חדשות
חדשות
מהם המאפיינים של MOSFET?
2023-03-31 1064

קיבול טפילי ומאפייני טמפרטורה של MOSFET

קיבול של MOSFET

במבנה של MOSFET הספק, כפי שמוצג באיור 1, יש קיבולת טפילית.

מבחינת מבנה ה-MOSFET להספק, כפי שמוצג באיור 1, קיים קיבול טפילי. הדק G (שער) של ה-MOSFET מבודד מאלקטרודות אחרות על ידי שכבת תחמוצת, וצומת PN נוצר בין ה-DS (ניקוז, מקור) ליצירת מבנה דיודה מובנית. קיבול Cgs ו-Cgd נקבעים על ידי הקיבול של שכבת התחמוצת, ו-Cds נקבע על ידי קיבול הצומת של הדיודה המובנית.

איור 1: מודל קיבול עבור MOSFETs

image.png

באופן כללי, שלושת סוגי ה-Ciss/Coss/Crss בטבלה 1 רשומים במפרט ה-MOSFET.

טבלה 1 מאפייני קיבול של MOSFET
סמן נוסחה משמעות
CISS Cgs+Cgd כושר קלט
Coss Cds+Cgd כושר פלט
Crss Cgd יכולת משוב

כפי שמוצג באיור 2, מאפייני הקיבול תלויים במתח VDS בין DS (ניקוז ומקור). ככל שה-VDS גדול יותר, כך ערך הקיבולת קטן יותר.

איור 2: קיבולת - תלות ב-VDS

image.png

מאפייני טמפרטורה

דוגמאות המדידה בפועל מוצגות באיורים (1) ~ (3)

יש הבדל קטן בתלות הטמפרטורה של מאפייני הקיבולת.

איור 3: מאפייני טמפרטורת קיבול

image.png

אודות מיתוג MOSFET ומאפייני הטמפרטורה שלו

אודות זמן מיתוג MOSFET

לאחר שמתח השער נדלק/כבוי, ה-MOSFET נדלק/כבוי. זמן השהייה הזה הוא זמן המיתוג. זמן המיתוג מוצג בטבלה 1. באופן כללי, td(on)/tr/td(off)/tf רשומים במפרט.


Slkor קובע את הטיפוס. ערך המפרט מבוסס על הערך הנמדד של המעגל באיור 2.

טבלה 1: מאפייני פלטפורמה של טרנזיסטורי MOSFET
סמן תוֹכֶן
tדוֹן) הפעל את זמן ההשהיה
(VGS 10% → VDS 90%)
tr זמן עלייה
(VDS 90% → VDS 10%)
td(off) זמן עיכוב כיבוי
(VGS 90% → VDS 10%)
tf זמן נפילה
(VDS 10% → VDS 90%)
ton שעת פתיחה
(tדוֹן) + tr)
tכבוי זמן כבוי
(td(off) + tf)
image.png

מאפייני טמפרטורה

הדוגמאות הנמדדות מוצגות באיור 3(1)~(4).

זמן ההחלפה גדל מעט ככל שהטמפרטורה עולה, אך הוא עולה בכ-10% כאשר הטמפרטורה עולה ל-100 מעלות צלזיוס, וכמעט שאין תלות בטמפרטורה של מאפייני המיתוג.

איור 3: מאפייני טמפרטורת החלפה

image.png

לגבי VGS (ה) של MOSFET (ערך סף)

על VGS (ה) של MOSFET

כאשר ה-MOSFET מופעל, המתח הנדרש בין GS (שער, מקור) נקרא VGS(th) (ערך סף).

כלומר, כאשר מתח מעל ערך הגבול מוכנס, ה-MOSFET מופעל.

אז כמה זרם A יכול ה-MOSFET להעביר כשהוא במצב דלוק? עבור כל רכיב, זה רשום בעמודה של המאפיינים החשמליים בגיליון המפרט.


טבלה 1 היא דוגמה לעמודת המאפיינים החשמליים של המפרט. במקרה זה, כאשר הקלט VDS=10V, סף המתח ID(th) של השער הנדרש להעברת זרם 1mA דרך ID הוא 1.0V עד 2.5V.

טבלה 1: עמודת מאפיינים חשמליים של מפרטים

image.png

ID-VGS מאפיינים ומאפייני טמפרטורה

איורים 1 ו-2 מציגים את דוגמאות המדידה בפועל של ID-VGS מאפיינים ומאפייני טמפרטורת סף.

כפי שמוצג באיור 1, על מנת להעביר את רוב הזרם, נדרש מתח שער גדול יחסית.

לדגמים המפורטים בטבלה 1 יש ערך גבול של 2.5V או פחות במפרטים, אך הם מוצרים מונעים על 4V.

בעת השימוש, אנא הזן את מתח השער כדי לגרום לו להידלק מספיק.


כפי שמוצג באיור 2, ערך הגבול יורד עם הטמפרטורה.

על ידי התבוננות בשינוי מתח הסף, ניתן לחשב את טמפרטורת הערוץ של האלמנט.

image.png

MOSFETלדף פרטי המוצר

whatsapp

מוקד שירות

tel: +86 755 83044319

WhatsApp

Whatsapp:+8618073002950