Bugün dört ortak MOS transistör kapısı sürüş devresini paylaşıyorum. Hepsi kullanıldı mı?1. IC doğrudan tahrik tipiBu güç entegresinin doğrudan sürülmesi en yaygın ve en basit sürüş modudur.

Şekil 1 IC doğrudan MOS kapısını çalıştırır

Bu yöntemi kullanırken çeşitli parametrelere ve bunların etkilerine dikkat etmeliyiz.

İlk olarak, maksimum tepe sürüş akımı için güç IC kılavuzuna bakın, çünkü farklı IC yongaları farklı sürüş yeteneklerine sahiptir.

İkinci olarak, şekildeki C1, C2 ve C3 gibi MOSFET'in parazitik kapasitansını kontrol edin. Kapasitans büyükse MOS tüpünü açmak için gereken enerji de büyüktür.

Güç IC'sinde yeterli tepe sürücü akımı yoksa, transistör daha yavaş bir hızda açılacaktır.Sürüş kabiliyeti yetersizse yükselen kenarda yüksek frekanslı salınım meydana gelebilir ve Şekil 1'deki Rg'yi azaltmak bile sorunu çözmez! Bununla birlikte, IC sürüş yeteneği, MOSFET'in parazitik kapasitansı, MOSFET'in anahtarlama hızı ve diğer faktörler de sürüş direnci seçimini etkileyecektir, dolayısıyla Rg süresiz olarak azaltılamaz.

2. totem direği devresi sürüşü geliştirir.Sürüş devresinin işlevi, akım besleme kapasitesini arttırmak ve kapı kapasitör girişinin şarj işlemini hızlı bir şekilde tamamlamaktır. Bu topoloji, açılma süresini arttırır, ancak kapanma süresini azaltır ve anahtar tüpü, yükselen kenarın yüksek frekanslı salınımını önleyerek hızlı bir şekilde açılabilir.

Şekil 2 totem kutup devresi geliştirilmiş sürücü

3. MOS tüpünün kapanmasını hızlandırmak için devreyi çalıştırın.

Kapatma anında, sürücü devresi mümkün olan en düşük empedansa sahip bir yol sağlayabilir, böylece kapı ile MOSFET'in kaynağı arasındaki kapasitör hızlı bir şekilde boşaltılabilir ve anahtarlama tüpü hızlı bir şekilde kapatılabilir.

Kapı ile kaynak arasındaki C2 kapasitörünün hızlı deşarjını sağlamak için bir Rg2 ve bir D1 diyotu Rg1'e paralel olarak bağlanmıştır.D1 genellikle kapanma süresini kısaltan ve kapanma kaybını azaltan hızlı iyileşme diyotunu kullanır; Rg2'nin işlevi, güç entegresinin kapatıldığında aşırı akım nedeniyle yanmasını önlemektir.

Şekil 3 MOS transistörünü hızlandıran kapatma devresi

Totem direği devresi de hızlı bir şekilde kapatılabilir. Güç IC'sinin sürüş kapasitesi yeterli olduğunda, Şekil 2'deki devre aşağıdaki şekilde gösterilen forma geliştirilebilir.

Şekil 4 geliştirilmiş hızlandırıcı MOS transistör kapatma devresiGS kapasitörünün elektriğini boşaltmak için triyot kullanmak çok yaygındır. Q1'in yayıcısının direnci yoksa, kapı ile PNP transistörünün kaynağı arasındaki kapasitör açıldığında kısa devre yapacaktır, bu da en kısa sürede deşarjı gerçekleştirebilir ve kapatıldığında çapraz kaybı en aza indirebilir .Şekil 4. Triyotun varlığı nedeniyle, kapı ile kaynak arasındaki kapasitör akımı doğrudan güç IC'si üzerinden boşaltılmayacaktır, bu da devrenin güvenilirliğini artırır.

4. Transformatör tahrik devresi MOS tüpünün kapanmasını hızlandırır.Şekil 5'te gösterildiği gibi, yüksek taraf MOS transistörlerinin çalıştırılmasının gereksinimlerini karşılamak için, bazen güvenlik izolasyonu için genellikle transformatör sürücüleri kullanılır.R1'in amacı PCB üzerindeki parazitik endüktansın C1 ile LC salınımı oluşturmasını engellemektir ve tasarım amacı manyetik çekirdeğin doymasını önlerken DC ve AC'yi izole etmektir.

Şekil 5 Yüksek taraf MOSFET sürücü devresi

Yasal Uyarı: Bu makale "Hengli Electronics"ten kopyalanmıştır. Bu makale yalnızca yazarın kişisel görüşlerini temsil etmekte olup Sacco Micro ve sektörün görüşlerini temsil etmemektedir. Fikri mülkiyet haklarının korunmasını desteklemek amacıyla yalnızca yeniden basılması ve paylaşılması içindir. Lütfen yeniden basarken orijinal kaynağı ve yazarını belirtin. Herhangi bir ihlal varsa, silmek için lütfen bizimle iletişime geçin.

Şirket Tel: +86-0755-83044319
Faks/faks:+86-0755-83975897
E-posta: 1615456225@qq.com
QQ: 3518641314 Yönetici Li
QQ: 332496225 Yönetici Qiu
Adres: Oda 809, Blok C, Zhantao Teknoloji Binası, No.1079 Minzhi Bulvarı, Longhua Yeni Bölgesi, Shenzhen