Karakteristik Kapasitansi Parasit dan Suhu MOSFET

Kapasitansi MOSFET

Dalam struktur daya MOSFET, seperti ditunjukkan pada Gambar 1, terdapat kapasitas parasit.

Dalam hal struktur daya MOSFET, seperti yang ditunjukkan pada Gambar 1, terdapat kapasitansi parasit. Terminal G (gerbang) MOSFET diisolasi dari elektroda lain dengan film oksida, dan sambungan PN dibentuk antara DS (saluran, sumber) untuk membentuk struktur dioda bawaan. Cgs, kapasitas Cgd ditentukan oleh kapasitansi film oksida, dan Cds ditentukan oleh kapasitas sambungan dioda internal.

Secara umum, ketiga tipe Ciss/Coss/Crss pada Tabel 1 dicatat dalam spesifikasi MOSFET.

Seperti ditunjukkan pada Gambar 2, karakteristik kapasitansi bergantung pada tegangan VDS antara DS (saluran dan sumber). Semakin besar VDS maka semakin kecil nilai kapasitasnya.

Karakteristik suhu

Contoh pengukuran sebenarnya ditunjukkan pada Gambar (1) ~ (3)

Ada sedikit perbedaan dalam ketergantungan suhu pada karakteristik kapasitas.

至产品详细网页

Tentang peralihan MOSFET dan karakteristik suhunya

Tentang waktu peralihan MOSFET

Setelah tegangan gerbang ON/OFF, MOSFET ON/OFF. Waktu tunda ini adalah waktu peralihan. Waktu peralihan seperti yang ditunjukkan pada Tabel 1. Secara umum, td(on)/tr/td(off)/tf dicatat dalam spesifikasi.

Slkor menentukan jenisnya. nilai spesifikasi berdasarkan nilai terukur rangkaian pada Gambar 2.

Tabel 1: Karakteristik SW MOSFET

Mark	Konten
tmengenakan)	Nyalakan waktu tunda (VGS 10%→VDS 90%)
tr	Bangun Waktu (VDS 90%→VDS 10%)
td (mati)	MATI waktu tunda (VGS 90%→VDS 10%)
tf	waktu musim gugur (VDS 10%→VDS 90%)
ton	waktu pembukaan (tmengenakan) +tr)
tlepas	waktu MATI (td (mati) +tf)

Karakteristik suhu

Contoh yang diukur ditunjukkan pada Gambar 3(1)~(4).

Waktu peralihan sedikit meningkat seiring dengan kenaikan suhu, tetapi meningkat sekitar 10% saat suhu naik hingga 100°C, dan hampir tidak ada ketergantungan suhu pada karakteristik peralihan.

至产品详细网页

Mengenai VGS (th) dari MOSFET (nilai ambang batas)

Tentang VGS (th) dari MOSFET

Ketika MOSFET dihidupkan, tegangan yang dibutuhkan antara GS (gerbang, sumber) disebut VGS(th) (nilai ambang batas).

Artinya, ketika tegangan di atas nilai batas dimasukkan, MOSFET dihidupkan.

Jadi berapa arus A yang dapat dilewati MOSFET ketika dalam keadaan hidup? Untuk setiap komponen dicatat pada kolom karakteristik kelistrikan pada lembar spesifikasi.

Tabel 1 adalah contoh kolom karakteristik kelistrikan dari spesifikasi. Dalam hal ini, ketika input VDS=10V, tegangan ambang gerbang ID(th) yang diperlukan untuk mengalirkan arus 1mA melalui ID adalah 1.0V hingga 2.5V.

至产品详细网页

ID-VGS karakteristik dan karakteristik suhu

Gambar 1 dan 2 menunjukkan contoh pengukuran aktual ID-VGS karakteristik dan karakteristik suhu ambang batas.

Seperti yang ditunjukkan pada Gambar 1, untuk melewatkan sebagian besar arus, diperlukan tegangan gerbang yang relatif besar.

Model yang tercantum dalam Tabel 1 memiliki nilai batas 2.5V atau kurang dalam spesifikasinya, namun merupakan produk yang digerakkan oleh 4V.

Saat menggunakan, harap masukkan tegangan gerbang agar cukup menyala.

Seperti yang ditunjukkan pada Gambar 2, nilai batas menurun seiring dengan suhu.

Dengan mengamati perubahan tegangan ambang batas, suhu saluran elemen dapat dihitung.