ลักษณะความจุและอุณหภูมิของปรสิตของ MOSFET

ความจุของ MOSFET

ในโครงสร้างของเพาเวอร์มอสเฟต ดังแสดงในรูปที่ 1 มีความจุของกาฝาก

ในส่วนของโครงสร้างของเพาเวอร์มอสเฟต ดังแสดงในรูปที่ 1 จะมีความจุแบบปรสิต ขั้วต่อ G (เกต) ของ MOSFET ถูกหุ้มฉนวนจากอิเล็กโทรดอื่นๆ ด้วยฟิล์มออกไซด์ และจุดเชื่อมต่อ PN ถูกสร้างขึ้นระหว่าง DS (เดรน, แหล่งที่มา) เพื่อสร้างโครงสร้างไดโอดในตัว Cgs, ความจุ Cgd ถูกกำหนดโดยความจุของฟิล์มออกไซด์ และ Cd ถูกกำหนดโดยความจุทางแยกของไดโอดในตัว

โดยทั่วไปแล้ว Ciss/Coss/Crss สามประเภทในตารางที่ 1 จะถูกบันทึกไว้ในข้อกำหนด MOSFET

ดังแสดงในรูปที่ 2 ลักษณะความจุขึ้นอยู่กับแรงดันไฟฟ้า VDS ระหว่าง DS (เดรนและแหล่งกำเนิด) ยิ่ง VDS มาก ค่าความจุก็จะยิ่งน้อยลง

ลักษณะอุณหภูมิ

ตัวอย่างการวัดจริงแสดงไว้ในรูปที่ (1) ~ (3)

ขึ้นอยู่กับอุณหภูมิของคุณลักษณะความจุมีความแตกต่างกันเล็กน้อย

至产品详细网页

เกี่ยวกับการสลับ MOSFET และลักษณะอุณหภูมิ

เกี่ยวกับเวลาเปลี่ยน MOSFET

หลังจากที่แรงดันเกตเปิด/ปิดแล้ว MOSFET จะเปิด/ปิด เวลาหน่วงนี้คือเวลาเปลี่ยน เวลาในการเปลี่ยนดังแสดงในตารางที่ 1 โดยทั่วไปแล้ว td(on)/tr/td(off)/tf จะถูกบันทึกไว้ในข้อกำหนด

Slkor กำหนดประเภท ค่าของข้อกำหนดตามค่าที่วัดได้ของวงจรในรูปที่ 2

ตารางที่ 1: ลักษณะ SW ของ MOSFET

ผลิตโดย	คอนเทนต์
td (บน)	เปิดการหน่วงเวลา (VGS 10%→วีDS 90%)
tr	เวลาเพิ่มขึ้น (VDS 90%→วีDS 10%)
td (ปิด)	ปิดการหน่วงเวลา (VGS 90%→วีDS 10%)
tf	ตกเวลา (VDS 10%→วีDS 90%)
ton	เวลาเปิดทำการ (td (บน) +tr)
tปิด	ช่วงวันหยุดหรือไม่ไปทำงาน (td (ปิด) +tf)

ลักษณะอุณหภูมิ

ตัวอย่างที่วัดได้จะแสดงในรูปที่ 3(1)~(4)

เวลาในการเปลี่ยนจะเพิ่มขึ้นเล็กน้อยเมื่ออุณหภูมิเพิ่มขึ้น แต่จะเพิ่มขึ้นประมาณ 10% เมื่ออุณหภูมิสูงขึ้นถึง 100°C และแทบไม่มีการขึ้นอยู่กับอุณหภูมิของคุณลักษณะการสลับ

至产品详细网页

เกี่ยวกับ วีGS (TH) ของ MOSFET (ค่าเกณฑ์)

เกี่ยวกับ วีGS (TH) ของมอสเฟต

เมื่อ MOSFET เปิดอยู่ แรงดันไฟฟ้าที่ต้องการระหว่าง GS (เกต, แหล่งที่มา) จะเรียกว่า VGS(th) (ค่าเกณฑ์)

นั่นคือเมื่อมีการป้อนแรงดันไฟฟ้าที่สูงกว่าค่าขีดจำกัด MOSFET จะเปิดขึ้น

MOSFET สามารถผ่านกระแสได้เท่าใดเมื่ออยู่ในสถานะเปิด? สำหรับแต่ละส่วนประกอบ จะถูกบันทึกไว้ในคอลัมน์คุณลักษณะทางไฟฟ้าของเอกสารข้อมูลจำเพาะ

ตารางที่ 1 เป็นตัวอย่างคอลัมน์คุณลักษณะทางไฟฟ้าของข้อกำหนดเฉพาะ ในกรณีนี้ เมื่ออินพุต VDS=10V แรงดันไฟฟ้าเกณฑ์เกต ID(th) ที่ต้องใช้ในการส่งกระแส 1mA ผ่าน ID คือ 1.0V ถึง 2.5V

至产品详细网页

ID-VGS ลักษณะและลักษณะอุณหภูมิ

รูปที่ 1 และ 2 แสดงตัวอย่างการวัดจริงของ ID-VGS ลักษณะเฉพาะและลักษณะอุณหภูมิเกณฑ์

ดังแสดงในรูปที่ 1 เพื่อที่จะผ่านกระแสไฟฟ้าส่วนใหญ่ จำเป็นต้องใช้แรงดันเกตที่ค่อนข้างใหญ่

รุ่นที่ระบุไว้ในตารางที่ 1 มีค่าจำกัดที่ 2.5V หรือน้อยกว่าในข้อมูลจำเพาะ แต่เป็นผลิตภัณฑ์ที่ขับเคลื่อนด้วย 4V

เมื่อใช้กรุณาใส่แรงดันเกตเพื่อให้เปิดเพียงพอ

ดังแสดงในรูปที่ 2 ค่าขีดจำกัดจะลดลงตามอุณหภูมิ

โดยการสังเกตการเปลี่ยนแปลงแรงดันไฟฟ้าที่เกณฑ์ ทำให้สามารถคำนวณอุณหภูมิช่องขององค์ประกอบได้