Heute teile ich vier gemeinsame MOS-Transistor-Gate-Treiberschaltungen. Wurden sie alle verwendet?1. IC-DirektantriebstypDie direkte Ansteuerung dieses Leistungs-ICs ist die gebräuchlichste und einfachste Antriebsart.

Abb. 1 IC steuert direkt das MOS-Gate

Bei dieser Methode sollten wir auf mehrere Parameter und deren Auswirkungen achten.

Überprüfen Sie zunächst im Handbuch des Leistungs-IC den maximalen Spitzentreiberstrom, da verschiedene IC-Chips unterschiedliche Treiberfunktionen haben.

Überprüfen Sie zweitens die parasitäre Kapazität des MOSFET, wie z. B. C1, C2 und C3 in der Abbildung. Wenn die Kapazität groß ist, ist auch die zum Einschalten der MOS-Röhre erforderliche Energie groß.

Wenn der Leistungs-IC nicht über genügend Spitzenstrom verfügt, schaltet sich der Transistor langsamer ein.Wenn die Antriebsfähigkeit nicht ausreicht, können an der Anstiegsflanke hochfrequente Schwingungen auftreten, und selbst eine Reduzierung von Rg in Abbildung 1 wird das Problem nicht lösen! Allerdings wirken sich auch die IC-Treiberfähigkeit, die parasitäre Kapazität des MOSFET, die Schaltgeschwindigkeit des MOSFET und andere Faktoren auf die Wahl des Treiberwiderstands aus, sodass Rg nicht unbegrenzt reduziert werden kann.

2. Die Totempfahl-Schaltung verbessert das Fahren.Die Funktion der Treiberschaltung besteht darin, die Stromversorgungskapazität zu erhöhen und den Ladevorgang des Gate-Kondensatoreingangs schnell abzuschließen. Diese Topologie erhöht die Einschaltzeit, verkürzt jedoch die Ausschaltzeit, und die Schaltröhre kann schnell eingeschaltet werden, wodurch die hochfrequente Schwingung der ansteigenden Flanke vermieden wird.

Abbildung 2: Totempfahlschaltung mit verbessertem Antrieb

3. Treiben Sie die Schaltung an, um das Ausschalten der MOS-Röhre zu beschleunigen.

Im Moment des Ausschaltens kann die Treiberschaltung einen Pfad mit möglichst geringer Impedanz bereitstellen, sodass der Kondensator zwischen Gate und Source des MOSFET schnell entladen und die Schaltröhre schnell ausgeschaltet werden kann.

Um die schnelle Entladung des Kondensators C2 zwischen Gate und Source zu gewährleisten, sind parallel zu Rg2 ein Rg1 und eine Diode D1 geschaltet.D1 verwendet normalerweise eine schnelle Erholungsdiode, die die Abschaltzeit verkürzt und den Abschaltverlust reduziert. Die Funktion von Rg2 besteht darin, zu verhindern, dass der Leistungs-IC beim Ausschalten durch übermäßigen Strom durchbrennt.

Abb. 3 Beschleunigungs-MOS-Transistor-Abschaltschaltung

Auch die Totempfahlschaltung lässt sich schnell abschalten. Wenn die Ansteuerfähigkeit des Leistungs-IC ausreichend ist, kann die Schaltung in Abbildung 2 auf die in der folgenden Abbildung gezeigte Form verbessert werden.

Abb. 4 verbesserte Beschleunigungs-MOS-Transistor-AbschaltschaltungEs ist sehr üblich, Trioden zu verwenden, um die Elektrizität eines GS-Kondensators zu entladen. Wenn der Emitter von Q1 keinen Widerstand aufweist, wird der Kondensator zwischen Gate und Source des PNP-Transistors beim Einschalten kurzgeschlossen, wodurch die Entladung in kürzester Zeit erfolgen und der Querverlust beim Ausschalten minimiert werden kann .Abb. 4. Aufgrund der Triode wird der Kondensatorstrom zwischen Gate und Source nicht direkt über den Leistungs-IC entladen, was die Zuverlässigkeit der Schaltung verbessert.

4. Die Transformator-Ansteuerschaltung beschleunigt das Ausschalten der MOS-Röhre.Um die Anforderungen der Ansteuerung von High-Side-MOS-Transistoren zu erfüllen, wie in Abbildung 5 dargestellt, werden üblicherweise Transformatortreiber verwendet, manchmal auch zur Sicherheitsisolierung.Der Zweck von R1 besteht darin, zu verhindern, dass die parasitäre Induktivität auf der Leiterplatte eine LC-Schwingung mit C1 bildet, und sein Konstruktionszweck besteht darin, Gleich- und Wechselstrom zu isolieren und gleichzeitig eine Sättigung des Magnetkerns zu verhindern.

Abbildung 5 High-Side-MOSFET-Treiberschaltung

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