MOSFET की परजीवी धारिता और तापमान विशेषताएँ

MOSFET की धारिता

जैसा कि चित्र 1 में दिखाया गया है, पावर MOSFET की संरचना में एक परजीवी क्षमता होती है।

जैसा कि चित्र 1 में दर्शाया गया है, पावर MOSFET की संरचना में एक परजीवी धारिता होती है। MOSFET का G (गेट) टर्मिनल एक ऑक्साइड फिल्म द्वारा अन्य इलेक्ट्रोडों से पृथक होता है, और DS (ड्रेन, सोर्स) के बीच एक PN जंक्शन बनता है जिससे एक अंतर्निर्मित डायोड संरचना बनती है। Cgs, Cgd धारिता ऑक्साइड फिल्म की धारिता द्वारा निर्धारित होती है, और Cds अंतर्निर्मित डायोड की जंक्शन धारिता द्वारा निर्धारित होती है।

सामान्यतः, तालिका 1 में तीन प्रकार के Ciss/Coss/Crss को MOSFET विनिर्देश में दर्ज किया गया है।

जैसा कि चित्र 2 में दिखाया गया है, कैपेसिटेंस विशेषताएँ डीएस (नाली और स्रोत) के बीच वोल्टेज वीडीएस पर निर्भर करती हैं। वीडीएस जितना बड़ा होगा, क्षमता मूल्य उतना ही कम होगा।

तापमान विशेषताओं

वास्तविक माप उदाहरण चित्र (1) ~ (3) में दिखाए गए हैं

क्षमता विशेषताओं की तापमान निर्भरता में थोड़ा अंतर है।

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MOSFET स्विचिंग और इसकी तापमान विशेषताओं के बारे में

MOSFET स्विचिंग समय के बारे में

गेट वोल्टेज चालू/बंद होने के बाद, MOSFET चालू/बंद होता है। यह विलंब समय स्विचिंग समय है। स्विचिंग समय तालिका 1 में दर्शाया गया है। सामान्यतः, विनिर्देश में td(चालू)/tr/td(बंद)/tf दर्ज किए जाते हैं।

स्लकोर प्रकार निर्धारित करता है। चित्र 2 में सर्किट के मापा मूल्य के आधार पर विनिर्देश का मूल्य।

तालिका 1: MOSFETs की SW विशेषताएँ

मार्क	सामग्री
tअगुआ)	विलंब समय चालू करें (VGS 10%→VDS 90%)
tr	उठने का समय (VDS 90%→VDS 10%)
tघ(बंद)	विलंब समय बंद करें (VGS 90%→VDS 10%)
tf	पतझड़ का समय (VDS 10%→VDS 90%)
ton	खुलने का समय (tअगुआ) + टीr)
tबंद	समय बंद (tघ(बंद) + टीf)

तापमान विशेषताओं

मापे गए उदाहरण चित्र 3(1)~(4) में दिखाए गए हैं।

तापमान बढ़ने पर स्विचिंग का समय थोड़ा बढ़ जाता है, लेकिन जब तापमान 10 डिग्री सेल्सियस तक बढ़ जाता है तो यह लगभग 100% बढ़ जाता है, और स्विचिंग विशेषताओं की तापमान निर्भरता लगभग कोई नहीं होती है।

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वी के संबंध मेंजीएस (ध) MOSFET (थ्रेशोल्ड मान)

वी के बारे मेंजीएस (ध) MOSFET का

जब MOSFET चालू होता है, तो GS (गेट, स्रोत) के बीच आवश्यक वोल्टेज को VGS(th) (थ्रेशोल्ड मान) कहा जाता है।

अर्थात्, जब सीमा मान से ऊपर वोल्टेज इनपुट होता है, तो MOSFET चालू हो जाता है।

तो, चालू अवस्था में MOSFET कितनी A धारा प्रवाहित कर सकता है? प्रत्येक घटक के लिए, यह विनिर्देश पत्र के विद्युत विशेषताओं वाले कॉलम में दर्ज होता है।

तालिका 1 विनिर्देश के विद्युत विशेषता कॉलम का एक उदाहरण है। इस मामले में, जब इनपुट VDS=10V, आईडी के माध्यम से 1mA करंट पास करने के लिए आवश्यक गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज ID(th) 1.0V से 2.5V है।

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ID-VGS विशेषताएँ और तापमान विशेषताएँ

चित्र 1 और 2 I के वास्तविक माप उदाहरण दिखाते हैंD-VGS विशेषताएँ और दहलीज तापमान विशेषताएँ।

जैसा कि चित्र 1 में दिखाया गया है, अधिकांश धारा प्रवाहित करने के लिए अपेक्षाकृत बड़े गेट वोल्टेज की आवश्यकता होती है।

तालिका 1 में सूचीबद्ध मॉडलों की विशिष्टताओं में सीमा मान 2.5V या उससे कम है, लेकिन वे 4V संचालित उत्पाद हैं।

उपयोग करते समय, इसे पर्याप्त रूप से चालू करने के लिए कृपया गेट वोल्टेज इनपुट करें।

जैसा कि चित्र 2 में दिखाया गया है, तापमान के साथ सीमा मान घटता जाता है।

थ्रेशोल्ड वोल्टेज परिवर्तन को देखकर, तत्व के चैनल तापमान की गणना की जा सकती है।