถให้เส้นทางที่มีอิมพีแดนซ์ต่ำที่สุดเท่าที่จะเป็นไปได้ เพื่อให้สามารถคายประจุตัวเก็บประจุระหว่างเกตและแหล่งกำเนิดของ MOSFET ได้อย่างรวดเร็ว และสามารถปิดท่อสวิตชิ่งได้อย่างรวดเร็ว

เพื่อให้มั่นใจว่าตัวเก็บประจุ C2 จะคายประจุอย่างรวดเร็วระหว่างเกตและแหล่งกำเนิด Rg2 และไดโอด D1 จะเชื่อมต่อแบบขนานกับ Rg1D1 มักจะใช้ไดโอดการกู้คืนที่รวดเร็ว ซึ่งจะทำให้เวลาการปิดเครื่องสั้นลง และลดการสูญเสียในการปิดเครื่อง หน้าที่ของ Rg2 คือป้องกันไม่ให้ Power IC ไหม้เนื่องจากกระแสไฟเกินเมื่อปิดเครื่อง

รูปที่ 3 เร่งวงจรปิดทรานซิสเตอร์ MOS

วงจรโทเท็มโพลสามารถปิดได้อย่างรวดเร็ว เมื่อความสามารถในการขับขี่ของ Power IC เพียงพอ วงจรในรูปที่ 2 สามารถปรับปรุงให้เป็นรูปแบบดังแสดงในรูปต่อไปนี้ได้

รูปที่ 4 ปรับปรุงวงจรปิดทรานซิสเตอร์ MOS แบบเร่งเป็นเรื่องปกติมากที่จะใช้ไตรโอดเพื่อคายประจุไฟฟ้าของตัวเก็บประจุ GS หากตัวส่งของ Q1 ไม่มีความต้านทาน ตัวเก็บประจุระหว่างเกตและแหล่งกำเนิดของทรานซิสเตอร์ PNP จะลัดวงจรเมื่อเปิดเครื่อง ซึ่งสามารถรับรู้การคายประจุได้ในเวลาอันสั้นที่สุด และลดการสูญเสียข้ามเมื่อปิดเครื่อง .รูปที่ 4 เนื่องจากการมีอยู่ของไตรโอด กระแสไฟฟ้าของตัวเก็บประจุระหว่างเกตและแหล่งกำเนิดจะไม่ถูกปล่อยออกมาโดยตรงผ่านไอซีกำลัง ซึ่งช่วยเพิ่มความน่าเชื่อถือของวงจร

4. วงจรขับเคลื่อนหม้อแปลงจะเร่งการปิดท่อ MOSเพื่อให้เป็นไปตามข้อกำหนดในการขับเคลื่อนทรานซิสเตอร์ MOS ด้านสูง ดังแสดงในรูปที่ 5 มักใช้ไดรเวอร์หม้อแปลงไฟฟ้า บางครั้งเพื่อแยกความปลอดภัยจุดประสงค์ของ R1 คือเพื่อยับยั้งการเหนี่ยวนำปรสิตบน PCB ไม่ให้เกิดการสั่นของ LC ด้วย C1 และจุดประสงค์ในการออกแบบคือเพื่อแยก DC และ AC ในขณะเดียวกันก็ป้องกันแกนแม่เหล็กไม่ให้อิ่มตัว

รูปที่ 5 วงจรขับ MOSFET ฝั่งสูง

ข้อจำกัดความรับผิดชอบ: บทความนี้ทำซ้ำจาก "Hengli Electronics" บทความนี้นำเสนอเฉพาะมุมมองส่วนตัวของผู้เขียน และไม่ได้เป็นตัวแทนมุมมองของ Sacco Micro และอุตสาหกรรม มีไว้สำหรับการพิมพ์ซ้ำและแบ่งปันเพื่อสนับสนุนการคุ้มครองสิทธิในทรัพย์สินทางปัญญาเท่านั้น โปรดระบุแหล่งที่มาต้นฉบับและผู้แต่งเมื่อพิมพ์ซ้ำ หากมีการละเมิดใด ๆ โปรดติดต่อเราเพื่อลบออก

โทรศัพท์บริษัท: +86-0755-83044319
แฟกซ์/แฟกซ์:+86-0755-83975897
อีเมล์: 1615456225@qq.com
QQ: 3518641314 ผู้จัดการหลี่
QQ: 332496225 ผู้จัดการชิว
ที่อยู่: ห้อง 809 บล็อก C อาคารเทคโนโลยี Zhantao เลขที่ 1079 Minzhi Avenue เขตหลงหัวใหม่ เซินเจิ้น