Caractéristiques parasites de capacité et de température du MOSFET

Capacité du MOSFET

Dans la structure du MOSFET de puissance, comme le montre la figure 1, il existe une capacité parasite.

La structure du MOSFET de puissance, comme illustré à la figure 1, présente une capacité parasite. La borne G (grille) du MOSFET est isolée des autres électrodes par un film d'oxyde, et une jonction PN est formée entre les bornes DS (drain et source) pour former une structure de diode intégrée. Les capacités Cgs et Cgd sont déterminées par la capacité du film d'oxyde, et Cds par la capacité de jonction de la diode intégrée.

D'une manière générale, les trois types de Ciss/Coss/Crss du tableau 1 sont enregistrés dans la spécification MOSFET.

Comme le montre la figure 2, les caractéristiques de capacité dépendent de la tension VDS entre DS (drain et source). Plus le VDS est grand, plus la valeur de capacité est petite.

Caractéristiques de température

Les exemples de mesures réelles sont présentés dans les figures (1) à (3).

Il y a peu de différence dans la dépendance à la température des caractéristiques de capacité.

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À propos de la commutation MOSFET et de ses caractéristiques de température

À propos du temps de commutation du MOSFET

Une fois la tension de grille activée/désactivée, le MOSFET est activé/désactivé. Ce délai correspond au temps de commutation. Ce temps est indiqué dans le tableau 1. En général, les valeurs td(on)/tr/td(off)/tf sont enregistrées dans la spécification.

Slkor détermine le type. valeur de la spécification basée sur la valeur mesurée du circuit dans la figure 2.

Tableau 1 : Caractéristiques SW des MOSFET

Mark	Contenu
tDon)	Activer le délai d'attente (VGS 10% → VDS 90%)
tr	Temps de montée (VDS 90% → VDS 10%)
tôter)	Temps de retard à l'arrêt (VGS 90% → VDS 10%)
tf	temps de chute (VDS 10% → VDS 90%)
ton	horaire d'ouverture (tDon) +tr)
tde rabais	Délai dépassé (tôter) +tf)

Caractéristiques de température

Les exemples mesurés sont présentés sur les figures 3 (1) ~ (4).

Le temps de commutation augmente légèrement à mesure que la température augmente, mais il augmente d'environ 10 % lorsque la température atteint 100 °C, et les caractéristiques de commutation ne dépendent pratiquement pas de la température.

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Concernant VGS (th) du MOSFET (valeur seuil)

À propos de VGS (th) de MOSFET

Lorsque le MOSFET est activé, la tension requise entre GS (grille, source) est appelée VGS(th) (valeur seuil).

Autrement dit, lorsque la tension d'entrée est supérieure à la valeur limite, le MOSFET est activé.

Quel courant A le MOSFET peut-il traverser lorsqu'il est passant ? Pour chaque composant, cette valeur est indiquée dans la colonne des caractéristiques électriques de la fiche technique.

Le tableau 1 est un exemple de la colonne des caractéristiques électriques de la spécification. Dans ce cas, lorsque l'entrée VDS = 10 V, la tension de seuil de grille ID(th) requise pour faire passer un courant de 1 mA à travers ID est de 1.0 V à 2.5 V.

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ID-VGS caractéristiques et caractéristiques de température

Les figures 1 et 2 montrent les exemples de mesures réelles de ID-VGS caractéristiques et caractéristiques de température seuil.

Comme le montre la figure 1, pour faire passer la majeure partie du courant, une tension de grille relativement élevée est nécessaire.

Les modèles répertoriés dans le tableau 1 ont une valeur limite de 2.5 V ou moins dans les spécifications, mais ce sont des produits alimentés en 4 V.

Lors de l'utilisation, veuillez saisir la tension de la grille pour qu'elle s'allume suffisamment.

Comme le montre la figure 2, la valeur limite diminue avec la température.

En observant le changement de tension de seuil, la température du canal de l'élément peut être calculée.