Hoy, comparto cuatro circuitos comunes de activación de compuertas de transistores MOS. ¿Se han usado todos?1. Tipo de accionamiento directo ICLa conducción directa de este IC de potencia es el modo de conducción más común y sencillo.

Fig. 1 IC controla directamente la puerta MOS

Al utilizar este método, debemos prestar atención a varios parámetros y sus efectos.

Primero, consulte el manual de circuitos integrados de potencia para conocer la corriente máxima de conducción, ya que diferentes chips IC tienen diferentes capacidades de conducción.

En segundo lugar, verifique la capacitancia parásita del MOSFET, como C1, C2 y C3 en la figura. Si la capacitancia es grande, la energía necesaria para encender el tubo MOS también lo será.

Si el IC de potencia no tiene suficiente corriente máxima de excitación, el transistor se encenderá a una velocidad más lenta.Si la capacidad de conducción es insuficiente, pueden producirse oscilaciones de alta frecuencia en el flanco ascendente, e incluso reducir Rg en la Figura 1 no resolverá el problema. Sin embargo, la capacidad de conducción del IC, la capacitancia parásita del MOSFET, la velocidad de conmutación del MOSFET y otros factores también afectarán la elección de la resistencia de conducción, por lo que Rg no se puede reducir indefinidamente.

2. El circuito de tótem mejora la conducción.La función del circuito impulsor es aumentar la capacidad de suministro de corriente y completar rápidamente el proceso de carga de la entrada del condensador de compuerta. Esta topología aumenta el tiempo de encendido, pero reduce el tiempo de apagado y el tubo del interruptor se puede encender rápidamente, evitando la oscilación de alta frecuencia del flanco ascendente.

Figura 2 unidad mejorada del circuito de tótem

3. Conduzca el circuito para acelerar el apagado del tubo MOS.

En el momento del apagado, el circuito de excitación puede proporcionar un camino con la impedancia más baja posible, de modo que el condensador entre la puerta y la fuente del MOSFET se pueda descargar rápidamente y el tubo de conmutación se pueda apagar rápidamente.

Para garantizar la descarga rápida del condensador C2 entre la puerta y la fuente, se conectan en paralelo a Rg2 un Rg1 y un diodo D1.D1 generalmente adopta un diodo de recuperación rápida, que acorta el tiempo de apagado y reduce la pérdida de apagado; La función de Rg2 es evitar que el IC de alimentación se queme debido a una corriente excesiva cuando está apagado.

Fig.3 circuito de apagado del transistor MOS acelerado

El circuito del tótem también se puede apagar rápidamente. Cuando la capacidad de conducción del IC de potencia es suficiente, el circuito de la Figura 2 se puede mejorar hasta la forma que se muestra en la siguiente figura.

Fig.4 circuito de apagado del transistor MOS acelerado mejoradoEs muy común utilizar triodo para descargar la electricidad del condensador GS. Si el emisor de Q1 no tiene resistencia, el condensador entre la puerta y la fuente del transistor PNP sufrirá un cortocircuito cuando se encienda, lo que puede realizar la descarga en el menor tiempo y minimizar la pérdida cruzada cuando se apaga. .Fig. 4. Debido a la existencia del triodo, la corriente del capacitor entre la puerta y la fuente no se descargará directamente a través del IC de potencia, lo que mejora la confiabilidad del circuito.

4. El circuito de accionamiento del transformador acelera el apagado del tubo MOS.Para cumplir con los requisitos de activación de transistores MOS del lado alto, como se muestra en la Figura 5, generalmente se utilizan controladores de transformador, a veces para aislamiento de seguridad.El propósito de R1 es impedir que la inductancia parásita en la PCB forme una oscilación LC con C1, y su propósito de diseño es aislar CC y CA, al tiempo que evita la saturación del núcleo magnético.

Figura 5 Circuito controlador MOSFET de lado alto

Descargo de responsabilidad: este artículo es una reproducción de "Hengli Electronics". Este artículo solo representa los puntos de vista personales del autor y no representa los puntos de vista de Sacco Micro y la industria. Es sólo para reimprimir y compartir para apoyar la protección de los derechos de propiedad intelectual. Indique la fuente original y el autor al reimprimir. Si hay alguna infracción, contáctenos para eliminarla.

Teléfono de la empresa: +86-0755-83044319
Fax/fax:+86-0755-83975897
Correo electrónico: 1615456225@qq.com
Pregunta: 3518641314 Gerente Li
Pregunta: 332496225 Gerente Qiu
Dirección: Sala 809, Bloque C, Edificio de Tecnología Zhantao, Avenida Minzhi No.1079, Nuevo Distrito de Longhua, Shenzhen