Parasitaire capaciteit en temperatuurkenmerken van MOSFET

Capaciteit van MOSFET

In de structuur van de vermogens-MOSFET, zoals weergegeven in Figuur 1, is sprake van een parasitaire capaciteit.

De structuur van de vermogens-MOSFET, zoals weergegeven in figuur 1, toont een parasitaire capaciteit. De G-aansluiting (gate) van de MOSFET is geïsoleerd van andere elektroden door een oxidefilm, en er wordt een PN-overgang gevormd tussen de DS (drain, source) om een ingebouwde diodestructuur te vormen. De Cgs- en Cgd-capaciteit wordt bepaald door de capaciteit van de oxidefilm, en Cds door de junctiecapaciteit van de ingebouwde diode.

Over het algemeen zijn de drie typen Ciss/Coss/Crss in Tabel 1 opgenomen in de MOSFET-specificatie.

Zoals weergegeven in figuur 2 zijn de capaciteitskarakteristieken afhankelijk van de spanning VDS tussen DS (drain en source). Hoe groter de VDS, hoe kleiner de capaciteitswaarde.

Temperatuurkenmerken:

De daadwerkelijke meetvoorbeelden worden getoond in figuren (1) ~ (3)

Er is weinig verschil in de temperatuurafhankelijkheid van de capaciteitskarakteristieken.

Er zijn geen producten gevonden die aan je zoekcriteria voldoen

Over MOSFET-schakeling en de temperatuurkarakteristieken ervan

Over MOSFET-schakeltijd

Nadat de gatespanning AAN/UIT is, is de MOSFET AAN/UIT. Deze vertraging is de schakeltijd. De schakeltijd is zoals weergegeven in Tabel 1. Over het algemeen worden td(aan)/tr/td(uit)/tf in de specificatie opgenomen.

Slkor bepaalt het type. waarde van de specificatie gebaseerd op de gemeten waarde van het circuit in Figuur 2.

Tabel 1: SW-kenmerken van MOSFET's

Mark	Beschrijving
tdon)	Vertragingstijd inschakelen (VGS 10% →VDS 90%)
tr	Stijgtijd (VDS 90% →VDS 10%)
td (uit)	UIT vertragingstijd (VGS 90% →VDS 10%)
tf	herfst tijd (VDS 10% →VDS 90%)
ton	openingstijd (tdon) + tr)
tkorting	Vrije tijd (td (uit) + tf)

Temperatuurkenmerken:

De gemeten voorbeelden worden getoond in Figuur 3(1)~(4).

De schakeltijd neemt iets toe naarmate de temperatuur stijgt, maar neemt toe met ongeveer 10% wanneer de temperatuur stijgt tot 100°C, en er is vrijwel geen temperatuurafhankelijkheid van de schakelkarakteristieken.

Er zijn geen producten gevonden die aan je zoekcriteria voldoen

Wat V betreftGS (e) van MOSFET (drempelwaarde)

Over VGS (e) van MOSFET

Wanneer de MOSFET is ingeschakeld, wordt de benodigde spanning tussen GS (gate, source) VGS(th) (drempelwaarde) genoemd.

Dat wil zeggen dat wanneer er een spanning boven de grenswaarde wordt ingevoerd, de MOSFET wordt ingeschakeld.

Hoeveel A-stroom kan de MOSFET doorlaten als hij aan staat? Voor elk onderdeel staat dit vermeld in de kolom met elektrische eigenschappen van het specificatieblad.

Tabel 1 is een voorbeeld van de kolom met elektrische kenmerken van de specificatie. In dit geval, wanneer de ingang VDS = 10 V, is de poortdrempelspanning ID(th) die nodig is om 1 mA stroom door ID te laten gaan 1.0 V tot 2.5 V.

Er zijn geen producten gevonden die aan je zoekcriteria voldoen

ID-VGS kenmerken en temperatuurkenmerken

Figuren 1 en 2 tonen de daadwerkelijke meetvoorbeelden van ID-VGS karakteristieken en drempeltemperatuurkarakteristieken.

Zoals weergegeven in figuur 1 is, om het grootste deel van de stroom door te laten, een relatief grote poortspanning vereist.

De modellen in Tabel 1 hebben een grenswaarde van 2.5 V of minder in de specificaties, maar het zijn 4V-aangedreven producten.

Voer bij gebruik de poortspanning in, zodat deze voldoende wordt ingeschakeld.

Zoals weergegeven in Figuur 2 neemt de grenswaarde af met de temperatuur.

Door de drempelspanningsverandering te observeren, kan de kanaaltemperatuur van het element worden berekend.