السعة الطفيلية وخصائص درجة الحرارة للMOSFET

سعة MOSFET

في بنية MOSFET الطاقة، كما هو موضح في الشكل 1، هناك سعة طفيلية.

فيما يتعلق ببنية ترانزستور MOSFET للطاقة، كما هو موضح في الشكل 1، توجد سعة طفيلية. يُعزل طرف البوابة G في ترانزستور MOSFET عن الأقطاب الكهربائية الأخرى بغشاء أكسيد، وتُشكل وصلة PN بين طرفي المصدر والمصرف (DS) لتكوين بنية ديود مدمجة. تُحدد سعة Cgs وCgd بسعة غشاء الأكسيد، وتُحدد سعة وصلة الديود المدمجة.

بشكل عام، يتم تسجيل الأنواع الثلاثة من Ciss/Coss/Crss في الجدول 1 في مواصفات MOSFET.

كما هو مبين في الشكل 2، تعتمد خصائص السعة على الجهد VDS بين DS (المصرف والمصدر). كلما زاد حجم VDS، قلت قيمة السعة.

خصائص درجة الحرارة

وتظهر أمثلة القياس الفعلية في الأشكال (1) ~ (3)

لا يوجد فرق كبير في الاعتماد على درجة الحرارة لخصائص السعة.

هذا هو السبب في ذلك

حول تبديل MOSFET وخصائصه الحرارية

حول وقت تبديل MOSFET

بعد تشغيل/إيقاف جهد البوابة، يكون MOSFET في وضع التشغيل/الإيقاف. هذا التأخير هو وقت التبديل. يُوضح الجدول 1 وقت التبديل. بشكل عام، تُسجل قيم td(on)/tr/td(off)/tf في المواصفات.

يحدد Slkor الطباع. قيمة المواصفات بناءً على القيمة المقاسة للدائرة في الشكل 2.

الجدول 1: خصائص الموجات لترانزستورات MOSFET

علامة	وصف المنتج
tد (على)	قم بتشغيل وقت التأخير (VGS 10%→VDS 90٪)
tr	وقت الشروق (VDS 90%→VDS 10٪)
tد (إيقاف)	وقت تأخير OFF (VGS 90%→VDS 10٪)
tf	وقت السقوط (VDS 10%→VDS 90٪)
ton	وقت مفتوح (tد (على) + رr)
tخصم	وقت الإيقاف (tد (إيقاف) + رf)

خصائص درجة الحرارة

وتظهر الأمثلة المقاسة في الشكل 3(1)~(4).

يزداد وقت التبديل قليلاً مع ارتفاع درجة الحرارة، ولكنه يزيد بحوالي 10% عندما ترتفع درجة الحرارة إلى 100 درجة مئوية، ولا يوجد تقريبًا أي اعتماد على درجة الحرارة لخصائص التبديل.

هذا هو السبب في ذلك

بخصوص Vع (ال) من MOSFET (قيمة العتبة)

حول Vع (ال) من MOSFET

عندما يتم تشغيل MOSFET، فإن الجهد المطلوب بين GS (البوابة، المصدر) يسمى VGS(th) (قيمة العتبة).

وهذا يعني أنه عندما يتم إدخال الجهد فوق القيمة الحدية، يتم تشغيل MOSFET.

ما مقدار التيار الذي يمررّه ترانزستور MOSFET عند تشغيله؟ لكل مكون، يُسجَّل هذا التيار في عمود الخصائص الكهربائية في ورقة المواصفات.

الجدول 1 هو مثال على عمود الخصائص الكهربائية للمواصفات. في هذه الحالة، عندما يكون دخل VDS = 10V، فإن معرف جهد عتبة البوابة (th) المطلوب لتمرير تيار 1 مللي أمبير عبر المعرف هو 1.0V إلى 2.5V.

هذا هو السبب في ذلك

ID-VGS الخصائص وخصائص درجة الحرارة

يوضح الشكلان 1 و2 أمثلة القياس الفعلية لـ ID-VGS الخصائص وخصائص درجة الحرارة العتبة.

كما هو موضح في الشكل 1، من أجل تمرير معظم التيار، يلزم وجود جهد بوابة كبير نسبيًا.

النماذج المدرجة في الجدول 1 لها قيمة حدية تبلغ 2.5 فولت أو أقل في المواصفات، ولكنها منتجات تعمل بجهد 4 فولت.

عند الاستخدام، يرجى إدخال جهد البوابة لتشغيلها بشكل كافٍ.

وكما هو مبين في الشكل 2، تنخفض القيمة الحدية مع ارتفاع درجة الحرارة.

ومن خلال مراقبة تغير جهد العتبة، يمكن حساب درجة حرارة قناة العنصر.