Kapasitan Parasit dan Ciri Suhu MOSFET

Kapasitan MOSFET

Dalam struktur MOSFET kuasa, seperti yang ditunjukkan dalam Rajah 1, terdapat kapasiti parasit.

Dari segi struktur MOSFET kuasa, seperti yang ditunjukkan dalam Rajah 1, terdapat kapasitansi parasit. Terminal G (pintu) MOSFET terlindung daripada elektrod lain oleh filem oksida, dan persimpangan PN dibentuk di antara DS (longkang, punca) untuk membentuk struktur diod terbina dalam. Cgs, kapasiti Cgd ditentukan oleh kemuatan filem oksida, dan Cds ditentukan oleh kapasiti persimpangan diod terbina dalam.

Secara umumnya, tiga jenis Ciss/Coss/Crss dalam Jadual 1 direkodkan dalam spesifikasi MOSFET.

Seperti yang ditunjukkan dalam Rajah 2, ciri kemuatan bergantung pada voltan VDS antara DS (saliran dan punca). Lebih besar VDS, lebih kecil nilai kapasiti.

Ciri-ciri suhu

Contoh ukuran sebenar ditunjukkan dalam Rajah (1) ~ (3)

Terdapat sedikit perbezaan dalam pergantungan suhu ciri kapasiti.

至产品详细网页

Mengenai pensuisan MOSFET dan ciri suhunya

Mengenai masa penukaran MOSFET

Selepas voltan get ON/OFF, MOSFET adalah ON/OFF. Masa tunda ini ialah masa bertukar. Masa penukaran adalah seperti yang ditunjukkan dalam Jadual 1. Secara umumnya, td(on)/tr/td(off)/tf direkodkan dalam spesifikasi.

Slkor menentukan jenis. nilai spesifikasi berdasarkan nilai litar yang diukur dalam Rajah 2.

Jadual 1: Ciri SW MOSFET

Menandakan	Kandungan
td(on)	Hidupkan masa tunda (VGS 10%→VDS 90%)
tr	Masa Bangkit (VDS 90%→VDS 10%)
td(mati)	masa tunda OFF (VGS 90%→VDS 10%)
tf	masa jatuh (VDS 10%→VDS 90%)
ton	masa pembukaan (td(on) +tr)
toff	masa OFF (td(mati) +tf)

Ciri-ciri suhu

Contoh yang diukur ditunjukkan dalam Rajah 3(1)~(4).

Masa pensuisan meningkat sedikit apabila suhu meningkat, tetapi ia meningkat sebanyak kira-kira 10% apabila suhu meningkat kepada 100°C, dan hampir tiada pergantungan suhu ciri pensuisan.

至产品详细网页

Mengenai VGS (th) daripada MOSFET (nilai ambang)

Mengenai VGS (th) daripada MOSFET

Apabila MOSFET dihidupkan, voltan yang diperlukan antara GS (pintu, sumber) dipanggil VGS(th) (nilai ambang).

Iaitu, apabila voltan di atas nilai had dimasukkan, MOSFET dihidupkan.

Jadi berapa banyak arus A yang boleh dilalui oleh MOSFET apabila ia berada dalam keadaan hidup? Bagi setiap komponen, ia direkodkan dalam lajur ciri elektrik helaian spesifikasi.

Jadual 1 ialah contoh lajur ciri elektrik bagi spesifikasi. Dalam kes ini, apabila input VDS=10V, ID voltan ambang pintu yang diperlukan untuk menghantar arus 1mA melalui ID ialah 1.0V hingga 2.5V.

至产品详细网页

ID-VGS ciri dan ciri suhu

Rajah 1 dan 2 menunjukkan contoh ukuran sebenar ID-VGS ciri dan ciri suhu ambang.

Seperti yang ditunjukkan dalam Rajah 1, untuk menghantar sebahagian besar arus, voltan pintu yang agak besar diperlukan.

Model yang disenaraikan dalam Jadual 1 mempunyai nilai had 2.5V atau kurang dalam spesifikasi, tetapi ia adalah produk dipacu 4V.

Apabila menggunakan, sila masukkan voltan get untuk menghidupkannya dengan secukupnya.

Seperti yang ditunjukkan dalam Rajah 2, nilai had berkurangan dengan suhu.

Dengan memerhatikan perubahan voltan ambang, suhu saluran unsur boleh dikira.