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Aujourd'hui, je partage quatre circuits communs de commande de grille de transistor MOS. Ont-ils tous été utilisés ?1. Type à entraînement direct ICLe pilotage direct de ce circuit intégré de puissance est le mode de pilotage le plus courant et le plus simple.
Fig. 1 IC pilote directement la porte MOS
En utilisant cette méthode, nous devons prêter attention à plusieurs paramètres et à leurs effets.
Tout d'abord, vérifiez le manuel du circuit intégré de puissance pour connaître le courant de commande de crête maximum, car différentes puces IC ont des capacités de pilotage différentes.
Deuxièmement, vérifiez la capacité parasite du MOSFET, comme C1, C2 et C3 sur la figure. Si la capacité est importante, l'énergie nécessaire à la mise en conduction du tube MOS est également importante.
Si le circuit intégré de puissance n'a pas suffisamment de courant de pointe, le transistor s'allumera à une vitesse plus lente.Si la capacité de conduite est insuffisante, une oscillation haute fréquence peut se produire au niveau du front montant, et même la réduction de Rg sur la figure 1 ne résoudra pas le problème ! Cependant, la capacité de pilotage du circuit intégré, la capacité parasite du MOSFET, la vitesse de commutation du MOSFET et d'autres facteurs affecteront également le choix de la résistance de pilotage, de sorte que Rg ne peut pas être réduit indéfiniment.
2. Le circuit totem améliore la conduite.La fonction du circuit de commande est d'augmenter la capacité d'alimentation en courant et de terminer rapidement le processus de charge de l'entrée du condensateur de grille. Cette topologie augmente le temps d'activation, mais réduit le temps d'arrêt, et le tube de commutation peut être allumé rapidement, évitant ainsi l'oscillation haute fréquence du front montant.
Entraînement amélioré du circuit totem de la figure 23. Pilotez le circuit pour accélérer l'arrêt du tube MOS.
Au moment de la mise hors tension, le circuit de commande peut fournir un chemin avec l'impédance la plus faible possible, de sorte que le condensateur entre la grille et la source du MOSFET puisse être déchargé rapidement et que le tube de commutation puisse être éteint rapidement.
Afin d'assurer la décharge rapide du condensateur C2 entre la grille et la source, un Rg2 et une diode D1 sont connectés en parallèle sur Rg1.D1 adopte généralement une diode à récupération rapide, ce qui raccourcit le temps d'arrêt et réduit la perte d'arrêt ; La fonction de Rg2 est d'empêcher le circuit intégré de puissance de griller en raison d'un courant excessif lorsqu'il est éteint.
Fig. 3 Circuit d'arrêt du transistor MOS accélérateurLe circuit du totem peut également être désactivé rapidement. Lorsque la capacité de pilotage du circuit intégré de puissance est suffisante, le circuit de la figure 2 peut être amélioré pour prendre la forme illustrée dans la figure suivante.
Figure 4 : Circuit d'arrêt amélioré du transistor MOS accélérateurIl est très courant d'utiliser une triode pour décharger l'électricité du condensateur GS. Si l'émetteur de Q1 n'a pas de résistance, le condensateur entre la grille et la source du transistor PNP sera court-circuité lorsqu'il est allumé, ce qui peut réaliser la décharge dans les plus brefs délais et minimiser la perte croisée lorsqu'il est éteint. .Fig. 4. En raison de l'existence d'une triode, le courant du condensateur entre la grille et la source ne sera pas déchargé directement à travers le circuit intégré de puissance, ce qui améliore la fiabilité du circuit.4. Le circuit de commande du transformateur accélère la désactivation du tube MOS.Afin de répondre aux exigences de pilotage des transistors MOS high-side, comme le montre la figure 5, des pilotes de transformateur sont généralement utilisés, parfois pour une isolation de sécurité.Le but de R1 est d'empêcher l'inductance parasite sur le PCB de former une oscillation LC avec C1, et son objectif de conception est d'isoler le courant continu et le courant alternatif, tout en empêchant la saturation du noyau magnétique.
Figure 5 Circuit de commande MOSFET côté haut
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