Características parásitas de capacitancia y temperatura del MOSFET

Capacitancia de MOSFET

En la estructura del MOSFET de potencia, como se muestra en la Figura 1, existe una capacidad parásita.

En términos de la estructura del MOSFET de potencia, como se muestra en la Figura 1, existe una capacitancia parásita. El terminal G (puerta) del MOSFET está aislado de otros electrodos mediante una película de óxido y se forma una unión PN entre el DS (drenaje, fuente) para formar una estructura de diodo incorporada. Cgs, la capacidad de Cgd está determinada por la capacitancia de la película de óxido y Cds está determinada por la capacidad de unión del diodo incorporado.

En términos generales, los tres tipos de Ciss/Coss/Crss en la Tabla 1 se registran en la especificación MOSFET.

Como se muestra en la Fig. 2, las características de capacitancia dependen del voltaje VDS entre DS (drenaje y fuente). Cuanto mayor sea el VDS, menor será el valor de la capacidad.

Caracteristicas de temperatura

Los ejemplos de medición reales se muestran en las Figuras (1) ~ (3)

Hay poca diferencia en la dependencia de la temperatura de las características de capacidad.

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Acerca de la conmutación MOSFET y sus características de temperatura

Acerca del tiempo de conmutación MOSFET

Después de que el voltaje de la puerta está encendido/apagado, el MOSFET está encendido/apagado. Este tiempo de retardo es el tiempo de conmutación. El tiempo de conmutación se muestra en la Tabla 1. En términos generales, td(on)/tr/td(off)/tf se registran en la especificación.

Slkor determina el tipo. valor de la especificación basado en el valor medido del circuito en la Figura 2.

Tabla 1: Características SW de los MOSFET

Marcar	Contenido
tdon)	Activar el tiempo de retraso (VGS 10%→VDS 90%)
tr	Hora de levantarse (VDS 90%→VDS 10%)
tquitarse)	Tiempo de retardo a la desactivación (VGS 90%→VDS 10%)
tf	otoño (VDS 10%→VDS 90%)
ton	hora de apertura (tdon) +tr)
toff	Fuera de tiempo (tquitarse) +tf)

Caracteristicas de temperatura

Los ejemplos medidos se muestran en la Figura 3(1)~(4).

El tiempo de conmutación aumenta ligeramente a medida que aumenta la temperatura, pero aumenta aproximadamente un 10% cuando la temperatura aumenta a 100 °C, y casi no hay dependencia de la temperatura en las características de conmutación.

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Respecto a V.GS (TH) de MOSFET (valor umbral)

Acerca de VGS (TH) de MOSFET

Cuando se enciende el MOSFET, el voltaje requerido entre GS (puerta, fuente) se llama VGS (th) (valor umbral).

Es decir, cuando se ingresa un voltaje por encima del valor límite, el MOSFET se enciende.

Entonces, ¿cuánta corriente A puede atravesar el MOSFET cuando está encendido? Para cada componente, se registra en la columna de características eléctricas de la hoja de especificaciones.

La Tabla 1 es un ejemplo de la columna de características eléctricas de la especificación. En este caso, cuando la entrada VDS = 10 V, el voltaje de umbral de puerta ID (th) requerido para pasar una corriente de 1 mA a través de ID es de 1.0 V a 2.5 V.

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ID-VGS características y características de temperatura.

Las figuras 1 y 2 muestran los ejemplos de medición reales de I.D-VGS características y características de temperatura umbral.

Como se muestra en la Figura 1, para pasar la mayor parte de la corriente, se requiere un voltaje de puerta relativamente grande.

Los modelos enumerados en la Tabla 1 tienen un valor límite de 2.5 V o menos en las especificaciones, pero son productos impulsados por 4 V.

Al usarlo, ingrese el voltaje de la puerta para que se encienda lo suficiente.

Como se muestra en la Figura 2, el valor límite disminuye con la temperatura.

Al observar el cambio de voltaje umbral, se puede calcular la temperatura del canal del elemento.