Características de capacitância e temperatura parasitas do MOSFET

Capacitância do MOSFET

Na estrutura do MOSFET de potência, conforme mostra a Figura 1, existe uma capacidade parasita.

Em termos da estrutura do MOSFET de potência, conforme mostrado na Figura 1, existe uma capacitância parasita. O terminal G (gate) do MOSFET é isolado de outros eletrodos por uma película de óxido, e uma junção PN é formada entre o DS (dreno, fonte) para formar uma estrutura de diodo embutida. A capacidade Cgs, Cgd é determinada pela capacitância do filme de óxido e Cds é determinada pela capacidade de junção do diodo embutido.

De modo geral, os três tipos de Ciss/Coss/Crss na Tabela 1 são registrados na especificação MOSFET.

Conforme mostrado na Figura 2, as características de capacitância dependem da tensão VDS entre DS (dreno e fonte). Quanto maior o VDS, menor o valor da capacidade.

Características da temperatura

Os exemplos reais de medição são mostrados nas Figuras (1) ~ (3)

Há pouca diferença na dependência da temperatura das características de capacidade.

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Sobre a comutação MOSFET e suas características de temperatura

Sobre o tempo de comutação MOSFET

Depois que a tensão da porta estiver LIGADA/DESLIGADA, o MOSFET estará LIGADO/DESLIGADO. Este tempo de atraso é o tempo de comutação. O tempo de comutação é mostrado na Tabela 1. De modo geral, td(on)/tr/td(off)/tf são registrados na especificação.

Slkor determina o tipo. valor da especificação com base no valor medido do circuito na Figura 2.

Tabela 1: Características SW dos MOSFETs

Mark	Conteúdo
td (ativado)	Ativar tempo de atraso (VGS 10%→VDS 90%)
tr	Tempo de subida (VDS 90%→VDS 10%)
td (desativado)	Tempo de atraso desligado (VGS 90%→VDS 10%)
tf	tempo de outono (VDS 10%→VDS 90%)
ton	Tempo de abertura (td (ativado) + tr)
tWOW!	Tempo DESLIGADO (td (desativado) + tf)

Características da temperatura

Os exemplos medidos são mostrados na Figura 3(1)~(4).

O tempo de comutação aumenta ligeiramente à medida que a temperatura aumenta, mas aumenta cerca de 10% quando a temperatura sobe para 100°C, e quase não há dependência da temperatura nas características de comutação.

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Em relação a VGS (th) do MOSFET (valor limite)

Sobre V.GS (th) de MOSFET

Quando o MOSFET é ligado, a tensão necessária entre GS (porta, fonte) é chamada VGS(th) (valor limite).

Ou seja, quando a tensão acima do valor limite é inserida, o MOSFET é ligado.

Então, quanta corrente A o MOSFET pode passar quando está ligado? Para cada componente, ele é registrado na coluna de características elétricas da ficha de especificações.

A Tabela 1 é um exemplo da coluna de características elétricas da especificação. Neste caso, quando a entrada VDS = 10V, a tensão limite da porta ID(th) necessária para passar a corrente de 1mA através do ID é de 1.0V a 2.5V.

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ID-VGS características e características de temperatura

As Figuras 1 e 2 mostram os exemplos reais de medição de ID-VGS características e características de temperatura limite.

Conforme mostrado na Figura 1, para passar a maior parte da corrente, é necessária uma tensão de porta relativamente grande.

Os modelos listados na Tabela 1 possuem valor limite de 2.5V ou menos nas especificações, mas são produtos acionados por 4V.

Ao usar, insira a tensão do portão para que ele ligue o suficiente.

Conforme mostrado na Figura 2, o valor limite diminui com a temperatura.

Observando a mudança da tensão limite, a temperatura do canal do elemento pode ser calculada.